Produkte > 2SC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| 2SCR579D3TLQ | Rohm Semiconductor | Description: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 101MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR579D3TLQ | ROHM | Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 101MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252 | auf Bestellung 2051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR582D3FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 10A; 10W; TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 10A Power dissipation: 10W Case: TO252 Current gain: 200 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor for Automotive | auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR582D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR582D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 10W Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR582D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 10A; 10W; TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 10A Power dissipation: 10W Case: TO252 Current gain: 200 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | auf Bestellung 1575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor | auf Bestellung 3279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 1893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A NPN PWR TRANS | auf Bestellung 4816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR583D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 2621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR583D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power Transistor | auf Bestellung 2181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | Rohm | TRANS NPN 50V 7A TO252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR583D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W TO-252(DPAK) | auf Bestellung 1418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586D3FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 5A Power dissipation: 10W Case: DPAK; TO252 Current gain: 120 Mounting: SMD Frequency: 200MHz | auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252 Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 10W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 120...390 Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 Frequency: 200MHz Collector current: 5A Mounting: SMD | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE | auf Bestellung 2803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JFRGTLL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 5A LPTL Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: LPTL Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR586JFRGTLL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JFRGTLL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JFRGTLL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 40W TO-263AB | auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586JFRGTLL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 5A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: LPTL Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586JFRGTLL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JFRGTLL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JFRGTLL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR586JGTLL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 40W; D2PAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 5A Power dissipation: 40W Case: D2PAK Current gain: 120 Mounting: SMD Frequency: 200MHz | auf Bestellung 1076 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JGTLL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JGTLL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JGTLL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-263AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586JGTLL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JGTLL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JGTLL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JGTLL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586JGTLL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-263AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586JGTLL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR 80V, 5A, TO-263AB NPN | auf Bestellung 1381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR587D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR587D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 10W Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR587D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 3A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR587D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR587D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor for Automotive | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR587D3FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 3A; 10W; TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 3A Power dissipation: 10W Case: TO252 Current gain: 120 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | auf Bestellung 2215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR587D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR587D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR587D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR587D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 3A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR587D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor | auf Bestellung 2405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR587D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 3A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 1658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR587D3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 3A; 10W; DPAK,TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 3A Power dissipation: 10W Case: DPAK; TO252 Current gain: 120 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | auf Bestellung 4535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR587D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR587D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR587D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR587D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 3A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR587D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR587D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR642PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR642PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR642PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 3A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR642PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR642PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR642PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-89 NPN 30V 10A AUTO | auf Bestellung 1029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR642PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 3A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCRC41CHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - 2SCRC41CHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCRC41CHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - 2SCRC41CHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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