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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFH7934TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.87 EUR
8000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7934TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R
auf Bestellung 8662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
397+1.64 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7934TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH7934TRPBF - IRFH7934 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7934TRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
318+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7934TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
397+1.64 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7934TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.87 EUR
8000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7934TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+2.37 EUR
100+1.84 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.2 EUR
4000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7934TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
397+1.64 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7934TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
397+1.64 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7934TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7936TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7936TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 20A 4.8mOhm 17nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7936TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PQFN T/R
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
788+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 788 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7936TRPBFInternational RectifierDescription: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
567+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7936TRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.37 EUR
79+2.19 EUR
100+1.76 EUR
200+1.64 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.54 EUR
4000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 7680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
118+1.82 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.39 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
auf Bestellung 7947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 19027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.83 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.48 EUR
10000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.76 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.36 EUR
4000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 7680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
80+2.93 EUR
118+1.82 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.39 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8202TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8202TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8202TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8202TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
auf Bestellung 3896 Stücke:
Lieferzeit 178-182 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+3.45 EUR
100+2.95 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.39 EUR
4000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8202TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8202TRPBFTRInfineon TechnologiesDescription: IRFH8202 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8303Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
433+1.51 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 433 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 688000 Stücke:
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IRFH8303TRPBFInfineonMOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Транзистори
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IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
auf Bestellung 1924 Stücke:
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1+3.64 EUR
10+2.56 EUR
100+1.87 EUR
500+1.52 EUR
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IRFH8303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
72+3.22 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
433+1.51 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 433 Stücke
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IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
10+2.53 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.27 EUR
85+2.03 EUR
104+1.62 EUR
200+1.49 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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IRFH8307TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
auf Bestellung 3465 Stücke:
Lieferzeit 178-182 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+3 EUR
100+2.4 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.56 EUR
4000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8307TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8307TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.17 EUR
152+1.11 EUR
154+1.05 EUR
157+1 EUR
159+0.94 EUR
250+0.88 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8307TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
72+3.25 EUR
100+2.31 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8307TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8307TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8307TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.15 EUR
154+1.12 EUR
157+1.07 EUR
159+1.04 EUR
250+1 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
124+1.88 EUR
186+1.15 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V
auf Bestellung 41664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
13+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.56 EUR
100+1.18 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.82 EUR
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.07 EUR
126+1.36 EUR
200+1.21 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBF
Produktcode: 151197
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.7 EUR
8000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
124+1.88 EUR
186+1.15 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8316TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6
auf Bestellung 2287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8316TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
821+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 821 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8316TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH8316TRPBF - IRFH8316 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
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IRFH8316TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8316TRPBF-IRInternational RectifierDescription: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
590+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 590 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFH8318TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TR2PBF.INFINEONDescription: INFINEON - IRFH8318TR2PBF. - N CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 27A, PQFN-8
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 27
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 3 - 168 hours
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 3100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
167+1.39 EUR
234+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
8000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
auf Bestellung 14699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRFH8318TRPBFInfineon
auf Bestellung 428000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.26 EUR
100+0.9 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.64 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 3100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
167+1.39 EUR
234+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.42 EUR
459+0.37 EUR
508+0.32 EUR
570+0.27 EUR
648+0.23 EUR
751+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
8000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
508+0.35 EUR
570+0.3 EUR
648+0.26 EUR
751+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 508 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBF Transistor
Produktcode: 196964
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8321TRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8321TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
895+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 895 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8321TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8321TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TR2PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
842+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 842 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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