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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.46 EUR
135+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRFB5615PBF
Produktcode: 118300
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
590+0.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.25 EUR
98+1.44 EUR
135+1.01 EUR
500+0.8 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.68 EUR
124+1.16 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+1.15 EUR
100+0.94 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.15 EUR
50+2.99 EUR
100+2.83 EUR
250+2.68 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.73 EUR
88+1.62 EUR
124+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.72 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.49 EUR
135+1.07 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.96 EUR
10+1.88 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.15 EUR
50+2.99 EUR
100+2.83 EUR
250+2.68 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.49 EUR
100+1.18 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB5615PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620International RectifierN-MOSFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB5620 TIRFB5620
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+13.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.91 EUR
50+2.41 EUR
100+2.17 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.4 EUR
82+1.77 EUR
100+1.57 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.42 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2 EUR
97+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesMOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.85 EUR
10+2.09 EUR
100+1.8 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.41 EUR
2000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.8 EUR
90+1.58 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.64 EUR
100+1.49 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.16 EUR
2000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.94 EUR
99+1.44 EUR
104+1.32 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+1.9 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF
Produktcode: 47564
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+1.99 EUR
55+1.32 EUR
62+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.43 EUR
80+1.82 EUR
100+1.57 EUR
500+1.21 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.96 EUR
2000+0.94 EUR
5000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB5620PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB59N10DInfineonN-MOSFET HEXFET 59A 100V 3.8W 0.025Ω IRFB59N10D TIRFB59n10d
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB59N10D
Produktcode: 37576
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB59N10DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB59N10DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB59N10DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 59 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2450 @ 25, Qg, нКл = 114 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 35,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB59N10DPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB59N10DPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB59N10DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB59N10DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 59
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB59N10DPBF
Produktcode: 84303
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB61N15DPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB61N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC
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IRFB61N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB61N15DPBF
Produktcode: 116418
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB61N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
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IRFB7430International Rectifier409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFB7430Infineon TechnologiesMOSFETs
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IRFB7430GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 300 nC Qg, TO-220AB
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IRFB7430GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.06 EUR
53+2.74 EUR
100+2.46 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFB7430PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.78 EUR
71+2.01 EUR
100+1.84 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB7430PBFInternational RectifierMOSFET N CH 40V 195A TO-220AB Транзистори
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IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+2.9 EUR
500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB7430PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.53 EUR
23+3.16 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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IRFB7430PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+4.1 EUR
100+3.06 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.38 EUR
2000+2.24 EUR
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IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.8 EUR
70+2.06 EUR
100+1.92 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB7430PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.44 EUR
50+2.74 EUR
100+2.48 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB7434Infineon Technologies
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IRFB7434GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+222.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFB7434GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRFB7434GPBFInternational Rectifier HiRel ProductsPower Mosfet
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.34 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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IRFB7434GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 216 nC Qg, TO-220AB
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRFB7434PBF
Produktcode: 171783
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InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
JHGF: THT
auf Bestellung 22 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFB7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+2.63 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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IRFB7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+2.63 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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IRFB7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRFB7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+2.63 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.54 EUR
108+1.34 EUR
111+1.28 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IRFB7434PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+2.46 EUR
100+2.22 EUR
500+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7434PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+0.91 EUR
250+0.86 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7434PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.91 EUR
50+2.46 EUR
100+2.22 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+2.63 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7434PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.54 EUR
108+1.31 EUR
111+1.23 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IRFB7437Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFB7437International Rectifier250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7437GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7437GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 40V, 195A, 2 150 nC Qg, TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.43 EUR
148+0.95 EUR
155+0.88 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7437PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7437PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.99 EUR
155+0.93 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7437PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
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