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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STL18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.31 EUR
10+4.78 EUR
100+3.36 EUR
500+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V 0.2 60 Ohm 6 A MDmesh II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18NM60NSTMicroelectronics
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.38 EUR
84+2.05 EUR
85+1.99 EUR
100+1.75 EUR
250+1.71 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.38 EUR
84+2 EUR
85+1.92 EUR
100+1.65 EUR
250+1.58 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.2 EUR
10+4.02 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+3.12 EUR
100+2.49 EUR
250+2.48 EUR
500+2.07 EUR
1000+2.05 EUR
3000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL190N8F8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL190N8F8 - N-CHANNEL 80 V, 4.5 MOHM M,POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.5 EUR
33+7.15 EUR
100+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL195N4F7AGSTMicroelectronics0
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.36 EUR
67+2.57 EUR
73+2.3 EUR
100+1.82 EUR
200+1.68 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N3LLH6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N3LLH6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60DM2STMicroelectronicsSTL19N60DM2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 5-Pin Power Flat T/R - Arrow.com
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60DM2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
87+2.67 EUR
105+2.05 EUR
118+1.82 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
105+2.05 EUR
118+1.82 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.87 EUR
10+4.51 EUR
100+3.17 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 2.3A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 12.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 2.3A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshM5
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL1E1-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL1E1-73Carling TechnologiesToggle Switches STL1E1-73
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL1E1-73Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL1E1-78Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Voltage Rating - DC: 24 V
Part Status: Active
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Actuator Type: Standard Round
Actuator Length: 17.45mm
Illumination: Non-Illuminated
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Switch Function: Mom-Off-Mom
Circuit: SPDT
Mounting Type: Panel Mount
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL1E1-78Carling TechnologiesToggle Switches STL1E1-78
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL1E4-53Carling TechnologiesSwitch Toggle (ON) OFF (ON) SPDT Bat Lever Screw 16A 24VDC Panel Mount with Threads Automotive
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+46.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL1E4-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL1E4-73Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2-350-10M-01EssentraCable Mounting & Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2-350-12M-01EssentraCable Mounting & Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2-350-6M-01EssentraCable Mounting & Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2-350-8M-01EssentraCable Mounting & Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
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STL2-450-10M-01EssentraCable Mounting & Accessories
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STL2-450-12M-01EssentraCable Mounting & Accessories
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STL2-450-4M-01EssentraCable Mounting & Accessories
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STL2-450-6M-01EssentraCable Mounting & Accessories
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STL2-450-8M-01EssentraCable Mounting & Accessories
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STL2-600-10M-01EssentraCable Mounting & Accessories
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STL2-600-12M-01EssentraCable Mounting & Accessories
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STL20SAMSUNG
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL200N45LF7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20DN10F7STMicroelectronicsMOSFET Dual N-channel 100 V, 0.065 Ohm typ., 5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20DN10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 408pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20DN10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 408pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 62.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20DNF06LAGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 DI package
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20DNF06LAGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 75W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.
auf Bestellung 9702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.98 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.8 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 6503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
11+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20N6F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.4mΩ
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 78W
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.01 EUR
58+1.49 EUR
82+1.04 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
102+2.3 EUR
153+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.88 EUR
6000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20N6F7
Produktcode: 166310
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.9 EUR
102+2.3 EUR
153+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20NF06LAGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20NF06LAGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20NM20NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 20A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL20NM20NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 20A POWERFLAT
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL210N4F7STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL210N4F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.78 EUR
100+1.89 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.39 EUR
3000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL210N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i
auf Bestellung 15549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+3.17 EUR
100+2.18 EUR
500+1.76 EUR
3000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL210N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL210N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.14 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL210N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL210N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL210N4LF7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL210N4LF7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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STL210N4LF7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a
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STL210N4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
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STL21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 179mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
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STL21N65M5STMicroelectronicsMOSFETs Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
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STL21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 4-Pin Power Flat EP T/R
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STL21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 4-Pin Power Flat EP T/R
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STL21N65M5
Produktcode: 106076
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STL21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 4-Pin Power Flat EP T/R
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STL21N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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STL220N3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56
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STL220N3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56
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STL220N3LLH7STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
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STL220N3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56
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STL220N4F8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL220N4F8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 203 A, 1700 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 159 Stücke:
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46+5.5 EUR
75+3.11 EUR
103+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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STL220N4F8STMicroelectronicsMOSFETs N- channel 40 V, 1.7 mOhm max., 203 A STripFET F8 Power MOSFET
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STL220N4F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 203A 8-Pin Power Flat EP
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STL220N4F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 203A 8-Pin Power Flat EP
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
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3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL220N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3863 Stücke:
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4+6.2 EUR
10+4.03 EUR
100+2.8 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
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61+2.83 EUR
100+2.67 EUR
500+2.33 EUR
1000+1.86 EUR
2000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL220N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.72 EUR
50+4.66 EUR
100+3.88 EUR
500+3.45 EUR
1500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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