Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| IRFH8330TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 35W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | auf Bestellung 2398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8330TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8334TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 999A SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8334TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 11453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8334TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8334TRPBF | Infineon | auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | auf Bestellung 6615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 2095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8334TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 2095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH8337TR2PBF Produktcode: 98279
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFH8337TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8337TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8337TR2PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8337TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8337TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH8337TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.8mOhms 4.7nC | auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH9310 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH9310TR Produktcode: 99498
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: PQFN5*6 Uds,V: 30 Id,A: 21 Rds(on),Om: 4.6 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5250/58 /: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH9310TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH9310TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH9310TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH9310TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH9310TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH9310TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH9310TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH9310TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH9310TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH9310TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel Drain-source voltage: -30V Drain current: -17A Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Case: PQFN5X6 | auf Bestellung 2916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH9310TRPBF | International Rectifier | P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH9310TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 14944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHE4250DTRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN Packaging: Bulk Package / Case: 32-PowerVFQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 156W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6) Part Status: Active | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHE4250DTRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRFHE4250DTRPBF | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHE4250DTRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 25V,60 A Power Block PQFN 6x6 | auf Bestellung 2545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 29715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 572000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM3911TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs PLANAR FET | auf Bestellung 5875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM3911TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Case: PQFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V | auf Bestellung 1347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1676000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM3911TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm | auf Bestellung 3009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM4226TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 25V 28A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM4226TRPBF | Infineon | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFHM4231TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM4231TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM4231TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM4231TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A | auf Bestellung 664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM4231TRPBF/BKN | Infineon Technologies | Description: IRFHM4231TRPBF/BKN | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 38 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM4234TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM4234TRPBF | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V | auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM4234TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A | auf Bestellung 4394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM4234TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM7194TRPBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH_MOSFETS | auf Bestellung 1238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM7194TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/34A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM792TR2PBF | IRFHM792TR2PBF Транзисторы HEXFET | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFHM792TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 2.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM792TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM792TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM792TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM792TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET | auf Bestellung 20418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM792TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM792TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM8228TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 25V 12nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 3047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM8228TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM8235TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM8235TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 25V 7.3nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 4910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM8235TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM830 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM830DTR2PBF Produktcode: 48693
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFHM830DTR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1797 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM830DTRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 40A 4.3mOhm 1.1Ohm RG | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM830DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1797 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM830TR2PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM830TR2PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM830TR2PBF | Infineon | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFHM830TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM830TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.7W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms | auf Bestellung 1029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 3860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V | auf Bestellung 7703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM830TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.7W Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |