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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF24ER4R7KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 4.7 10% ER e3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER4R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH
Current Rating (Amps): 530 mA
Inductance: 4.7 µH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 45MHz
Q @ Freq: 40 @ 7.96MHz
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER560JVishay / DaleRF inductors - Leaded
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER561JVishay DaleDescription: INDUCT WW SNGL COIL MISC
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 19.5Ohm Max
Q @ Freq: 60 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 2.35MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Supplier Device Package: Axial
Inductance: 561 µH
Current Rating (Amps): 85 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER5R6KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 5.6 10% ER e3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 500MA 400MOHM TH
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
Current Rating (Amps): 500 mA
Inductance: 5.6 µH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Q @ Freq: 40 @ 7.96MHz
DC Resistance (DCR): 400mOhm Max
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER5R6KVishayRF Choke Wirewound 5.6uH 10% 7.96MHz 40Q-Factor Ferrite 500mA 400mOhm DCR AXL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER680KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 68 10% ER e3
auf Bestellung 4955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
10+0.4 EUR
25+0.37 EUR
100+0.29 EUR
250+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Current Rating (Amps): 185 mA
Inductance: 68 µH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 6.5MHz
Q @ Freq: 50 @ 2.52MHz
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER681KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 680 10% ER e3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER681KVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 20 OHM TH
Current Rating (Amps): 75 mA
Inductance: 680 µH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Q @ Freq: 60 @ 796kHz
DC Resistance (DCR): 20Ohm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER820KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 82 10% ER E3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Current Rating (Amps): 175 mA
Inductance: 82 µH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 6MHz
Q @ Freq: 50 @ 2.52MHz
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
Shielding: Unshielded
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ER821JVishay / DaleRF inductors - Leaded
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ERR10MVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 .1 20% ER e3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ERR10MVishay DaleDescription: FIXED IND 100NH 1.4A 85 MOHM TH
Current Rating (Amps): 1.4 A
Inductance: 100 nH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 280MHz
Q @ Freq: 30 @ 25.2MHz
DC Resistance (DCR): 85mOhm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±20%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ERR12MVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 .12 20% ER e3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ERR12MVishay DaleDescription: FIXED IND 120NH 1.35A 85 MOHM TH
Inductance: 120 nH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 280MHz
Q @ Freq: 30 @ 25.2MHz
DC Resistance (DCR): 85mOhm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±20%
Current Rating (Amps): 1.35 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ERR56MVishay DaleDescription: FIXED IND 560NH 950MA 170MOHM TH
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Q @ Freq: 40 @ 25.2MHz
DC Resistance (DCR): 170mOhm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±20%
Current Rating (Amps): 950 mA
Inductance: 560 nH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF24ERR56MVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 .56 20% ER e3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250Semelab / TT ElectronicsMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250MOTOROLA
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250International RectifierTO-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250MEXMOT9418+ DIP-2
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250N
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250NPBFir09= QFN
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+19.27 EUR
25+9.77 EUR
50+9.19 EUR
100+8.69 EUR
250+8.29 EUR
500+7.94 EUR
1000+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+7.9 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224INFINEONDescription: INFINEON - IRF250P224 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 128 A, 0.012 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+17.89 EUR
14+16.33 EUR
50+9.91 EUR
100+8.38 EUR
250+8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.22 EUR
10+16.51 EUR
25+10.95 EUR
100+9.26 EUR
400+9.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224
Produktcode: 177313
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.99 EUR
50+14.59 EUR
100+9.04 EUR
200+7.45 EUR
400+6.91 EUR
800+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9915 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+7.91 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.61 EUR
10+10.41 EUR
25+7.75 EUR
400+7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225International RectifierN-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+18.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 69A TO247AC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4897 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+7.7 EUR
100+7.2 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225INFINEONDescription: INFINEON - IRF250P225 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.018 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.31 EUR
18+13.36 EUR
21+10.69 EUR
50+7.22 EUR
100+7.15 EUR
250+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2526IR01+
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF253International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF260N
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF260N (Transistor)
Produktcode: 47822
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804 PBF
Produktcode: 23326
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.33 EUR
10+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LIR
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.08 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.21 EUR
10+5.38 EUR
100+4.02 EUR
500+3.5 EUR
1000+2.95 EUR
2000+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
161+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate charge: 160nC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.87 EUR
35+2.45 EUR
50+2.05 EUR
100+1.89 EUR
250+1.69 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.82 EUR
50+4.57 EUR
100+4.32 EUR
250+4.09 EUR
500+3.93 EUR
1000+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 3497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+3.12 EUR
100+2.28 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.07 EUR
5000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
10+3.09 EUR
50+2.36 EUR
100+2.12 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.98 EUR
78+2.21 EUR
100+1.81 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
318+2.06 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.34 EUR
67+3.47 EUR
100+2.76 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.89 EUR
79+2.14 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
78+2.2 EUR
100+1.92 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 75 А, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6450 @ 25, Qg, нКл = 240 @ 10 В, Rds = 2,3 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.17 EUR
94+1.78 EUR
102+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.98 EUR
78+2.15 EUR
100+1.74 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804S
Produktcode: 99462
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,0 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.33 EUR
10+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804S-7PIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804S-7P
Produktcode: 99463
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK-7 (TO-263-7)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 160 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6930/170
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.95 EUR
10+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804S-7PPBFInternational RectifierD2PAK-7 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804S-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804S-7PPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 170nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804SPBFInternational RectifierTO-263 (D2Pak) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 160nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804SPBFIRF2804S Транзисторы Прочие
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804SPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
43+5.45 EUR
100+3.81 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.06 EUR
40+4.37 EUR
48+3.56 EUR
100+2.93 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL7PPInfineonN-Channel 40 V 160A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.81 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.02 EUR
40+4.25 EUR
48+3.4 EUR
100+2.75 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF2804STRLPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
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