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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3TLQROHMDescription: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 101MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
107+2.18 EUR
160+1.34 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.45 EUR
87+2.67 EUR
132+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.3 EUR
107+1.56 EUR
110+1.45 EUR
111+1.38 EUR
150+0.99 EUR
250+0.89 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 10A TO-252
auf Bestellung 2051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 10A; 10W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 10A
Power dissipation: 10W
Case: TO252
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor for Automotive
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.3 EUR
107+1.59 EUR
110+1.51 EUR
111+1.46 EUR
150+1.07 EUR
250+1 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
132+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+2.12 EUR
250+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
121+1.77 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
623+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 623 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 10A; 10W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 10A
Power dissipation: 10W
Case: TO252
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.81 EUR
300+0.74 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.61 EUR
91+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.93 EUR
79+2.95 EUR
121+1.77 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.61 EUR
91+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A NPN PWR TRANS
auf Bestellung 4816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.37 EUR
10+3.47 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.86 EUR
2500+1.76 EUR
5000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.19 EUR
157+1.08 EUR
171+0.98 EUR
200+0.92 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.08 EUR
100+1.96 EUR
250+1.84 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.65 EUR
2500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.59 EUR
59+3.96 EUR
100+2.55 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.66 EUR
10+4.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 2621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.4 EUR
120+1.42 EUR
164+1.01 EUR
200+0.94 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.14 EUR
100+2.01 EUR
250+1.89 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.7 EUR
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
116+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power Transistor
auf Bestellung 2181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.64 EUR
100+1.77 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3TL1RohmTRANS NPN 50V 7A TO252 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR583D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
80+2.93 EUR
118+1.82 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.19 EUR
74+2.26 EUR
100+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W TO-252(DPAK)
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.73 EUR
2500+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.07 EUR
10+3.28 EUR
100+2.25 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.19 EUR
74+2.32 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 5A
Power dissipation: 10W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 120
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+1.51 EUR
100+1.39 EUR
300+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
102+2.3 EUR
164+1.31 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.13 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 10W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 120...390
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Frequency: 200MHz
Collector current: 5A
Mounting: SMD
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.89 EUR
58+1.49 EUR
64+1.34 EUR
109+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.18 EUR
116+1.44 EUR
159+1.01 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.82 EUR
102+2.3 EUR
164+1.31 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.18 EUR
116+1.46 EUR
159+1.05 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
auf Bestellung 2803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JFRGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A LPTL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTL
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JFRGTLLROHMDescription: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
60+3.93 EUR
100+2.7 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JFRGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.88 EUR
62+2.68 EUR
100+1.9 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JFRGTLLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 40W TO-263AB
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.68 EUR
10+3.67 EUR
100+2.51 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.62 EUR
5000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JFRGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: LPTL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+3.72 EUR
100+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JFRGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.88 EUR
62+2.74 EUR
100+1.98 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JFRGTLLROHMDescription: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JFRGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JGTLLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 40W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: D2PAK
Current gain: 120
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 1076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.46 EUR
100+1.34 EUR
300+1.26 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JGTLLROHMDescription: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.31 EUR
100+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.76 EUR
69+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JGTLLROHMDescription: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.43 EUR
61+3.86 EUR
100+2.31 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.76 EUR
69+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR586JGTLLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR 80V, 5A, TO-263AB NPN
auf Bestellung 1381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+3.27 EUR
100+2.26 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.48 EUR
5000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.95 EUR
125+1.36 EUR
176+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.93 EUR
102+2.28 EUR
149+1.44 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor for Automotive
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 3A; 10W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 3A
Power dissipation: 10W
Case: TO252
Current gain: 120
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+0.75 EUR
300+0.67 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.95 EUR
125+1.33 EUR
176+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.93 EUR
102+2.28 EUR
149+1.44 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.7 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 1658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.71 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 3A; 10W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 3A
Power dissipation: 10W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 120
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 4535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.81 EUR
300+0.74 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.64 EUR
90+1.89 EUR
122+1.37 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.64 EUR
90+1.84 EUR
122+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
120+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR587D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
81+2.88 EUR
120+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR642PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR642PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR642PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR642PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR642PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR642PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-89 NPN 30V 10A AUTO
auf Bestellung 1029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.77 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR642PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCRC41CHZGT116ROHMDescription: ROHM - 2SCRC41CHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
279+0.83 EUR
433+0.5 EUR
575+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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2SCRC41CHZGT116ROHMDescription: ROHM - 2SCRC41CHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2571 Stücke:
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279+0.83 EUR
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