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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQPF6N90CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90_NLonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6P25FAIRCHILDFQPF6P25
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6P25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
auf Bestellung 4162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
333+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6P25FAIRCHILDFQPF6P25
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6P25FAIRCHILDFQPF6P25
auf Bestellung 2813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6P25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6P25 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
401+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 401 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF70N08
auf Bestellung 87090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF70N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 10988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.15 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.51 EUR
10000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF70N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.62 EUR
45+5.25 EUR
100+4.12 EUR
500+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF70N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF70N10FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF70N10
Produktcode: 168355
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N10LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N10L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1233+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N10LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
auf Bestellung 5887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
699+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 699 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N10LFAIRCHILDFQPF7N10L
auf Bestellung 5019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.67 EUR
1053+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 971 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N20 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1069+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
auf Bestellung 3159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N20LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N20L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1069+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N40Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
692+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 692 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N60ONS/FAIMOSFET N-CH 600V 4.3A TO220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.65 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.65 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N60
auf Bestellung 17450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.65 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.65 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.65 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N60CFSC09+ SOP8
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65
auf Bestellung 87090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
311+2.11 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65ConsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65CONS/FAIMOSFET N-CH 650V 7A TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65ConsemiMOSFETs 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65CYDTUonsemiMOSFETs 650V N-Ch Advance Q-FET C-Series
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.74 EUR
10+3.03 EUR
100+1.82 EUR
500+1.75 EUR
800+1.42 EUR
2400+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N65CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+1.74 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65CYDTU-TonsemiDescription: FQPF7N65CYDTU-T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N65C_F105onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80CFAIRCHILD
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
169+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80Consemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+2.52 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
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FQPF7N80C
Produktcode: 173951
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7N90C
auf Bestellung 87090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P06FAIRCHILDFQPF7P06
auf Bestellung 4450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
701+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7P06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
891+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 891 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 2.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 14827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
505+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P20ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -20.8A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P20Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
73+3.18 EUR
100+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
50+2.39 EUR
100+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.39 EUR
2000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF7P20onsemiMOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 4386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF85N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 53A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF85N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+6.12 EUR
25+5.95 EUR
100+5.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
auf Bestellung 42512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+2.05 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
10000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60ConsemiMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60C
Produktcode: 13455
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Fairchild/ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 965/28
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 1 St.
  • 1 St. - stock Köln
auf Bestellung: 71 St.
  • 71 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.5 EUR
10+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+2.05 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+2.05 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CONS/FAIMOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 10636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+2.05 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
10000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60C, 7.5A 600V 1.2R,TO-220FFSC09+
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60C/FSCFSC08+;
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CFTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.18 EUR
50+2.57 EUR
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CFTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6.26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CFTonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/6.26 A QFET C-Series
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+4.3 EUR
25+4.16 EUR
100+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CFTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N60CFT - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CYDTUFAIRCHILDFQPF8N60CYDTU
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CYDTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CYDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
195+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N60CYDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CYDTUFAIRCHILDFQPF8N60CYDTU
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60CYDTUFAIRCHILDFQPF8N60CYDTU
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
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