Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRF24ER4R7K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded IRF-24 4.7 10% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER4R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 530MA 350MOHM TH Current Rating (Amps): 530 mA Inductance: 4.7 µH Part Status: Active Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Material - Core: Ferrite Frequency - Self Resonant: 45MHz Q @ Freq: 40 @ 7.96MHz DC Resistance (DCR): 350mOhm Max Operating Temperature: -20°C ~ 105°C Shielding: Unshielded Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm) Package / Case: Axial Tolerance: ±10% | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER560J | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER561J | Vishay Dale | Description: INDUCT WW SNGL COIL MISC Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Type: Wirewound Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 19.5Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 796kHz Frequency - Self Resonant: 2.35MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 796 kHz Supplier Device Package: Axial Inductance: 561 µH Current Rating (Amps): 85 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER5R6K | Vishay | RF Choke Wirewound 5.6uH 10% 7.96MHz 40Q-Factor Ferrite 500mA 400mOhm DCR AXL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER5R6K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded IRF-24 5.6 10% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER5R6K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 500MA 400MOHM TH Operating Temperature: -20°C ~ 105°C Shielding: Unshielded Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm) Package / Case: Axial Tolerance: ±10% Current Rating (Amps): 500 mA Inductance: 5.6 µH Part Status: Active Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Material - Core: Ferrite Frequency - Self Resonant: 40MHz Q @ Freq: 40 @ 7.96MHz DC Resistance (DCR): 400mOhm Max | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER680K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded IRF-24 68 10% ER e3 | auf Bestellung 4955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF24ER680K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH Current Rating (Amps): 185 mA Inductance: 68 µH Part Status: Active Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Material - Core: Ferrite Frequency - Self Resonant: 6.5MHz Q @ Freq: 50 @ 2.52MHz DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max Operating Temperature: -20°C ~ 105°C Shielding: Unshielded Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm) Package / Case: Axial Tolerance: ±10% | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER681K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded IRF-24 680 10% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER681K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 680UH 75MA 20 OHM TH Current Rating (Amps): 75 mA Inductance: 680 µH Part Status: Active Inductance Frequency - Test: 796 kHz Material - Core: Ferrite Frequency - Self Resonant: 2MHz Q @ Freq: 60 @ 796kHz DC Resistance (DCR): 20Ohm Max Operating Temperature: -20°C ~ 105°C Shielding: Unshielded Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm) Package / Case: Axial Tolerance: ±10% | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER820K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded IRF-24 82 10% ER E3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER820K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH Current Rating (Amps): 175 mA Inductance: 82 µH Part Status: Active Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Material - Core: Ferrite Frequency - Self Resonant: 6MHz Q @ Freq: 50 @ 2.52MHz DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max Operating Temperature: -20°C ~ 105°C Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm) Package / Case: Axial Tolerance: ±10% Shielding: Unshielded | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ER821J | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ERR10M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100NH 1.4A 85 MOHM TH Current Rating (Amps): 1.4 A Inductance: 100 nH Part Status: Active Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz Material - Core: Ferrite Frequency - Self Resonant: 280MHz Q @ Freq: 30 @ 25.2MHz DC Resistance (DCR): 85mOhm Max Operating Temperature: -20°C ~ 105°C Shielding: Unshielded Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm) Package / Case: Axial Tolerance: ±20% | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ERR10M | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded IRF-24 .1 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ERR12M | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded IRF-24 .12 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ERR12M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 120NH 1.35A 85 MOHM TH Inductance: 120 nH Part Status: Active Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz Material - Core: Ferrite Frequency - Self Resonant: 280MHz Q @ Freq: 30 @ 25.2MHz DC Resistance (DCR): 85mOhm Max Operating Temperature: -20°C ~ 105°C Shielding: Unshielded Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm) Package / Case: Axial Tolerance: ±20% Current Rating (Amps): 1.35 A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ERR56M | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded IRF-24 .56 20% ER e3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF24ERR56M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 560NH 950MA 170MOHM TH Material - Core: Ferrite Frequency - Self Resonant: 180MHz Q @ Freq: 40 @ 25.2MHz DC Resistance (DCR): 170mOhm Max Operating Temperature: -20°C ~ 105°C Shielding: Unshielded Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm) Package / Case: Axial Tolerance: ±20% Current Rating (Amps): 950 mA Inductance: 560 nH Part Status: Active Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF250 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF250 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF250 | International Rectifier | TO-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF250 | Semelab / TT Electronics | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF250 | MOTOROLA | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF250MEX | MOT | 9418+ DIP-2 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF250N | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF250NPBF | ir | 09= QFN | auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF250P224 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9915 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF250P224 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF250P224 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF250P224 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF250P224 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX OPTIMOS | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF250P224 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF250P224 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF250P224 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 128 A, 0.012 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF250P224 Produktcode: 177313
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF250P225 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF250P225 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX OPTIMOS | auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF250P225 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF250P225 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.018 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF250P225 | International Rectifier | N-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF250P225 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 69A TO247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4897 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 313W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2526 | IR | 01+ | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF253 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF260N | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF260N (Transistor) Produktcode: 47822
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2804 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF2804 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804 PBF Produktcode: 23326
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF2804L | IR | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2804LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO262 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF2804LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804LPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804LPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC | auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 75 А, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6450 @ 25, Qg, нКл = 240 @ 10 В, Rds = 2,3 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm | auf Bestellung 1116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg | auf Bestellung 3497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V | auf Bestellung 2462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2.3mΩ Gate charge: 160nC Gate-source voltage: ±20V | auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804S | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804S Produktcode: 99462
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,0 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF2804S-7P Produktcode: 99463
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK-7 (TO-263-7) Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 160 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6930/170 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF2804S-7P | IR | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2804S-7PPBF | Infineon / IR | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 170nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804S-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804S-7PPBF | International Rectifier | D2PAK-7 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804S-7PPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804SPBF | IRF2804S Транзисторы Прочие | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2804SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804SPBF | International Rectifier | TO-263 (D2Pak) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804SPBF | Infineon Technologies | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 160nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804SPBF-IR | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804STRL | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF2804STRL | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804STRL-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804STRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804STRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804STRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804STRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804STRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804STRL7PP | Infineon | N-Channel 40 V 160A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804STRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804STRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 34400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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