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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF250MEXMOT9418+ DIP-2
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250N
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250NPBFir09= QFN
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.47 EUR
10+13.87 EUR
25+9.2 EUR
100+7.78 EUR
400+7.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224
Produktcode: 177313
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.6 EUR
50+12.26 EUR
100+7.6 EUR
200+6.26 EUR
400+5.81 EUR
800+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224INFINEONDescription: INFINEON - IRF250P224 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 128 A, 0.012 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+16.19 EUR
25+8.21 EUR
50+7.72 EUR
100+7.3 EUR
250+6.97 EUR
500+6.67 EUR
1000+6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9915 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.13 EUR
25+8.37 EUR
100+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 68A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 68A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P224International Rectifier HiRel ProductsIRF250P224
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+8.15 EUR
100+7.64 EUR
500+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+11.2 EUR
50+10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 69A TO247AC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4897 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225International RectifierN-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+6.47 EUR
100+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.44 EUR
10+8.75 EUR
25+6.51 EUR
400+5.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF250P225INFINEONDescription: INFINEON - IRF250P225 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.018 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2526IR01+
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF253International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF260N
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF260N(Transistor)
Produktcode: 47822
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804 PBF
Produktcode: 23326
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 6450/160
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.96 EUR
10+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LIR
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.9 EUR
10+4.52 EUR
100+3.38 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.48 EUR
2000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.92 EUR
81+1.76 EUR
100+1.68 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.66 EUR
93+1.56 EUR
100+1.51 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.05 EUR
50+3.84 EUR
100+3.63 EUR
250+3.44 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.25 EUR
35+2.06 EUR
50+1.72 EUR
100+1.59 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 75 А, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6450 @ 25, Qg, нКл = 240 @ 10 В, Rds = 2,3 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.91 EUR
81+1.79 EUR
100+1.74 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.48 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.12 EUR
50+2.56 EUR
100+2.31 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 3627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+3.73 EUR
100+2.62 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.02 EUR
2000+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.05 EUR
78+1.87 EUR
100+1.81 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.66 EUR
93+1.52 EUR
100+1.45 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804S
Produktcode: 99462
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 2.0 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6450/160
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.96 EUR
10+1.68 EUR
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IRF2804S-7P
Produktcode: 99463
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak-7 (TO-263-7)
Uds,V: 40
Idd,A: 160
Rds(on), Ohm: 1.6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6930/170
JHGF: SMD
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IRF2804S-7PIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2804S-7PPBFInternational RectifierD2PAK-7 Транзистори
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IRF2804S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2804S-7PPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 170nC
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IRF2804S-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRF2804SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2804SPBFInternational RectifierTO-263 (D2Pak) Транзистори
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IRF2804SPBFIRF2804S Транзисторы Прочие
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRF2804SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2804SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 160nC
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IRF2804SPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2804STRL
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2804STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF2804STRLInfineon / IRMOSFETs
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IRF2804STRL-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg
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IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2804STRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF2804STRL7PPInfineonN-Channel 40 V 160A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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IRF2804STRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2804STRL7PPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.59 EUR
1600+1.52 EUR
2400+1.45 EUR
4000+1.38 EUR
5600+1.31 EUR
8000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF2804STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.7 EUR
29+2.47 EUR
33+2.23 EUR
50+1.94 EUR
100+1.76 EUR
200+1.62 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.86 EUR
10+3.82 EUR
100+2.66 EUR
500+2.11 EUR
800+1.95 EUR
2400+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.44 EUR
10+3.55 EUR
100+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRR7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF2804STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.41 EUR
10+5.51 EUR
100+4.12 EUR
500+3.45 EUR
800+3.19 EUR
2400+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2804STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
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IRF2805
Produktcode: 4025
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF2805International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
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IRF2805IR09+ SMD
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IRF2805LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 135A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF2805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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65+2.26 EUR
66+2.16 EUR
100+1.74 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.21 EUR
5000+1.14 EUR
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IRF2805PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
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IRF2805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2805PBF
Produktcode: 186509
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IRF2805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2805PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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32+2.3 EUR
59+1.23 EUR
61+1.17 EUR
64+1.13 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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