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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFF9213International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9213CAN
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFF9220Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9220IRTO-39
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFF9220PBFInfineon / IRMOSFET
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IRFF9220RHARRIS
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFF9221IOR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFF9221International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
194+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IRFF9221Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFF9221RHARRIS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9222Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
140+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9222IOR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9222RHARRIS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFF9223CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9230IOR
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9230Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9230Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9230PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9230RHARRIS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9231CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9231International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 3214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
70+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9232Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
185+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9232CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9233CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9233International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
185+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9310IOR
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9310RHARRIS
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9321IOR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9321RHARRIS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9322IOR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9322RHARRIS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9330IOR
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFF9330RHARRIS
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFG110Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFG4PC30FIR07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFG4PC40SIRMODULE
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFG9110IR01+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702PbFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 16A 7.1mOhm 9.6nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3600+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 7.1mOhms 9.6nC
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+1.11 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3702TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 12A 12.4mOhm 5.4nC
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707TR2PBF (Transistoren)
Produktcode: 54545
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+1.32 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.5 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.77 EUR
218+1.07 EUR
335+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC
auf Bestellung 2343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.86 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.33 EUR
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.77 EUR
218+1.07 EUR
335+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 12A PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707TRPBF
Produktcode: 158440
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4201TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4209DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 13 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4210DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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IRFH4210DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4210DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 44 A, 850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: FastIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4210DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH4210DTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4210DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4210DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4210DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 44 A, 850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 3.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4210DTRPBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4210TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRFH4210TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRFH4213DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4213DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
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IRFH4213TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4213TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
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IRFH4226TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 25V,70A 2.4 mo, 16nC,PQFN5x6
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRFH4226TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4226TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
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IRFH4226TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4234TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4234TRPBF
Produktcode: 98278
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4234TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4234TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/188A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.99 EUR
8000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4251DTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Dual N-Ch 1.10mOhm 44nC 45A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 31W, 63W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/188A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.99 EUR
8000+1.78 EUR
16000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 31W, 63W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4253DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
110+1.96 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4253DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
79+2.95 EUR
110+1.96 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
10+4.12 EUR
100+2.86 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.75 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.14 EUR
4000+2.07 EUR
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