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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SISNAP915EKSilicon LabsN/A N/A/-40 TO 85 OC/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR EVALUATION KIT EVALKIT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISNAP915EKSilicon LabsDescription: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA
Utilized IC / Part: Si1000
Contents: Board(s), Accessories
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s), Accessories
Type: Transceiver, Microcontroller
Frequency: 915MHz
For Use With/Related Products: Si1000
Packaging: Box
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SISP1761BENXP
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SISPM1040-3166-L-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
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SISPM1040-3166-L-BR-L1Y5LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans FIVE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
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SISPM1040-3166-L-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
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SISPM1040-3166-L-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
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SISPM1040-3166-L-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
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SISPM1040-3166-L-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
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SISPM1040-3166-L-OZLantronix, Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: Rack Mount
Voltage - Input: 100 ~ 250VAC, 52 ~ 57VDC
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 22
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP, SFP+
Copper Ports: 16
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 6
SFP/XFP Type: SFP, SFP+
PoE Ports: 16
SFP/XFP Ports: 6
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SISPM1040-3166-L-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
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SISPM1040-3166-L-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
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SISPM1040-3166-L-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
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SISPM1040-3166-L3-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3166-L3-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3166-L3-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3166-L3-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3166-L3-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3166-L3-NA-L1Y5LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans FIVE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
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SISPM1040-3166-L3-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3166-L3-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3166-L3-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3248-L-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
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SISPM1040-3248-L-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
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SISPM1040-3248-L-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
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SISPM1040-3248-L-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
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SISPM1040-3248-L-NALantronixSISPM1040-3248-L-NA
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SISPM1040-3248-L-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
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SISPM1040-3248-L-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
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SISPM1040-3248-L-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
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SISPM1040-3248-L-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
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SISPM1040-3248-L3-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3248-L3-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3248-L3-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3248-L3-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3248-L3-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4495.76 EUR
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SISPM1040-3248-L3-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3248-L3-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-3248-L3-SA-L1Y1LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans ONE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
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SISPM1040-3248-L3-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
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SISPM1040-362-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 10/100/1000Base-T w/100/
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SISPM1040-384-LRT-CLantronix, Inc.Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 44V ~ 57V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 12
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 4
SFP/XFP Type: SFP
PoE Ports: 8
SFP/XFP Ports: 4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-384-LRT-CLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial LAN SWITCH Managed Hardened PoE+ Switch (8) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000B
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2663.41 EUR
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SISPM1040-582-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE++ Switch (8) 10/100/1000Base-T PoE++ (2) 100/1000Base-X SFP
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2997.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-582-LRTLantronix, Inc.Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 52V ~ 57V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 10
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 2
SFP/XFP Type: SFP
PoE Ports: 8
SFP/XFP Ports: 2
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3009.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1242-582-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE++ Switch, 10G uplink (4) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100M/1G/2.5G PoE++ Ports, (2) 1G/10GSFP+ Slots
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3595.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISR30ST
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SISS02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS02DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 6760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 10 V
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1 EUR
176+0.95 EUR
179+0.9 EUR
182+0.86 EUR
250+0.81 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.32 EUR
6000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 3813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
auf Bestellung 7317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 9614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.18 EUR
91+2.55 EUR
250+1.57 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
11+2.07 EUR
100+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAK1212 P-CH 30V 29.4A
auf Bestellung 26898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.07 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 9614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
250+1.57 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -86.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: -20...16V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -300A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 115nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS06DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 47.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS06DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 7332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.75 EUR
100+1.36 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.94 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
auf Bestellung 13105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS06DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 47.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.9 EUR
6000+0.84 EUR
9000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS08DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
11+2.01 EUR
100+1.57 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS08DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.73 EUR
100+1.25 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.9 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS08DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-BE3VishayMOSFETs PPAK1212 N-CH 40V 31.7A
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+2.28 EUR
100+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-BE3VishayVishay 40V N-CHANNEL (D-S)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
auf Bestellung 9297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
103+2.26 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 29935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+1.82 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.65 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
auf Bestellung 9297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
103+2.26 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 10054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.12 EUR
100+1.43 EUR
500+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.9 EUR
6000+0.84 EUR
9000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SISS10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
auf Bestellung 10032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK Транзистори
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SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
auf Bestellung 5890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
100+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SISS12DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 200A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
auf Bestellung 5890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SISS12DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 3901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.62 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.11 EUR
6000+1.06 EUR
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SISS176LDN-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 70 V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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SISS176LDN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 5386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.87 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SISS178LDN-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 70 V (D-S) MOSFET
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SISS178LDN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 5930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.87 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V
auf Bestellung 5077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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