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Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R155CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	8.68 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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IPW65R15OCFDAFKSA1

Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk

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IPW65R190C6

MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPW65R190C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

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IPW65R190C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

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IPW65R190C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.44 EUR
10+	5.51 EUR
100+	4.32 EUR
480+	3.61 EUR
1200+	3.36 EUR
2640+	3.14 EUR

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IPW65R190C7

Description: IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

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IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R190C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 324 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.43 EUR
10+	5.49 EUR
100+	4.32 EUR
480+	3.61 EUR
1200+	3.36 EUR
2640+	3.14 EUR

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IPW65R190C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.27 EUR
41+	5.74 EUR
100+	4.28 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

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IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.71 EUR
50+	6.51 EUR
200+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

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IPW65R190C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

auf Bestellung 227 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.4 EUR
30+	4.64 EUR
120+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R190CFD

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPW65R190CFD

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 1068-1072 Tag (e)

1+	9.67 EUR
10+	8.69 EUR
100+	6.51 EUR

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IPW65R190CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IPW65R190CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

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IPW65R190CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPW65R190CFDA

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPW65R190CFDAFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190CFDAFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R190CFDAFKSA1 - IPW65R190 600V-800V N-CHANNEL AUTOMOTIV
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

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IPW65R190CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.63 EUR
101+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

auf Bestellung 468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.21 EUR
30+	4.53 EUR
120+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190E6

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	2.05 EUR
88+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190E6

auf Bestellung 539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

160+	3.63 EUR

Mindestbestellmenge: 160 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190E6

MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190E6FKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R230CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

189+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 189 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R230CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.91 EUR
10+	5.13 EUR
100+	3.61 EUR
480+	3.01 EUR
1200+	2.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R230CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R230CFD7AXKSA1

Description: 650V COOLMOS CFD7A SJ POWER DEVI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R230CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R280C6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.47 EUR
10+	6.72 EUR
100+	5.51 EUR
240+	5.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R280C6

Description: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

auf Bestellung 466 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

194+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 194 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

226+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 226 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

171+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 171 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R280C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R280C6FKSA1 - IPW65R280 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 466 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

187+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 187 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R280C6FKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

226+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 226 Stücke

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IPW65R280C6FKSA1

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IPW65R280E6

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IPW65R280E6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6

auf Bestellung 363 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPW65R280E6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R280E6FKSA1 - IPW65R280E6 650V AND 700V COOLMOS N-CHA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	4.15 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

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IPW65R280E6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

170+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 170 Stücke

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IPW65R280E6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPW65R310CFD

MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO247-3 CoolMOS CFD2

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IPW65R310CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)

auf Bestellung 10341 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

219+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IPW65R310CFDAFKSA1

MOSFET N-Ch 700V 11.4A TO247-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPW65R310CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel

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IPW65R310CFDFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R310CFDFKSA1 - IPW65R310 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9448 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

211+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 211 Stücke

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IPW65R310CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 9448 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

187+	3.5 EUR
500+	3.11 EUR
1000+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 187 Stücke

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IPW65R420CFD

MOSFET N-Ch 650V 8.7A TO247-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 374-378 Tag (e)

1+	5.89 EUR
10+	4.94 EUR

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IPW65R420CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPW65R420CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R420CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.7 A, 0.378 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.378ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	7.68 EUR
48+	4.86 EUR
100+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

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IPW65R420CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

213+	3.07 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 213 Stücke

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IPW65R420CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPW65R420CFDFKSA2

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R420CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.83 EUR
30+	3.71 EUR
120+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R420CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPW65R660CFD

MOSFET N-Ch 650V 6A TO247-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R660CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R660CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

257+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 257 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R660CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V

auf Bestellung 8160 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

302+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 302 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R660CFDFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R660CFDFKSA1 - IPW65R660 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 14517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

290+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 290 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R660CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14277 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

257+	2.55 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	2.03 EUR
10000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 257 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R280P7

auf Bestellung 75360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R280P7

Infineon / IR

Infineon LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R280P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R280P7XKSA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.58 EUR
10+	2.76 EUR
480+	2.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R280P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 252 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.69 EUR
30+	3.57 EUR
120+	3.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R280P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.29 EUR
48+	4.89 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R280P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R290C3A

Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R290C3A

MOSFET AUTOMOTIVE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R290C3AFKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R290C3AFKSA1

Description: MOSFET N-CH 800V TO247
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPW80R290C3AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

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IPW80R290C3AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.38 EUR
30+	7.13 EUR
120+	5.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R360P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	7.57 EUR
100+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R360P7XKSA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

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IPW80R360P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V

auf Bestellung 711 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.91 EUR
30+	3.77 EUR
120+	3.07 EUR
510+	2.57 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPW90R120C3
Produktcode: 60746

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IPW90R120C3

MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3

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IPW90R120C3

Транзистори

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IPW90R120C3

Description: INFINEON - IPW90R120C3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 36
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 417
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 417
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IPW90R120C3

Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW90R120C3

Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 270mOhm; 36A; 417W; -55°C ~ 150°C; IPW90R120C3FKSA1 IPW90R120C3 TIPW90r120c3
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IPW90R120C3FKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

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