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Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 102758 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

212+	3.08 EUR
500+	2.75 EUR
1000+	2.48 EUR
10000+	2.15 EUR
100000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 212 Stücke

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IRFB3006PBF

MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

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IRFB3006PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V

auf Bestellung 2214 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.1 EUR
10+	4.64 EUR
50+	3.58 EUR
100+	3.24 EUR
500+	2.64 EUR

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IRFB3006PBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Транзистори

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IRFB3006PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1589 Stücke:

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33+	5.31 EUR
41+	4.27 EUR
100+	2.98 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

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IRFB3006PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Gate charge: 200nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 270A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ

auf Bestellung 147 Stücke:

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21+	4.15 EUR
24+	3.65 EUR
26+	3.3 EUR

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IRFB3006PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 399 Stücke:

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85+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

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IRFB3006PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 131 Stücke:

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IRFB3006PBFXKMA1

MOSFETs IR FET UP TO 60V

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IRFB3006PBFXKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3006PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3006PBFXKMA1

Description: INFINEON - IRFB3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.25 EUR
40+	5.91 EUR
100+	3.94 EUR
500+	3.24 EUR
1000+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

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IRFB3077

Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	8.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IRFB3077

MOSFETs

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IRFB3077GPBF

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50

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IRFB3077GPBF Transistor
Produktcode: 72192

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IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 856 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

183+	3.57 EUR
500+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 183 Stücke

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IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	7.71 EUR
33+	5.13 EUR
100+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBF

MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg

auf Bestellung 876 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.85 EUR
10+	5.87 EUR
100+	4.16 EUR
500+	3.44 EUR
1000+	3.39 EUR

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IRFB3077PBF

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V

auf Bestellung 2112 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.01 EUR
10+	5.96 EUR
50+	4.65 EUR
100+	4.22 EUR
500+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IRFB3077PBF

Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

auf Bestellung 1424 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	11.67 EUR
33+	7.18 EUR
100+	4.66 EUR
500+	3.86 EUR
1000+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

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IRFB3077PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.86 EUR
24+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 29000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

183+	3.57 EUR
500+	3.34 EUR
1000+	3.08 EUR
10000+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 183 Stücke

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IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	7.76 EUR
33+	5.27 EUR
100+	3.81 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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IRFB3077PBF
Produktcode: 104275

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160
Montage: THT
ZCODE: 8541290010

auf Bestellung: 41 St.

41 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	3.33 EUR
10+	3.06 EUR

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IRFB3077PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3077PBF

TO-200AB Транзистори

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IRFB3077PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.58 EUR
54+	3.19 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBFXKMA1

Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	9.75 EUR
39+	6.06 EUR
100+	4.31 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBFXKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	2.93 EUR
34+	2.57 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 547 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

183+	3.57 EUR
500+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 183 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.57 EUR
54+	3.11 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBFXKMA1

MOSFETs IR FET >60-400V

auf Bestellung 2911 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.51 EUR
10+	6.24 EUR
100+	4.65 EUR
500+	3.92 EUR
1000+	3.71 EUR
5000+	3.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3077PBFXKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB31N20DPBF
Produktcode: 127026

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Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

1+	2 EUR
10+	1.81 EUR

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IRFB31N20DPBF

Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB31N20DPBF

MOSFETs MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB31N20DPBF

Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB31N20DPBF

Description: INFINEON - IRFB31N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 31 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 31
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB31N20DPBF

Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206

Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206

Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206

Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 242 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3206GPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V

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IRFB3206GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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242+	2.7 EUR
500+	2.51 EUR

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IRFB3206GPBF

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3206GPBF - IRFB320 120A, 60V, N-CHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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IRFB3206GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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500+	2.51 EUR
1000+	2.33 EUR

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IRFB3206GPBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 200 Stücke:

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20+	4.28 EUR
30+	2.86 EUR
100+	2.21 EUR

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IRFB3206GPBF

MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC

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IRFB3206GPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V

auf Bestellung 1761 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

185+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 185 Stücke

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IRFB3206GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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242+	2.7 EUR

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IRFB3206GPBF
Produktcode: 52938

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB3206GPBFXKMA1

Description: IR FET UP TO 60V

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IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3206PBF

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26+	3.37 EUR
36+	2.42 EUR
45+	1.9 EUR
50+	1.7 EUR
100+	1.48 EUR
250+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

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IRFB3206PBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори

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IRFB3206PBF

MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

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IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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40+	4.41 EUR
53+	3.24 EUR
120+	1.4 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.32 EUR
2000+	1.29 EUR

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IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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48+	3.63 EUR
50+	3.44 EUR
100+	3.25 EUR
250+	3.08 EUR
500+	2.95 EUR
1000+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

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IRFB3206PBF
Produktcode: 34412

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 210 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6540/120
Montage: THT

auf Bestellung: 397 St.

397 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	3.72 EUR
10+	3.45 EUR
100+	3.24 EUR
1000+	2.93 EUR

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IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 15833 Stücke:

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40+	4.4 EUR
53+	3.17 EUR
121+	1.34 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.21 EUR
2000+	1.15 EUR

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IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.88 EUR
2000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3206PBF

Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 1424 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	6.77 EUR
55+	4.27 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

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IRFB3206PBF

JSMSEMI

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори

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IRFB3206PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V

auf Bestellung 696 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.87 EUR
10+	3.81 EUR
50+	2.92 EUR
100+	2.63 EUR
500+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IRFB3206PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 33400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.9 EUR
2000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3206PBFXKMA1

Description: IR FET UP TO 60V

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IRFB3206PBFXKMA1

IR FET UP TO 60V

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IRFB3206PBFXKMA1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3207

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRFB3207PBF
Produktcode: 180333

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори

auf Bestellung 10 Stücke:

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IRFB3207PBF

Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V

auf Bestellung 282 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.33 EUR
10+	4.8 EUR
50+	3.7 EUR
100+	3.36 EUR

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1929 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.63 EUR
46+	3.8 EUR
100+	2.77 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 308 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.87 EUR
49+	3.46 EUR
100+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.82 EUR
49+	3.5 EUR
100+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

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IRFB3207PBF

Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm

auf Bestellung 182 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	8.68 EUR
45+	5.27 EUR
100+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

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IRFB3207PBF

MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.72 EUR
10+	4.41 EUR
100+	3.09 EUR
500+	2.93 EUR
1000+	2.64 EUR
2000+	2.56 EUR

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1929 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.62 EUR
46+	3.71 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	2.7 EUR
500+	2.51 EUR

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IRFB3207PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	3.57 EUR
28+	3.05 EUR
31+	2.81 EUR
32+	2.69 EUR
50+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3207Z

MOSFETs

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IRFB3207Z
Produktcode: 37831

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 12 V
Drain-Strom Id, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм

Produkt ist nicht verfügbar

1+	2.14 EUR

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IRFB3207Z

Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IRFB3207ZG

MOSFET

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IRFB3207ZGPBF

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFB3207ZGPBF

MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3207ZGPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.98 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3207ZGPBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IRFB3207ZGPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.98 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3207ZGPBF

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V

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IRFB3207ZGPBFXKMA1

IRFB3207ZGPBFXKMA1

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	2.7 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 242 Stücke

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IRFB3207ZGPBFXKMA1