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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STW45N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW45N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.49 EUR
15+15.85 EUR
18+12.13 EUR
50+10.86 EUR
100+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.42 EUR
30+9.58 EUR
120+8.07 EUR
510+6.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMMOSFET N-Ch, Metal Oxide, 650V, 35A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.96 EUR
25+7.54 EUR
50+7.31 EUR
100+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.86 EUR
10+10.06 EUR
100+8.51 EUR
600+7.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.89 EUR
13+18.27 EUR
15+14.83 EUR
50+13.47 EUR
100+12.34 EUR
250+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.47 EUR
30+10.23 EUR
120+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.73 EUR
25+7.24 EUR
50+6.89 EUR
100+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.87 EUR
50+7.34 EUR
100+7.02 EUR
200+6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW45NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 45 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.24 EUR
10+23.48 EUR
13+16.55 EUR
50+15.72 EUR
100+14.03 EUR
250+13.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.12 EUR
30+16.49 EUR
120+14.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.01 EUR
16+11.21 EUR
25+10.79 EUR
60+9.02 EUR
120+8.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 45 Amp
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.6 EUR
10+16.18 EUR
100+13.91 EUR
1200+13.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.09 EUR
6+14.4 EUR
10+12.86 EUR
30+10.82 EUR
60+9.94 EUR
120+9.33 EUR
150+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50
Produktcode: 73997
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8542 39 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.04 EUR
16+11.48 EUR
25+11.23 EUR
60+9.54 EUR
120+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50Microchip / Microsemi
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50FDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 45 Amp FDMesh
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50FDSTMMOSFET 500V 45A 0.07Om TO-247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM50FD/ST
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STN-MOSFET 45A 650V 417W STW45NM60 TSTW45NM60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+24.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.73 EUR
15+11.86 EUR
100+11.15 EUR
600+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.97 EUR
8+11.44 EUR
10+10.14 EUR
30+8.59 EUR
60+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60
Produktcode: 42906
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.68 EUR
15+12.09 EUR
100+11.54 EUR
600+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.6 EUR
30+16.18 EUR
120+13.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMMOSFET N-Ch 650V 45A TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+12.28 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+12.28 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 Volt 45 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45NM60DSTMicroelectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW46NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW46NF30STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 27A; Idm: 168A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW46NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW46NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
30+4.26 EUR
120+3.5 EUR
510+2.94 EUR
1020+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW46NF30STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 300 V 0.063 Ohm 42 A STripFET(TM)
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.25 EUR
10+4.57 EUR
100+3.75 EUR
600+3.17 EUR
1200+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW47NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 35A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.75 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW47NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW47NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II
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STW47NM60NDSTMMOSFET N-CH 600V 35A TO-247 Транзистори
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STW4810C
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STW4810CHDR/LF
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STW4810CHDT/LF
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STW4810CRAE/LFST-Ericsson IncDescription: IC PWR MNGMNT MULTIMEDIA 84VFBGA
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STW4810CRAT/LFST-Ericsson IncDescription: IC PWR MNGMNT MULTIMEDIA 84VFBGA
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STW4811MBHD
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STW4811MBHD/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
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STW4811MBHDT/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
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STW4811MBRA/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84VFBGA
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STW4811MBRAT/HFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84VFBGA
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STW4811NBHD/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
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STW4811NBHDT/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
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 Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
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STW4811NBRA/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84VFBGA
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STW48N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.3 EUR
10+8.69 EUR
100+6.41 EUR
600+5.7 EUR
1200+5.05 EUR
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STW48N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW48N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 100 V
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.21 EUR
30+6.94 EUR
120+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW48N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW48N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.81 EUR
14+6.34 EUR
15+5.97 EUR
17+5.31 EUR
30+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.27 EUR
27+6.66 EUR
50+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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STW48N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW48N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.72 EUR
21+11.3 EUR
22+9.94 EUR
50+9.47 EUR
100+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STW48N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.94 EUR
10+6.18 EUR
100+5.13 EUR
600+4.8 EUR
1200+4.06 EUR
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STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.14 EUR
30+6.3 EUR
120+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW48N60M2-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.54 EUR
30+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW48N60M2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M2-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW48N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 39A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 19.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW48N60M6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.8 EUR
10+12.17 EUR
100+10.03 EUR
600+8.73 EUR
1200+8.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 39A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 19.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48N60M6-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.83 EUR
10+10.22 EUR
100+7.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.13 EUR
26+6.87 EUR
100+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 44A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4285 pF @ 50 V
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.16 EUR
30+10.67 EUR
120+9.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.16 EUR
26+6.75 EUR
100+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48NM60NSTMMOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 28A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.45 EUR
12+7.33 EUR
30+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STW48NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.34 EUR
19+9.17 EUR
100+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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STW48NM60N
Produktcode: 59049
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 44 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4285/124
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW48NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.34 EUR
19+9.38 EUR
100+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+11.77 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4N150STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
auf Bestellung 4818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.59 EUR
16+14.71 EUR
17+13.04 EUR
50+10.44 EUR
100+9.58 EUR
250+8.83 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4N150STMTO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW4N150STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STW4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW4N150
Produktcode: 62477
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STW4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW4N150STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1500 V PowerMesh
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