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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK12A60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
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TK12A60U
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK12A60U (Q)ToshibaMOSFET
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TK12A60U(LS1CNO,AQToshibaToshiba
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TK12A60U(Q)
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK12A60U(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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TK12A60U(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
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TK12A60U(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 12A
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TK12A60U(S4PHIL,QMToshibaToshiba
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TK12A60U(STA4,A,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
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TK12A60U(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch DTMOS II RDS 0.36 Ohm Yfs 7.0
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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TK12A60U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
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TK12A60U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
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TK12A60U,LS1NA1Q(JToshibaToshiba
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TK12A60U,S5HILQ(JToshibaToshiba
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TK12A60U,S5Q(JToshibaToshiba
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TK12A60WToshibaToshiba
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TK12A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
50+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK12A60W,S4VX
Produktcode: 173725
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK12A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.79 EUR
10+4.25 EUR
100+3.8 EUR
500+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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TK12A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.29 EUR
50+4.71 EUR
100+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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TK12A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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TK12A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
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TK12A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
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TK12A65D
auf Bestellung 4047 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK12A65DToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A65D
Produktcode: 184921
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ToshibaTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220SIS
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 12 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,46 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2300/40
Montage: THT
auf Bestellung: 90 St.
  • 90 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.15 EUR
10+1.94 EUR
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TK12A65D(STA4,Q,M)ToshibaN-Channel MOSFET
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A65D(STA4,Q,M)ToshibaN-Channel MOSFET
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80WToshibaArray
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TK12A80W,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W
auf Bestellung 2178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.79 EUR
10+8.4 EUR
100+6.15 EUR
500+5.46 EUR
1000+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 570µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK12A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.07 EUR
37+6.33 EUR
100+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80WS4X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK12E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 12A 600V 144W 720pF 0.4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
50+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 110W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.59 EUR
38+6.18 EUR
100+3.24 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 570µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E80W,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(S1TEAL,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(S1TEKR,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(S1TET,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(STA1,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60WToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60W,S1VEToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60W,S1VE(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60WS1VQ(OToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
auf Bestellung 1887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
10+3.33 EUR
100+2.3 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.63 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50W,RQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
68+3.46 EUR
100+2.63 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50WRQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.19 EUR
10+3.37 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W,RVQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.87 EUR
10+4.5 EUR
100+3.14 EUR
500+2.56 EUR
2000+2.2 EUR
4000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 5230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.76 EUR
70+2.46 EUR
100+2.31 EUR
200+2.11 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.74 EUR
2000+1.51 EUR
4000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.47 EUR
46+5.15 EUR
100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W,RVQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W.RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 265mΩ
Power dissipation: 100W
Drain current: 11.5A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12Q60W,S1VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12Q60W,S1VQ(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12Q60W,S1VQ(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 100W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 100W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12Q60WS1VQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12V60W,LVQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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