Produkte > FDB

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDB8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.02 EUR
33+5.12 EUR
34+4.74 EUR
50+4.5 EUR
100+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
174+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860_SB82193onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860_SB82194onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860_SN00039onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8860_SN00040onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.17 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.17 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 17712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.17 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.17 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
auf Bestellung 55520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
270+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.17 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.17 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 23321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.17 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+3.53 EUR
100+2.83 EUR
250+2.62 EUR
500+2.37 EUR
800+2.01 EUR
2400+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
auf Bestellung 2877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
270+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.17 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.17 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8870 - MOSFET, N-CH, 30V, 35A, 175DEG C, 160W
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.17 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.17 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
307+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 160A 3.9Mohm N-CH POWERTRENCH
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8870PB
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8874onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8874fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8874ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8874onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8876ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8876 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
696+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 696 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB
auf Bestellung 7486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 628 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8876fairchild07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8878Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 4846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 658 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8878fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8880Fairchild SemiconductorDescription: 11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
516+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8880ON Semiconductor / FairchildMOSFET NCH PWR TRNCH MOSFET 30V 54A 11.6 OHMS
auf Bestellung 2033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8880-NLFAIRCHILDTO-263 0710+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8880-ONonsemiDescription: 11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 0.0049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 93
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 80
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
10+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896-F085Fairchild SemiconductorDescription: 19A, 30V, 0.0068OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CHAN PwrTrench
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896_NLFAIRCHIL09+ SOT23
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL, MOSFET
auf Bestellung 8787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403-F085onsemiMOSFETs 40V 110A 1.2mOhm N PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+6.41 EUR
100+5.7 EUR
500+5.4 EUR
800+4.9 EUR
2400+4.66 EUR
4800+4.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403L-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403L-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
136+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.84 EUR
95+1.75 EUR
97+1.65 EUR
100+1.57 EUR
250+1.48 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9403_SN00268onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9406-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9406-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9406-F085onsemi / FairchildMOSFET 40V, 110A, 1.8m Ohm NChannel PowerTrench
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+6.12 EUR
100+5.02 EUR
500+4.27 EUR
800+3.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9406-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.03 EUR
10+4.88 EUR
100+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9406L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9406L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9409-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9409-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 80A N-Chnl Power Trench MOSFET
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9409-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 7960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9409-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9409L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8 40V LL N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9409L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9503L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9503L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 333
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9503L-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9503L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9503L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.89 EUR
10+6.91 EUR
100+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9503L-F085onsemi / FairchildMOSFETs P-Channel LogicLevel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.14 EUR
10+7.19 EUR
100+5.37 EUR
800+5.24 EUR
2400+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9503L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9506L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Ta), 110A (Tc)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9506L-F085ON SemiconductorMOSFET PMOS D2PAK 40V 3.6 MOHM
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9506L-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB9509L-F085onsemiDescription: MOSFET 40V 110X72 MIL DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBA 50-10-6 PN-K-A246TE Connectivity Deutsch ConnectorsDescription: FDBA 50-10-6 PN-K-A246
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBA 50-10-6 PN-K-A5610TE Connectivity Deutsch ConnectorsDescription: FDBA 50-10-6 PN-K-A5610
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBA 50-10-6 PW-K-A5610TE Connectivity Deutsch ConnectorsDescription: FDBA 50-10-6 PW-K-A5610
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBA 50-10-6 SN-K 090TE Connectivity / DEUTSCHCircular MIL Spec Connector FDBA 50-10-6 SN-K 090
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBA 50-10-6 SN-K-A5610TE Connectivity Deutsch ConnectorsDescription: FDBA 50-10-6 SN-K-A5610
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBA 50-10-6 SN-K-A5610TE ConnectivityCircular MIL Spec Connector CONNECTOR, SPECIAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBA 50-12-10 PN-K 090 A838TE ConnectivityArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBA 50-12-10 PN-K-A377TE ConnectivityCategory: Automotive connectors
Description: Connector: circular; female; PIN: 10; straight; crimped
Contact plating: gold-plated
Spatial orientation: straight
Number of pins: 10
Electrical mounting: crimped
Type of connector: circular
Kind of connector: female
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBA 50-12-10 PN-K-A6032TE Connectivity
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBA 50-12-10 SN-K-A246TE Connectivity Deutsch ConnectorsDescription: FDBA 50-12-10 SN-K-A246
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Nächste Seite >> ]