Produkte > BSC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSC059N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC059N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 38W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC059N04LS6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC059N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 5900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 38W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm | auf Bestellung 7618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC059N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC059N04LS6ATMA1 Produktcode: 216795
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC059N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC059N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC059N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC059N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 62A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 62A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC059N04LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 5900 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm | auf Bestellung 19369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC059N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC059N04LSGATMA1 | Infineon | BSC059N04LSGATMA1 MOSFET N-CH 40V 16A 8-TDSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC059N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V | auf Bestellung 797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC059N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC059N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC059N3S | INFINEON | 08+ | auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0600NSATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC0600NSATMA1 - BSC0600N - N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0600NSATMA1 | Infineon Technologies | BSC0600NSATMA1 | auf Bestellung 2226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0602NSATMA1 | Infineon Technologies | BSC0602NSATMA1 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0602NSATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC0602NSATMA1 - BSC0602N - N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 16227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3G Produktcode: 86504
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V | auf Bestellung 12483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 5367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 7357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm | auf Bestellung 12168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 20486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm | auf Bestellung 12168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC060P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -100A TDSON-8 OptiMOS P3 | auf Bestellung 4169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC060P03NS3E G | Infineon | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC060P03NS3EGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 9635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V | auf Bestellung 4505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060P03NS3EGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm | auf Bestellung 22662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC061N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC061N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 74W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm | auf Bestellung 3795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC061N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V | auf Bestellung 6687 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC061N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC061N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 74W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm | auf Bestellung 3795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC061N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC061N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 82A TDSON-8 | auf Bestellung 5610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC061N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC064N3S | INFINEON | SOP-8 | auf Bestellung 13844 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC065N06LS5 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC065N06LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Power dissipation: 46W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC065N06LS5ATMA1 Produktcode: 214673
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSC065N06LS5ATMA1 | Infineon | MOSFET, N-CH, 60V, 150DEG C, 46W Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC065N06LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 46W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 46W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | auf Bestellung 15551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V | auf Bestellung 18306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC065N06LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 46W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | auf Bestellung 15551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 12174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | auf Bestellung 68842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC066N06NS | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | auf Bestellung 9478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC066N06NS | Infineon | MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC066N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC066N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC066N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | auf Bestellung 21700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC066N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC066N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 2677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC066N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 2677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC066N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 15887 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC066N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC066N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC066N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC066N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC066N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 15887 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC067N06LS3 G | Infineon | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC067N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 16267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3G | Infineon technologies | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 13120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 6221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 2992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 2992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 24946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |