Produkte > IRF

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.87 EUR
8000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7934TRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC

auf Bestellung 323 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.89 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.26 EUR
2000+	1.2 EUR
4000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7934TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R

auf Bestellung 8662 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

397+	1.64 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 397 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7934TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

397+	1.64 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 397 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7934TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.87 EUR
8000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7934TRPBF

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH7934TRPBF - IRFH7934 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4649 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

449+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 449 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7934TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

auf Bestellung 2403 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

318+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 318 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7934TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

397+	1.64 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 397 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7934TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R

auf Bestellung 2120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

397+	1.64 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 397 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7936TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7936TR2PBF

International Rectifier HiRel Products

MOSFET MOSFT 30V 20A 4.8mOhm 17nC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7936TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PQFN T/R

auf Bestellung 4530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

788+	0.83 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 788 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7936TRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7936TRPBF

Description: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V

auf Bestellung 4530 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

567+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 567 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V

auf Bestellung 7947 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.46 EUR
10+	2.87 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.43 EUR
2000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm

auf Bestellung 7680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.84 EUR
80+	2.93 EUR
118+	1.82 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.39 EUR
5000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.37 EUR
79+	2.19 EUR
100+	1.76 EUR
200+	1.64 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.58 EUR
2000+	1.54 EUR
4000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 74 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

MOSFETs MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

auf Bestellung 3046 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.36 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.39 EUR
2000+	1.36 EUR
4000+	1.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm

auf Bestellung 7680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.93 EUR
118+	1.82 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.39 EUR
5000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 19027 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

355+	1.83 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.48 EUR
10000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 355 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8201TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8202TRPBF

MOSFET MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

auf Bestellung 3896 Stücke:

Lieferzeit 178-182 Tag (e)

1+	3.53 EUR
10+	3.45 EUR
100+	2.95 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.45 EUR
2000+	2.39 EUR
4000+	1.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8202TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8202TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8202TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8202TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8202TRPBFTR

Description: IRFH8202 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V

auf Bestellung 481 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.2 EUR
10+	2.53 EUR
100+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	5.45 EUR
72+	3.22 EUR
100+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 1371 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

433+	1.51 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 433 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

MOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN

auf Bestellung 1924 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.64 EUR
10+	2.56 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.49 EUR
2000+	1.46 EUR
4000+	1.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 688000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Infineon

MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3502 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

433+	1.51 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 433 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8303TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	2.27 EUR
85+	2.03 EUR
104+	1.62 EUR
200+	1.49 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.2 EUR
2000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 77 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8307TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1.15 EUR
154+	1.12 EUR
157+	1.07 EUR
159+	1.04 EUR
250+	1 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.93 EUR
3000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8307TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8307TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 2003 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.31 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8307TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	1.17 EUR
152+	1.11 EUR
154+	1.05 EUR
157+	1 EUR
159+	0.94 EUR
250+	0.88 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8307TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8307TRPBF

auf Bestellung 2003 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	4.25 EUR
72+	3.25 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 59 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8307TRPBF

MOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN

auf Bestellung 3465 Stücke:

Lieferzeit 178-182 Tag (e)

2+	3.33 EUR
10+	3 EUR
100+	2.4 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.63 EUR
2000+	1.56 EUR
4000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF

MOSFETs MOSFET, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6

auf Bestellung 1243 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.34 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.87 EUR
2000+	0.82 EUR
4000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF

Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V

auf Bestellung 41664 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.76 EUR
13+	1.75 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.83 EUR
2000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm

auf Bestellung 553 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	3.2 EUR
124+	1.88 EUR
186+	1.15 EUR
500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

676+	0.96 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 676 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	2.07 EUR
126+	1.36 EUR
200+	1.21 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.9 EUR
4000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF
Produktcode: 151197

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF

Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	0.7 EUR
8000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8311TRPBF

International Rectifier HiRel Products

Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm

auf Bestellung 553 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.2 EUR
124+	1.88 EUR
186+	1.15 EUR
500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8316TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 1502 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

821+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 821 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8316TRPBF

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH8316TRPBF - IRFH8316 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2958 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

834+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 834 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8316TRPBF

MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6

auf Bestellung 2287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8316TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8316TRPBF-IR

Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V

auf Bestellung 1502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

590+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 590 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TR2PBF.

Description: INFINEON - IRFH8318TR2PBF. - N CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 27A, PQFN-8
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 27
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 3 - 168 hours
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.55 EUR
8000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V

auf Bestellung 14699 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.43 EUR
14+	1.54 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.71 EUR
2000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 3100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm

auf Bestellung 3975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.9 EUR
167+	1.39 EUR
234+	0.92 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Infineon

auf Bestellung 428000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 3790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

316+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 316 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 3100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm

auf Bestellung 3975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2.9 EUR
167+	1.39 EUR
234+	0.92 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

418+	0.42 EUR
459+	0.37 EUR
508+	0.32 EUR
570+	0.27 EUR
648+	0.23 EUR
751+	0.19 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 418 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

auf Bestellung 4240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR
2000+	0.64 EUR
4000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.55 EUR
8000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

508+	0.35 EUR
570+	0.3 EUR
648+	0.26 EUR
751+	0.21 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 508 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8318TRPBF Transistor
Produktcode: 196964

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8321TR

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8321TRPBF

MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6

auf Bestellung 3660 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8321TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

auf Bestellung 1546 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

895+	0.73 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 895 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8321TRPBF

Description: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8324TR2PBF

MOSFETs MOSFT 30V 50A 4.1mOhm 15nC Qg

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8324TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.87 EUR
12+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8324TR2PBF