Produkte > IRF

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 132 154 176 198 220 225  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB4332PbFInternational RectifierIRFB4332PBF MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.09 EUR
51+3.36 EUR
100+3.01 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.36 EUR
29+2.94 EUR
33+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBF
Produktcode: 52140
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 29 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5860/99
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.69 EUR
10+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.4 EUR
53+4.39 EUR
100+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.1 EUR
51+3.28 EUR
100+2.9 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+5.07 EUR
100+4.61 EUR
500+3.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.84 EUR
30+7.82 EUR
100+5.38 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.89 EUR
10+6.57 EUR
50+5.14 EUR
100+4.68 EUR
500+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesN-Channel MOSFET
auf Bestellung 12094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.46 EUR
42+4 EUR
43+3.74 EUR
100+3.45 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesN-Channel MOSFET
auf Bestellung 12092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.41 EUR
42+4.05 EUR
44+3.84 EUR
100+3.61 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB438PBFInfineon TechnologiesIRFB438PBF- HEXFETPower MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+3.36 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB438PBFInfineon TechnologiesIRFB438PBF- HEXFETPower MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+3.36 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB438PBFInfineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410International RectifierN-MOSFET 88A 100V IRFB4410 TIRFB4410
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410
Produktcode: 211278
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 96 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5150/120
Montage: THT
erwartet: 11 St.
  • 11 St. - erwartet
auf Bestellung: 60 St.
  • 60 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.69 EUR
68+2.44 EUR
100+2.11 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.56 EUR
42+2.05 EUR
45+1.9 EUR
50+1.71 EUR
100+1.59 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+2.57 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.76 EUR
2000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInternational RectifierN-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.69 EUR
68+2.5 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
auf Bestellung 4827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.19 EUR
10+3.36 EUR
50+2.56 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBF
Produktcode: 72936
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 96 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5150/120
Montage: THT
auf Bestellung: 15 St.
  • 15 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
82+2.86 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZInfineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZInternational RectifierN-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZInternational RectifierN-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410Z
Produktcode: 40049
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZInternational RectifierN-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.9 EUR
500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.32 EUR
10000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.9 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.32 EUR
10000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInternational RectifierDescription: IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+10.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 97 А, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4820 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 58 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 300
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.58 EUR
74+2.32 EUR
87+1.92 EUR
100+1.86 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.9 EUR
72+2.32 EUR
87+1.86 EUR
100+1.76 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+3.03 EUR
50+2.31 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.88 EUR
67+3.5 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.58 EUR
74+2.26 EUR
87+1.84 EUR
100+1.76 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.76 EUR
41+2.11 EUR
51+1.68 EUR
56+1.55 EUR
63+1.37 EUR
100+1.24 EUR
200+1.12 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+2.03 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB448PBFInfineon TechnologiesIRFB448PBF^INFINEON
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.71 EUR
72+2.32 EUR
78+2.07 EUR
102+1.52 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.11 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBF
Produktcode: 58620
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 62 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,7 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3180/58
Montage: THT
auf Bestellung: 87 St.
  • 87 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
87+2.69 EUR
111+1.94 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.45 EUR
73+2.27 EUR
78+2.05 EUR
101+1.54 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFIRFB4510PBF Транзисторы
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.45 EUR
73+2.33 EUR
78+2.13 EUR
101+1.62 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.11 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.42 EUR
77+2.2 EUR
101+1.64 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.25 EUR
82+2.07 EUR
106+1.57 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.21 EUR
50+2.44 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.31 EUR
77+2.17 EUR
82+1.95 EUR
106+1.45 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4510PBF..INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4510PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0107
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610
Produktcode: 99480
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 73 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 11 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3550/90
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.39 EUR
100+2.32 EUR
1000+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4610PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.13 EUR
29+3 EUR
32+2.69 EUR
34+2.57 EUR
50+2.38 EUR
100+2.25 EUR
200+2.11 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.07 EUR
147+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.39 EUR
5000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBF
Produktcode: 99481
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 35 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 32 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1750/26
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.27 EUR
55+3.09 EUR
100+2.93 EUR
250+2.77 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.96 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.96 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
59+1.46 EUR
60+1.43 EUR
63+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 132 154 176 198 220 225  Nächste Seite >> ]