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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STW434015STATICTECCategory: ESD Workstations
Description: Mat: table set; ESD; L: 0.9m; W: 0.6m; Thk: 2mm; blue (dark)
Type of mat: table set
Version: ESD
Length: 0.9m
Width: 0.6m
Thickness: 2mm
Colour: blue (dark)
Kit contents: antistatic mat; cable for wirstband; ESD wirstband; ground cord; grounding plug
Mat features: consist of two rubber layers: dispersing and electric charges conducting; fitted with four 10mm male press studs
Related items: PRT-STW2210; PRT-STW2220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW434020STATICTECCategory: ESD Bench Mats
Description: Mat: bench; ESD; blue (dark); L: 0.6m; Width: 0.6m; Thick: 2mm
Related items: PRT-STW1100; PRT-STW1110; PRT-STW1120; PRT-STW1130; PRT-STW1160; PRT-STW1200; PRT-STW1220; PRT-STW1300; PRT-STW1310; PRT-STW1320; PRT-STW1330; PRT-STW2100; PRT-STW2110
Type of mat: bench
Colour: blue (dark)
Version: ESD
Length: 0.6m
Kit contents: antistatic mat; ground cord
Thickness: 2mm
Width: 0.6m
Mat features: consist of two rubber layers: dispersing and electric charges conducting; fitted with two 10mm male press studs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.41 EUR
30+8.96 EUR
60+8.19 EUR
120+7.53 EUR
510+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.49 EUR
10+8.23 EUR
100+7.58 EUR
600+7.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43NM50STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 37A TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600V Power MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43NM60N
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600V, 35A FDMesh II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43NM60NDSTMMOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+12.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW43NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 35A; 255W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 25V
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4511BH)/HFST-Ericsson IncDescription: IC PMU 7CH I2C 64TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4511BH)T/HFST-Ericsson IncDescription: IC PMU 7CH I2C 64TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM2AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM2
Drain current: 21A
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.9 EUR
11+8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+8.88 EUR
100+7.6 EUR
600+6.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.04 EUR
30+9.35 EUR
60+8.56 EUR
120+7.88 EUR
510+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM6
Produktcode: 168776
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM6
Drain current: 19A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW45N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.92 EUR
13+18.27 EUR
15+14.84 EUR
50+13.49 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMMOSFET N-Ch, Metal Oxide, 650V, 35A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.06 EUR
30+10 EUR
60+9.15 EUR
120+8.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.53 EUR
25+7.07 EUR
50+6.74 EUR
100+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.86 EUR
10+10.06 EUR
100+8.51 EUR
600+7.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.17 EUR
13+18.86 EUR
15+14.97 EUR
50+13.6 EUR
100+12.47 EUR
250+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.66 EUR
50+7.18 EUR
100+6.85 EUR
200+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.76 EUR
25+7.38 EUR
50+7.14 EUR
100+7 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.67 EUR
16+10.96 EUR
25+10.54 EUR
60+8.82 EUR
120+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW45NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 45 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.74 EUR
10+23.72 EUR
13+16.55 EUR
50+15.72 EUR
100+13.52 EUR
250+13.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50
Produktcode: 73997
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.09 EUR
6+14.4 EUR
10+12.86 EUR
30+10.82 EUR
60+9.94 EUR
120+9.33 EUR
150+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.7 EUR
16+11.22 EUR
25+10.97 EUR
60+9.33 EUR
120+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.12 EUR
30+16.49 EUR
120+14.16 EUR
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STW45NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 45 Amp
auf Bestellung 2322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.6 EUR
10+16.18 EUR
100+13.91 EUR
1200+13.14 EUR
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STW45NM50FDSTMMOSFET 500V 45A 0.07Om TO-247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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STW45NM50FDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 45 Amp FDMesh
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50FD/ST
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.97 EUR
8+11.44 EUR
10+10.14 EUR
30+8.59 EUR
60+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.33 EUR
18+9.9 EUR
100+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 Volt 45 Amp
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.7 EUR
10+15.84 EUR
100+14.72 EUR
600+14.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 540 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMMOSFET N-Ch 650V 45A TO-247-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
540+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 540 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.36 EUR
18+9.72 EUR
100+8.64 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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STW45NM60
Produktcode: 42906
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STN-MOSFET 45A 650V 417W STW45NM60 TSTW45NM60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+23.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.06 EUR
30+17.06 EUR
60+15.76 EUR
120+14.66 EUR
510+13.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60DSTMicroelectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW46NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW46NF30STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 300 V 0.063 Ohm 42 A STripFET(TM)
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.25 EUR
10+4.57 EUR
100+3.75 EUR
600+3.17 EUR
1200+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW46NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
30+4.26 EUR
120+3.5 EUR
510+2.94 EUR
1020+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW46NF30STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 27A; Idm: 168A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW46NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW47NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW47NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 35A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW47NM60NDSTMMOSFET N-CH 600V 35A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW47NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4810C
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4810CHDR/LF
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4810CHDT/LF
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4810CRAE/LFST-Ericsson IncDescription: IC PWR MNGMNT MULTIMEDIA 84VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3456 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4810CRAT/LFST-Ericsson IncDescription: IC PWR MNGMNT MULTIMEDIA 84VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4811MBHD
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4811MBHD/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4811MBHDT/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4811MBRA/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3456 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4811MBRAT/HFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4811NBHD/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4811NBHDT/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4811NBRA/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3456 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 100 V
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.65 EUR
30+7.19 EUR
60+6.53 EUR
120+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.9 EUR
10+7.25 EUR
100+5.76 EUR
600+5.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.94 EUR
10+5.62 EUR
100+5.13 EUR
600+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.64 EUR
31+5.45 EUR
100+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.81 EUR
14+6.34 EUR
15+5.97 EUR
17+5.31 EUR
30+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.64 EUR
31+5.58 EUR
100+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.89 EUR
30+6.14 EUR
60+5.58 EUR
120+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW48N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.89 EUR
14+16.95 EUR
16+13.76 EUR
50+12.51 EUR
100+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.56 EUR
30+9.66 EUR
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STW48N60M2-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
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STW48N60M2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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STW48N60M2-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: MDmesh™ M2
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 60mΩ
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STW48N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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