Produkte > IPW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPW65R150CFDAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R150CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 195.3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 188880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO247-3 | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R150CFDFKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R15OCFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190C6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R190C7 | Infineon Technologies | Description: IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R190CFD | Infineon | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPW65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 1068-1072 Tag (e) |
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| IPW65R190CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFD7AXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDAFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R190CFDAFKSA1 - IPW65R190 600V-800V N-CHANNEL AUTOMOTIV tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 55 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R190CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.5A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R190CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V | auf Bestellung 581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R190CFDFKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 17.5A; 151W; TO247-3; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.5A Power dissipation: 151W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | auf Bestellung 7139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R190E6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | auf Bestellung 539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R190E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190E6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R230CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R230CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650V COOLMOS CFD7A SJ POWER DEVI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R230CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R230CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R230CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R280C6 | Infineon Technologies | Description: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R280C6FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R280C6FKSA1 - IPW65R280 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R280E6 | Infineon Technologies | Description: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6 | auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R280E6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R280E6FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R280E6FKSA1 - IPW65R280E6 650V AND 700V COOLMOS N-CHA tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R310CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO247-3 CoolMOS CFD2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R310CFD | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc) | auf Bestellung 10341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R310CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 11.4A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R310CFDFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R310CFDFKSA1 - IPW65R310 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R310CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R310CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R420CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 8.7A TO247-3 CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
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| IPW65R420CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R420CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.7 A, 0.378 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.378ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R420CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R420CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R420CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R420CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R420CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R420CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R660CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 6A TO247-3 CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R660CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW65R660CFDFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R660CFDFKSA1 - IPW65R660 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 14517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R660CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 14277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R660CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V | auf Bestellung 8160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R660CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW80R280P7 | Infineon / IR | Infineon LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW80R280P7 | Infineon | auf Bestellung 75360 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPW80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPW80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW80R280P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 101W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |