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Trans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R

auf Bestellung 14400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	3.39 EUR
60+	2.93 EUR
63+	2.74 EUR
73+	2.32 EUR
100+	2.14 EUR
250+	1.93 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.7 EUR
3000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

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AUIRF7647S2TR

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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AUIRF7647S2TR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 24A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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AUIRF7647S2TR

Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.9A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R

auf Bestellung 1695 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

164+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 164 Stücke

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AUIRF7647S2TR

Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4803 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	7.12 EUR
55+	4.22 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.63 EUR
1000+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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AUIRF7647S2TR

Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.9A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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AUIRF7647S2TR

Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4803 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.15 EUR
500+	2.63 EUR
1000+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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AUIRF7647S2TR

MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET

auf Bestellung 3735 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.9 EUR
10+	3.2 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.09 EUR
2500+	1.96 EUR
4800+	1.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7647S2TR

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3224 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.02 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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AUIRF7647S2TR

Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.9A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7648M2TR

Description: MOSFET N-CH 60V 14A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9399 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.92 EUR
10+	5.9 EUR
100+	4.18 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7648M2TR

MOSFETs 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms

auf Bestellung 2999 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.91 EUR
10+	5.37 EUR
100+	3.88 EUR
500+	3.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7648M2TR

Description: MOSFET N-CH 60V 14A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4800+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7665S2TR

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.1A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7665S2TR

Description: MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET SB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7665S2TR

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.1A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7665S2TR

MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7669L2TR

Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	11.54 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7669L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	11.51 EUR
17+	10.4 EUR
25+	9.95 EUR
100+	8.89 EUR
250+	8.46 EUR
500+	7.98 EUR
1000+	7.52 EUR
3000+	7.4 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7669L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7669L2TR

MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7669L2TR

Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	20.21 EUR
10+	13.95 EUR
50+	11.27 EUR
100+	10.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7669L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	11.51 EUR
17+	10.63 EUR
25+	10.33 EUR
100+	9.38 EUR
250+	9.16 EUR
500+	8.89 EUR
1000+	8.54 EUR
3000+	8.4 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7669L2TRCT

Description: AUIRF7669 - 75V-100V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7675M2TR

MOSFETs 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2

auf Bestellung 4538 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.04 EUR
10+	4.8 EUR
100+	3.83 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	3.17 EUR
2500+	3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7675M2TR

Description: AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

159+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 159 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7675M2TR

Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm

auf Bestellung 4253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.15 EUR
500+	2.83 EUR
1000+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7675M2TR

Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7675M2TR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7675M2TR

Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm

auf Bestellung 4253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	8.04 EUR
56+	4.2 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.83 EUR
1000+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7675M2TR

Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7732S2TR

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7732S2TR - AUIRF7732 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3106 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 284 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7732S2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRF7732S2TR

MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms

auf Bestellung 3378 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.08 EUR
10+	3.2 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.67 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.84 EUR
2500+	1.82 EUR

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AUIRF7732S2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRF7734M2TR

MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms

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Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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AUIRF7734M2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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AUIRF7734M2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2545 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

200+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

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AUIRF7734M2TR1

MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms

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AUIRF7736M2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4267 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4800+	3.7 EUR

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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AUIRF7736M2TR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Power dissipation: 63W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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AUIRF7736M2TR

MOSFETs 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms

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AUIRF7736M2TR

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7736M2TR - AUIRF7736M2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7808 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	5.02 EUR

Mindestbestellmenge: 153 Stücke

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AUIRF7736M2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4267 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4993 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.44 EUR
10+	5.59 EUR
100+	3.96 EUR
500+	3.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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AUIRF7736M2TR1

MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7737L2TR

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7737L2TR - AUIRF7737L2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	7.52 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7737L2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRF7737L2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/156A DIRECT

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AUIRF7737L2TR

MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 7.9mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7737L2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7737L2TR1

MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.9mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7738L2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7471 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7738L2TR

MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7739L2

Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7739L2TR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7739L2TR

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7739L2TR

MOSFETs 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7739L2TR1

MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7749L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 60V 36A Automotive 9-Pin Direct-FET2 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7749L2TR

Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 7587 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	16.7 EUR
19+	12.34 EUR
26+	8.46 EUR
50+	7.95 EUR
100+	7.31 EUR
250+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7749L2TR

Description: MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 345A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10655 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.03 EUR
10+	11.63 EUR
50+	9.31 EUR
100+	8.57 EUR
500+	8.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7749L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 60V 36A Automotive 9-Pin Direct-FET2 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7749L2TR

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 1208 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.01 EUR
10+	10.7 EUR
100+	8.4 EUR
1000+	7.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7749L2TR

Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 7587 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	16.7 EUR
19+	12.34 EUR
26+	8.46 EUR
50+	7.95 EUR
100+	7.31 EUR
250+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7749L2TR

Description: MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 345A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10655 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7759L2TR

Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7759L2TR

Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7759L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7759L2TR

MOSFETs Automotive 75V 160A 2.3mOhm DirectFET 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7759L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	7.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7759L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	7.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7759L2TR

Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7759L2TR

Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1808 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.89 EUR
10+	12.33 EUR
100+	10.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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AUIRF7759L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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AUIRF7759L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R

auf Bestellung 3950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	25.18 EUR
10+	22.36 EUR
50+	19.6 EUR
100+	17.48 EUR
200+	16.62 EUR
500+	15.04 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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AUIRF7769L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A Automotive 9-Pin Direct-FET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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AUIRF7769L2TR

Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm

auf Bestellung 7230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	26.22 EUR
50+	13.68 EUR
250+	12.13 EUR
1000+	10.9 EUR
2000+	10.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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AUIRF7769L2TR

Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7807 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.46 EUR
10+	13.58 EUR
100+	10.14 EUR
500+	9.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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AUIRF7769L2TR

Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm

auf Bestellung 7230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	26.22 EUR
50+	13.68 EUR
250+	12.13 EUR
1000+	10.9 EUR
2000+	10.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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AUIRF7769L2TR

Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	9.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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AUIRF7769L2TR

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 4570 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20 EUR
10+	11.29 EUR
100+	10.83 EUR
500+	10.75 EUR
1000+	10.22 EUR

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AUIRF7799L2TR

Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFT

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRF7799L2TR

Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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AUIRF7799L2TR

MOSFETs DirectFET 2 250V 35A 38mOhm Automotive

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.09 EUR
10+	11.27 EUR
100+	9.38 EUR
500+	9.2 EUR
4000+	7.25 EUR

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AUIRF7799L2TR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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AUIRF7799L2TR

Trans MOSFET N-CH 250V 6.6A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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AUIRF7805Q

Infineon / IR

MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7805Q

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7805QTR

Description: MOSFET N CH 30V 13A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRF7805QTR

Infineon / IR

MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRF8736M2TR

MOSFETs Auto FET 30V 18A 4.8Ohm 17nC

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRF8736M2TR

Trans MOSFET N-CH Si 40V 27A Automotive 9-Pin Direct-FET M4 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF8736M2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6867 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.08 EUR
10+	6.7 EUR
50+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF8736M2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6867 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF8739L2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 545A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF8739L2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 545A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12443 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

68+	8.94 EUR

Mindestbestellmenge: 68 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF8739L2TR

Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm

auf Bestellung 4642 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.69 EUR
16+	15.41 EUR
19+	11.54 EUR
50+	10.04 EUR
100+	8.52 EUR
250+	8.35 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF8739L2TR

Trans MOSFET N-CH Si 40V 57A Automotive AEC-Q101 9-Pin Direct-FET T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	14.9 EUR
14+	13.13 EUR
50+	11.09 EUR
100+	10.29 EUR
200+	9.71 EUR
500+	8.77 EUR
1000+	7.74 EUR
4000+	6.99 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF8739L2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 545A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF8739L2TR