Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 9.3nC | auf Bestellung 5362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 14180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF-IR | International Rectifier | Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V | auf Bestellung 7666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7923 | IOR | 09+ | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7923TRPBF | IR | 0822+ QFN-8 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7923TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 33A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7932PBF | Infineon / IR | MOSFET SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7932TR | International Rectifier | N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7932TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7932TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 24A 3.3mOhm 34nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2711 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V | auf Bestellung 4084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC | auf Bestellung 4484 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2711 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7934TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 2120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH7934TRPBF - IRFH7934 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V | auf Bestellung 2403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 8662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC | auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7936TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7936TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 20A 4.8mOhm 17nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7936TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH7936TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 4530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH7936TRPBF | International Rectifier | Description: IRFH7936 - N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V | auf Bestellung 4530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 19027 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 25V 100A PQFN | auf Bestellung 3046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm | auf Bestellung 7625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V | auf Bestellung 7947 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm | auf Bestellung 7625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 47 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.6 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 900 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N-CH 25V 100A PQFN | auf Bestellung 3896 Stücke: Lieferzeit 178-182 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBFTR | Infineon Technologies | Description: IRFH8202 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3502 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN | auf Bestellung 1924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 3.7W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 3.7W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V | auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 688000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8307TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN | auf Bestellung 3465 Stücke: Lieferzeit 178-182 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8307TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8311 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V | auf Bestellung 41664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF Produktcode: 151197
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6 | auf Bestellung 1243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8311TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8316TRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH8316TRPBF - IRFH8316 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8316TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8316TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6 | auf Bestellung 2287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8316TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFH8316TRPBF-IR | International Rectifier | Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V | auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| IRFH8318 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |