Produkte > AUI
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET SB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7640S2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7640S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.027 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: DirectFET SB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric SB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET SB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7640S2TR | Infineon Technologies | MOSFETs 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 36mOhms | auf Bestellung 1342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7647S2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.9A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7647S2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric SC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7647S2TR | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Case: DirectFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 24A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7647S2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: DirectFET SC Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7647S2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.9A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R | auf Bestellung 1695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7647S2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7647S2TR | Infineon Technologies | MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET | auf Bestellung 3735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7647S2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.9A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7647S2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: DirectFET SC Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7648M2TR | Infineon Technologies | MOSFETs 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms | auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7648M2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 41A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric M4 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 9399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7648M2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DIRECTFET Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 41A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric M4 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7665S2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.1A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7665S2TR | Infineon Technologies | MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7665S2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.1A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7665S2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET SB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric SB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7669L2TR | Infineon Technologies | MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7669L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7669L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7669L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7669L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7669L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3964 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7669L2TRCT | International Rectifier | Description: AUIRF7669 - 75V-100V N-CHANNEL A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7675M2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric M2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7675M2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: DirectFET M2 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7675M2TR | International Rectifier | Description: AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric M2 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7675M2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric M2 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7675M2TR | Infineon Technologies | MOSFETs 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2 | auf Bestellung 4538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7675M2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: DirectFET M2 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7732S2TR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC | auf Bestellung 3106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7732S2TR | Infineon Technologies | MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms | auf Bestellung 3378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7732S2TR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7732S2TR - AUIRF7732 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7732S2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric SC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7732S2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7734M2TR | Infineon Technologies | MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7734M2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7734M2TR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2 Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric M2 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2545 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7734M2TR1 | Infineon Technologies | MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7736M2TR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7736M2TR - AUIRF7736M2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7736M2TR | Infineon Technologies | MOSFETs 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7736M2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4267 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric M4 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7736M2TR | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 108A Power dissipation: 63W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7736M2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric M4 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4267 pF @ 25 V | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7736M2TR1 | Infineon Technologies | MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7737L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET L6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7737L2TR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 31A/156A DIRECT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7737L2TR | Infineon Technologies | MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 7.9mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7737L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET L6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7737L2TR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7737L2TR - AUIRF7737L2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7737L2TR1 | Infineon Technologies | MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.9mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7738L2TR | Infineon Technologies | MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7738L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DIRECTFET L6 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7471 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7739L2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7739L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7739L2TR | Infineon Technologies | MOSFETs 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7739L2TR | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 125W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7739L2TR1 | Infineon Technologies | MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7749L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 36A Automotive 9-Pin Direct-FET2 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7749L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 345A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10655 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7749L2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 345A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 341W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | auf Bestellung 7587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7749L2TR | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | auf Bestellung 1208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7749L2TR | Infineon | auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| AUIRF7749L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 345A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10655 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7749L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 36A Automotive 9-Pin Direct-FET2 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7749L2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 345A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies | MOSFETs Automotive 75V 160A 2.3mOhm DirectFET 2 | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7759L2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7759L2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7769L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 7807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7769L2TR | Infineon | auf Bestellung 156000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| AUIRF7769L2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7769L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A Automotive 9-Pin Direct-FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7769L2TR | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7769L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7769L2TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7799L2TR | Infineon Technologies | MOSFETs DirectFET 2 250V 35A 38mOhm Automotive | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF7799L2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7799L2TR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7799L2TR | Infineon | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| AUIRF7799L2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 6.6A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7805Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7805Q | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7805QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 30V 13A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF7805QTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF8736M2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric M4 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6867 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRF8736M2TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 27A Automotive 9-Pin Direct-FET M4 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF8736M2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric M4 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6867 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRF8736M2TR | Infineon Technologies | MOSFETs Auto FET 30V 18A 4.8Ohm 17nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |