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TK12A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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TK12A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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TK12A50D5ToshibaMOSFETs
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TK12A50DR(STA4,X,MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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TK12A50DR(STA4,X,MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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TK12A50E,S4X(SToshibaMOSFET POWER MOSFET N CH 250V
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TK12A50E,S5XToshibaMOSFET PLN MOS 500V 520mOhm (VGS=10V) TO-220SIS
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TK12A50E,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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TK12A50W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK12A50W,S5XToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
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TK12A50W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.2 EUR
10+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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TK12A50W,S5X(MToshiba
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TK12A50W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 19 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK12A50W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 255673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
673+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
100000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 673 Stücke
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TK12A50W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK12A50WS5X(MToshibaMOSFETs
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TK12A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58
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TK12A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
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TK12A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
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TK12A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
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TK12A60DToshibaMOSFETs
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TK12A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 125 Stücke:
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24+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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TK12A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK12A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+3.62 EUR
100+3.45 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.56 EUR
2500+2.53 EUR
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TK12A60D(STA4,Q,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
53+4.39 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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TK12A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.1 EUR
10+4.65 EUR
50+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK12A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK12A60D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TK12A60D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TK12A60U
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK12A60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
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TK12A60U (Q)ToshibaMOSFET
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TK12A60U(LS1CNO,AQToshibaToshiba
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TK12A60U(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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TK12A60U(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TK12A60U(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 12A
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TK12A60U(S4PHIL,QMToshibaToshiba
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TK12A60U(STA4,A,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
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TK12A60U(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch DTMOS II RDS 0.36 Ohm Yfs 7.0
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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TK12A60U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
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TK12A60U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
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TK12A60U,LS1NA1Q(JToshibaToshiba
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TK12A60U,S5HILQ(JToshibaToshiba
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TK12A60U,S5Q(JToshibaToshiba
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TK12A60WToshiba
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TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK12A60W,S4VX
Produktcode: 173725
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK12A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+3.28 EUR
100+2.89 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.26 EUR
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TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.5 EUR
10+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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TK12A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK12A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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TK12A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.29 EUR
53+4.45 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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TK12A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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TK12A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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TK12A65D
auf Bestellung 4047 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK12A65DToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A65D
Produktcode: 184921
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ToshibaTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220SIS
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 12 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,46 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2300/40
Montage: THT
auf Bestellung: 77 St.
  • 77 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.15 EUR
10+1.94 EUR
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TK12A65D(STA4,Q,M)ToshibaN-Channel MOSFET
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A65D(STA4,Q,M)ToshibaN-Channel MOSFET
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80WToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK12A80W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 570µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
10+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80W,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W
auf Bestellung 2143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.9 EUR
37+6.38 EUR
100+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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TK12A80WS4X(SToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK12E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 12A 600V 144W 720pF 0.4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK12E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+2.56 EUR
100+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 110W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.59 EUR
38+6.18 EUR
100+3.24 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 570µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E80W,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(S1TEAL,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(S1TEKR,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(S1TET,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60U(STA1,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60WToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60W,S1VEToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60W,S1VE(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12J60WS1VQ(OToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.07 EUR
10+3.26 EUR
50+2.48 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH