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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RD3A2BY100J-T1
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RD3A2BY433G
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RD3A2BY561J-T2
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RD3A2BY683J-T2
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RD3A2BY752J-T1TAIYO99+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3A2BY911J
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3A2BY911J-T1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3A2BY912J-T2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3CYD08CMB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3CYD08CME
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3CYD08VSERENESAS05+
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3CYDT08CMH1
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3E04BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 P-CH 30V 40A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3E07BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.62 EUR
100+1.82 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.3 EUR
2500+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3E07BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3E07BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
79+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3E08BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3E08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.29 EUR
51+4.62 EUR
100+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3E08BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3E08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3E08BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 P-CH 30V 80A
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+4.05 EUR
100+3.09 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.49 EUR
2500+2.12 EUR
5000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
100+2.34 EUR
161+1.33 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.08 EUR
250+1.02 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 P-CH 40V 10A
auf Bestellung 21872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.84 EUR
10+1.86 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
11+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
161+1.33 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.19 EUR
250+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 1386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.32 EUR
100+1.63 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
119+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BATTL1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C; RD3G03BATTL1 TRD3G03BATTL1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
81+2.88 EUR
119+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
auf Bestellung 4368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.55 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 35A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 4898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.51 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+3 EUR
100+2.4 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G04BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.01 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G04BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 N-CH 40V 40A
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.49 EUR
100+2.34 EUR
250+2.2 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.75 EUR
66+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 10508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+3.89 EUR
100+2.68 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.12 EUR
2500+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
auf Bestellung 7763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.07 EUR
10+3.95 EUR
100+2.74 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.96 EUR
65+2.67 EUR
100+2.11 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.96 EUR
65+2.61 EUR
100+2.02 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.68 EUR
58+4.01 EUR
100+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 101W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.87 EUR
5000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.07 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs RD3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 122-126 Tag (e)
1+6.97 EUR
10+4.88 EUR
100+3.42 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.59 EUR
2500+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
10+4.09 EUR
100+3.12 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G08BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3G08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.47 EUR
52+4.52 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.06 EUR
52+3.32 EUR
100+2.74 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3G08BBJHRBTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
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