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Privatkunde

NSVMMBT5087LT3G

Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5088LT3G

Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5088LT3G

Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5088LT3G

Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 LN XSTR NPN 35V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401LT3G

Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW

auf Bestellung 3550 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

56+	0.38 EUR
94+	0.23 EUR
151+	0.14 EUR
500+	0.1 EUR
1000+	0.089 EUR
2000+	0.079 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401LT3G

Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR PNP 150V

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	0.36 EUR
16+	0.21 EUR
100+	0.13 EUR
500+	0.1 EUR
1000+	0.077 EUR
5000+	0.067 EUR
10000+	0.057 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401LT3G

Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401M3T5G

Bipolar Transistors - BJT 150 V, 60 mA

auf Bestellung 6758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.52 EUR
11+	0.32 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
5000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401M3T5G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.06A; 0.25W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT723
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401M3T5G

Description: TRANS PNP 150V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 130 mW

auf Bestellung 3454 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

40+	0.52 EUR
64+	0.33 EUR
102+	0.2 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.13 EUR
2000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401M3T5G

Description: TRANS PNP 150V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 130 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401WT1G

Description: ONSEMI - NSVMMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401WT1G

Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	0.55 EUR
63+	0.33 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401WT1G

Bipolar Transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRA

auf Bestellung 5778 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.54 EUR
11+	0.33 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.1 EUR
6000+	0.094 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401WT1G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5401WT1G

Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5550LT1G

Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5550LT1G

Bipolar Transistors - BJT High Voltage NPN Bipolar Transistor

auf Bestellung 29773 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.42 EUR
12+	0.29 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.11 EUR
9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5550LT1G

Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2538 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	0.42 EUR
72+	0.3 EUR
117+	0.18 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5551M3T5G

Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5551M3T5G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.06A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5551M3T5G

Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS

auf Bestellung 11108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.54 EUR
11+	0.33 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.12 EUR
8000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT5551M3T5G

Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4704 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	0.55 EUR
63+	0.33 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.14 EUR
2000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT589LT1G

Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW

auf Bestellung 2613 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.7 EUR
20+	1.05 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT589LT1G

ON Semiconductor

auf Bestellung 2857 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT589LT1G

Bipolar Transistors - BJT SS LS XSTR PNP 50V

auf Bestellung 621 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.89 EUR
10+	1.27 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT589LT1G

Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT589LT1G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT6429LT1G

Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Trnsistr

auf Bestellung 7654 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.56 EUR
10+	0.35 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT6429LT1G

Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

38+	0.57 EUR
61+	0.35 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT6429LT1G

Description: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.62 EUR
622+	0.37 EUR
1370+	0.15 EUR
1516+	0.14 EUR
1695+	0.13 EUR
5000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT6429LT1G

Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT6429LT1G

Description: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

338+	0.74 EUR
547+	0.43 EUR
863+	0.25 EUR
1177+	0.18 EUR
1417+	0.15 EUR
5000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 338 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT6517LT1G

ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT6520LT1G

Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 6379 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.27 EUR
27+	0.8 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT6520LT1G

Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBT6520LT1G

Bipolar Transistors - BJT High Voltage PNP Bipolar Transistor

auf Bestellung 2662 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.86 EUR
10+	0.73 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTA05LT1G

Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR NPN

auf Bestellung 8207 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.43 EUR
100+	0.26 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTA05LT1G

Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW

auf Bestellung 1497 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.69 EUR
50+	0.42 EUR
100+	0.26 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTA05LT1G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTA05LT1G

Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTA28LT1G

Description: NPN DARLINGTON TRANSISTOR 80V AE
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 125MHz
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH10LT1G

Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1332 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1332 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH10LT1G

Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active

auf Bestellung 11713 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

46+	0.46 EUR
65+	0.32 EUR
74+	0.29 EUR
100+	0.25 EUR
250+	0.23 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH10LT1G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 0.3W; SOT23; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH10LT1G

Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH10LT1G

ON Semiconductor

Trans RF BJT NPN 25V 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH10LT1G

Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1332 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1332 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH10LT1G

RF Bipolar Transistors SS VHF XSTR SPCL TR

auf Bestellung 2743 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	0.46 EUR
12+	0.29 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH81LT1G

ON Semiconductor

50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH81LT1G

Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23

auf Bestellung 5512 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.69 EUR
45+	0.46 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH81LT1G

Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH81LT1G

Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 600MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 225mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH81LT1G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; RF; 20V; 0.05A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH81LT3G

Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH81LT3G

ON Semiconductor

50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH81LT3G

Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active

auf Bestellung 3765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

38+	0.57 EUR
60+	0.36 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.14 EUR
2000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH81LT3G

ON Semiconductor

50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor

auf Bestellung 190000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMBTH81LT3G

Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2112LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2112LT1G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 22kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2112LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2112LT1G

Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR PNP 50V

auf Bestellung 2622 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.39 EUR
15+	0.23 EUR
100+	0.13 EUR
500+	0.099 EUR
1000+	0.086 EUR
3000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2112LT1G

ON Semiconductor

Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2113LT3G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2113LT3G

ON Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 BR XSTR PNP 50V

auf Bestellung 746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2114LT3G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2114LT3G

Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR PNP

auf Bestellung 18531 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.7 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.15 EUR
2500+	0.13 EUR
5000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2130LT1G

Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR PNP 50V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2131LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

67+	0.31 EUR
108+	0.19 EUR
176+	0.12 EUR
500+	0.087 EUR
1000+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2131LT1G

Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR PNP 50V

auf Bestellung 1974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	0.35 EUR
20+	0.18 EUR
100+	0.077 EUR
1000+	0.067 EUR
3000+	0.052 EUR
9000+	0.042 EUR
24000+	0.039 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2131LT1G

Description: ONSEMI - NSVMMUN2131LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2131LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.063 EUR
6000+	0.056 EUR
9000+	0.052 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2132LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V

auf Bestellung 8836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.61 EUR
51+	0.42 EUR
104+	0.2 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2132LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.1 EUR
6000+	0.094 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2132LT1G

Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V

auf Bestellung 6725 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	0.35 EUR
17+	0.2 EUR
100+	0.13 EUR
500+	0.092 EUR
1000+	0.067 EUR
3000+	0.058 EUR
6000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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NSVMMUN2132LT1G

auf Bestellung 49948 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2132LT1G-M01

Description: NSVMMUN2132LT1G-M01
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2132LT1G-M01

Description: MMUN2132L - NSVMMUN2132 - DIGITA
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8987+	0.063 EUR

Mindestbestellmenge: 8987 Stücke

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NSVMMUN2133LT1G

ON Semiconductor

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 14745 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

327+	0.54 EUR
435+	0.38 EUR
444+	0.37 EUR
925+	0.17 EUR
933+	0.15 EUR
1114+	0.13 EUR
1713+	0.08 EUR
3000+	0.065 EUR
6000+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 327 Stücke

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NSVMMUN2133LT1G

Digital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)

auf Bestellung 33310 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	0.29 EUR
18+	0.19 EUR
100+	0.12 EUR
500+	0.08 EUR
1000+	0.075 EUR
3000+	0.058 EUR
6000+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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NSVMMUN2133LT1G

ON Semiconductor

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 30000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2133LT1G

Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 5182 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

953+	0.26 EUR
1334+	0.18 EUR
2632+	0.081 EUR
2858+	0.075 EUR
3031+	0.07 EUR
5000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 953 Stücke

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NSVMMUN2133LT1G

ON Semiconductor

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 30000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2133LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 31472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

100+	0.21 EUR
143+	0.14 EUR
215+	0.098 EUR
500+	0.074 EUR
1000+	0.067 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2133LT1G

ON Semiconductor

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2133LT1G

Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

700+	0.36 EUR
1103+	0.21 EUR
1611+	0.13 EUR
2228+	0.096 EUR
3077+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2133LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.056 EUR
6000+	0.05 EUR
9000+	0.048 EUR
15000+	0.044 EUR
21000+	0.042 EUR
30000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2135LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.1 EUR
6000+	0.098 EUR
9000+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2135LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

34+	0.63 EUR
49+	0.43 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2135LT1G

Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSIST

auf Bestellung 19864 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	0.32 EUR
18+	0.19 EUR
100+	0.13 EUR
500+	0.088 EUR
1000+	0.077 EUR
3000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2136LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.065 EUR
6000+	0.058 EUR
9000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2136LT1G

Digital Transistors SS SOT23 PNP DIGITA L TRAN

auf Bestellung 67855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	0.31 EUR
19+	0.18 EUR
100+	0.12 EUR
500+	0.083 EUR
1000+	0.063 EUR
3000+	0.046 EUR
9000+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2136LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14895 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

63+	0.33 EUR
104+	0.2 EUR
167+	0.13 EUR
500+	0.092 EUR
1000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2137LT1G

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 9000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2137LT1G

Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 111000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8715+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 8715 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2137LT1G

Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2138LT1G

Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT)

auf Bestellung 14797 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.39 EUR
15+	0.23 EUR
100+	0.13 EUR
500+	0.099 EUR
1000+	0.086 EUR
3000+	0.074 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2212LT1G

Description: ONSEMI - NSVMMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5910 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

618+	0.4 EUR
926+	0.25 EUR
1502+	0.14 EUR
1632+	0.13 EUR
2198+	0.098 EUR
5000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 618 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSVMMUN2212LT1G

Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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