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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
STB3015L-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3015LT4ST
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30200CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30200CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30200CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30200CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3020LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3020L-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3020LT4
auf Bestellung 38751 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB302515EUROPADescription: EUROPA - STB302515 - Gehäuse, Wandgehäuse, Stahl, IP65, 300 x 250 x 150mm
tariffCode: 73102990
Außentiefe - metrisch: 150mm
Außentiefe - imperial: -888"
productTraceability: No
Außenbreite - metrisch: 250mm
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - metrisch: 300mm
Außenhöhe - imperial: -888"
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Außenbreite - Zoll: -888"
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STB303008Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 300X300X80MM
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB303012Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 300X300X120MM
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB303020EUROPADescription: EUROPA - STB303020 - Metallgehäuse, Wandmontage, Stahl, 300 mm, 300 mm, 200 mm, IP65
tariffCode: 73102990
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Grau
Außenhöhe - imperial: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP65
NEMA-Bewertung: NEMA 4
Außentiefe - metrisch: 200mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 300mm
Außentiefe - imperial: -
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 300mm
Produktpalette: Europa STB
productTraceability: No
Gehäusetyp: Wandmontage
Außenbreite - Zoll: -
Gehäusematerial: Stahl
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3045CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 30A; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.48V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 200A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
85+0.85 EUR
96+0.75 EUR
106+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3055L2ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3060CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB3060CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30H100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 30A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30H100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 30A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N10ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N10T4
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.81 EUR
10+7.31 EUR
100+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65DM6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.44 EUR
10+7.3 EUR
100+5.46 EUR
1000+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65M2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
10+4.98 EUR
100+3.55 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65M2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30N65M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65M2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 122-126 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+5.24 EUR
100+4.01 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65M2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65M2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30N65M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65M5STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.54 EUR
10+7.11 EUR
100+5.3 EUR
500+5.28 EUR
1000+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.56 EUR
10+7.12 EUR
100+5.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STB30N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 100 V
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.37 EUR
10+9.14 EUR
100+6.72 EUR
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STB30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB30N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STB30N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 1114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.02 EUR
10+8.18 EUR
100+6.32 EUR
1000+5.97 EUR
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STB30NE06LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB30NE10
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB30NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.66 EUR
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STB30NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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STB30NF10T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STB30NF10T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
auf Bestellung 1594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.83 EUR
10+1.97 EUR
100+1.45 EUR
500+1.16 EUR
1000+1 EUR
2000+0.94 EUR
5000+0.91 EUR
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STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.9 EUR
3000+0.88 EUR
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STB30NF10T4
Produktcode: 119902
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STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.55 EUR
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STB30NF10T4STMТранзистори
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STB30NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.82 EUR
10+1.94 EUR
100+1.43 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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STB30NF10T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.51 EUR
2000+1.38 EUR
3000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB30NF20STMicroelectronicsMOSFETs N Ch 1500V 2.5A Pwr MOSFET
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.75 EUR
100+1.92 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.41 EUR
2000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.51 EUR
2000+1.41 EUR
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.58 EUR
10+2.97 EUR
100+2.04 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.066 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StripFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+2.8 EUR
100+1.93 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20LSTMMOSFET N CH 200V 30A D2PAK (TO-263AB) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.27 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.066 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StripFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200V 0.065 Ohm 30A STripFET 150W
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.73 EUR
100+1.97 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.41 EUR
2000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.27 EUR
2000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.32 EUR
56+2.55 EUR
100+2.45 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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STB30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.88 EUR
31+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
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STB30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
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STB30NM60N
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STB30NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
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STB30NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
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STB30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
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STB30NS15ST07+ TO-263/D2-PAK
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STB31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V
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STB31N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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STB32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB32N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 119mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STB32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.69 EUR
10+12.23 EUR
100+9.6 EUR
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STB32N65M5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB32NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB32NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STB32NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+5.19 EUR
100+3.71 EUR
500+3.54 EUR
1000+2.99 EUR
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STB32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.85 EUR
10+5.21 EUR
100+3.72 EUR
500+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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