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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

146+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 146 Stücke

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IPB090N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.2 EUR
3000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB090N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB090N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm

auf Bestellung 301 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	4.18 EUR
94+	2.49 EUR
141+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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IPB090N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 807 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

368+	1.75 EUR
500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 368 Stücke

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IPB090N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.15 EUR
3000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB090N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB090N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB090N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.21 EUR
3000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB090N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.15 EUR
3000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB090N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	2.99 EUR
95+	1.8 EUR
131+	1.27 EUR
500+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

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IPB090N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

368+	1.75 EUR
500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 368 Stücke

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IPB090N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB090N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 315000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.36 EUR
156000+	1.23 EUR
234000+	1.11 EUR
312000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB090N06N3GATMA1 : IPB090N06N3G

Infineon

IPB090N06N3GATMA1 : IPB090N06N3G IPB090N06N3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 D2PAK Транзистори

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB091N06N G

Description: MOSFET N-CHAN D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB091N06NG

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB093N04L G

INF

TO-263

auf Bestellung 32000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB093N04L G

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 17233 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

821+	0.79 EUR
1000+	0.71 EUR
10000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 821 Stücke

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IPB093N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V

auf Bestellung 1985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

590+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 590 Stücke

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IPB093N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB095N20NM6

IFX FET >150 - 400V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB095N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB095N20NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

auf Bestellung 5737 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.17 EUR
10+	7.08 EUR
100+	5.87 EUR
500+	5.21 EUR
1000+	4.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB095N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm

auf Bestellung 846 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.54 EUR
24+	10.04 EUR
100+	7.88 EUR
500+	7.34 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB095N20NM6ATMA1

Description: IPB095N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB095N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB095N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 846 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.54 EUR
24+	10.04 EUR
100+	7.88 EUR
500+	7.34 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB095N20NM6ATMA1

Rochester Electronics, LLC

Description: IPB095N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB096N03L G

INF

TO-263

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB096N03LG

INF

08+

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB096N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 402 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 402 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB096N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB097N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB097N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB097N08N3G

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB097N08N3GATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 15767 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 439 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB09N03

TO-263

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB09N03LA

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB09N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB09N03LA G

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB09N03LAG

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB09N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB09N03LAGATMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB09N03LAT

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB09N03LAT

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB09N09LA

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB1

Eaton Electrical

FD BARRIER

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB1

EATON CUTLER HAMMER

Description: EATON CUTLER HAMMER - IPB1 - INTERPHASE BARRIER, F FRAME
tariffCode: 0
Art des Zubehörs: Interphase Barrier
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
RoHS Compliant: No
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Eaton Molded Case Circuit Breakers
Produktpalette: C Series

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	83.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S2-04

MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S2-04

Description: IPB100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk

auf Bestellung 499 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

132+	4.53 EUR

Mindestbestellmenge: 132 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S2-04

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S204ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

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IPB100N04S204ATMA1

MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS

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IPB100N04S204ATMA4

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 17000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.21 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB100N04S204ATMA4

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1984 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

152+	3.63 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

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IPB100N04S204ATMA4

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.94 EUR
10+	6.66 EUR
25+	6.59 EUR
100+	5.38 EUR
250+	5.37 EUR
500+	4.8 EUR
1000+	4.08 EUR

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IPB100N04S204ATMA4

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB100N04S204ATMA4

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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IPB100N04S2L-03

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB100N04S2L-03ATMA2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

auf Bestellung 17740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

144+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 144 Stücke

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IPB100N04S2L03ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

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IPB100N04S2L03ATMA2

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S2L03ATMA2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S2L03ATMA2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 51328 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

144+	3.84 EUR

Mindestbestellmenge: 144 Stücke

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IPB100N04S3-03

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

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IPB100N04S3-03

MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB100N04S303ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ T
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V

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IPB100N04S303ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB100N04S303ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 27463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

129+	4.27 EUR

Mindestbestellmenge: 129 Stücke

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IPB100N04S303ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB100N04S4-02D

MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2

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IPB100N04S4-H2

MOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 702 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.57 EUR
10+	3.61 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.77 EUR
5000+	1.75 EUR

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IPB100N04S402DXTMA1

MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2

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IPB100N04S4H2ATMA1

Infineon

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB100N04S4H2ATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 1882 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.45 EUR
10+	3.2 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.68 EUR
2000+	1.62 EUR
5000+	1.58 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm

auf Bestellung 706 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.44 EUR
500+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.68 EUR
3000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3651 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

264+	2.45 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 264 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.83 EUR
3000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.45 EUR
66+	2.55 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2793 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

264+	2.45 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 264 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm

auf Bestellung 706 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	6.2 EUR
63+	3.71 EUR
100+	2.44 EUR
500+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	3.17 EUR
68+	2.5 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 115W
Drain current: 100A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.7 EUR
3000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

264+	2.45 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 264 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4968 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.53 EUR
10+	3.58 EUR
50+	2.74 EUR
100+	2.46 EUR
500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.9 EUR
55+	3.06 EUR
68+	2.36 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.49 EUR
57+	3.01 EUR
69+	2.4 EUR
100+	2.14 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N04S4H2ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N06S03-03

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB100N06S2-05

MOSFET N-Ch 55V 100A D2PAK-2 OptiMOS

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IPB100N06S205ATMA1

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V

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IPB100N06S205ATMA4

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V

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IPB100N06S205ATMA4

Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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IPB100N06S205ATMA4