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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHFBE30STRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SIHFBE30STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 800V 4.1A N-CH MOSFET
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SIHFBF20L-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHFBF20S-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHFBF20S-GE3Vishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
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SIHFBF20STRL-GE3Vishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
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SIHFBF20STRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIHFBF30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHFBF30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.01 EUR
10+3.22 EUR
100+2.21 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SIHFBF30S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.47 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
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SiHFBG30-E3Vishay SiliconixSiHFBG30-E3 IRFBG30PBF MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB Транзистори
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SIHFC13M Electronic SpecialtyWire Identification SLEEVE 20MM 240/BOX
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SIHFC9640DWFVishay / SiliconixMOSFET
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SiHFD014Vishay SiliconixSiHFD014 IRFD014 Транзистори
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SIHFD120Vishay SiliconixSiHFD120 IRFD120 Транзистори
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SIHFD120
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD120-E3
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD120-E3VishayMOSFETs
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SIHFD120-E3Vishay SiliconixSiHFD120-E3 100 В 1.3 А (HVMDIP) DIP-4 Транзистори
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SIHFD121
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD121-E3
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD122
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD122-E3
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD123Vishay SiliconixSiHFD123 IRFD123 Транзистори
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SIHFD123
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD123-E3Vishay SiliconixSiHFD123-E3 IRFD123PBF Транзистори
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SIHFD123-E3
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD420-E3VishayMOSFET
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SiHFD9014Vishay SiliconixSiHFD9014 IRFD9014 P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Транзистори
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SIHFD9014-E3Vishay SiliconixSiHFD9014-E3 -60 В -1.1 А (HVMDIP) P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.08 EUR
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SIHFD9014-E3VishayMOSFET
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SIHFD9120-E3VishayVishay
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SiHFD9210-E3Vishay SiliconixSiHFD9210-E3 IRFD9210PBF P-Channel 200 V 0.4 A DIP-4 Транзистори
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SiHFI640GVishay SiliconixSiHFI640G IRFI640G (N-CH U=200B, I=9,8A TO-220) Транзистори
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SiHFI640G-E3Vishay SiliconixSiHFI640G-E3 IRFI640GPBF (N-CH U=200V, I=9,8A TO-220-ISO) Транзистори
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SiHFI740G-E3Vishay SiliconixSiHFI740G-E3 IRFI740GPBF MOSFET N-Ch 400V 5.4A TO-220 Транзистори
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SiHFI9530G-E3Vishay SiliconixSiHFI9530G-E3 IRFI9530GPBF TO-220, 100V Single P-Channel Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFI9Z34G-E3Vishay SiliconixSiHFI9Z34G-E3 IRFI9Z34GPBF MOSFET, P-CH, 60V, 12A, TO-220FP Транзистори
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SIHFIB11N50A-E3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFIB16N50K-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V 6.7A 45W 350mohm @ 10V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHFIB9N60A-E3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFIB9N65A-E3
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFIB9N6A-E3
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFL014
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SiHFL014-E3Vishay SiliconixSiHFL014-E3 IRFL014PBF HEXFET N-CH 60 V 2.7 A 200 mOm SOT-223 Транзистори
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SIHFL014NT-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFL014T-E3Vishay SiliconixSiHFL014T-E3 IRFL014TRPBF HEXFET N-CH 60 V 2.7 A 200 mOm SOT-223 Транзистори
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SIHFL014T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFL014TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SIHFL014TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.08 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL024T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL024ZT-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFL110
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL110T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFL110TR-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHFL110TR-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SIHFL110TR-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL110TR-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
50+0.79 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL110TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL110TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL110TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL210
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL210T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL210TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 4797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.11 EUR
50+0.82 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL210TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 200V .96A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.61 EUR
10+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL210TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL214
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL214T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL4105T-E3
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL4310T-E3
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL5505T-E3
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9014Vishay SiliconixSiHFL9014 IRFL9014 MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9014
auf Bestellung 15000 Stücke:
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SiHFL9014-E3Vishay SiliconixSiHFL9014-E3 IRFL9014PBF MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223 Транзистори
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SIHFL9014T-E3
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SIHFL9014T-E3VishayMOSFETs
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SIHFL9014TR-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFL9014TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
148+1.57 EUR
220+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIHFL9014TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 4076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
50+1.05 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SIHFL9014TR-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SIHFL9014TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-223
auf Bestellung 2351 Stücke:
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2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFL9014TR-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFL9014TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
148+1.57 EUR
220+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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SIHFL9014TR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SIHFL9014TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SIHFL9014TR-GE3Vishay SiliconixSIHFL9014TR-GE3 -60 В -1.8 А (SOT-223) MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223 Транзистори
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SIHFL9110
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SIHFL9110T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
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SIHFL9110TR-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.69A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -8.8A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SIHFL9110TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-223
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2+1.65 EUR
10+0.76 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFL9110TR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SIHFL9110TR-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFL9110TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
207+1.12 EUR
234+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 17359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
50+0.87 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9110TR-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFL9110TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 1724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
207+1.12 EUR
234+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL9110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.48 EUR
7500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFP240Vishay SiliconixSiHFP240 IRFP244PBF Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 15A; 150W; TO247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFP240Vishay SiliconixSiHFP240 IRFP240 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFP240-E3Vishay SiliconixSiHFP240-E3 IRFP240PBF MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFP31N50L-E3Vishay SiliconixSiHFP31N50L-E3 IRFP31N50LPBF Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A),TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFP360Vishay SiliconixSiHFP360 IRFP360 TO-247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH