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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJD45H11-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
128+1.82 EUR
168+1.29 EUR
500+1.18 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+1.64 EUR
75+1.24 EUR
525+1.04 EUR
1050+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
75+1.36 EUR
150+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1G
Produktcode: 99387
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1950+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.99 EUR
82+1.05 EUR
102+0.84 EUR
150+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1950+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H111T4
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11AJNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11AJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD45H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
142+1.51 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11AJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.55 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11AJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD45H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
93+2.51 EUR
142+1.51 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11AJNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11AJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD45H11A/SOT428/DPAK
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.51 EUR
100+0.99 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11AJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11DON04+
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 7745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
75+1.24 EUR
150+1.11 EUR
525+0.92 EUR
1050+0.83 EUR
2025+0.77 EUR
5025+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 28384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.11 EUR
266+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.83 EUR
94+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GON-SemiconductorTransistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
auf Bestellung 12627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.24 EUR
300+0.74 EUR
1050+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GOn SemiconductorPNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD44H11) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 28390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.46 EUR
160+1.06 EUR
266+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GON-SemiconductorTransistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
133+1.75 EUR
191+1.12 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
677+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G
Produktcode: 154281
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.55 EUR
106+2.19 EUR
163+1.32 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11JNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
106+2.19 EUR
163+1.32 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11JNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11JNEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 1.75W; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
Frequency: 80MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11JNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11JNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD45H11/SOT428/DPAK
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MJD45H11Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
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MJD45H11Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD45H11RL
auf Bestellung 3600 Stücke:
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MJD45H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
auf Bestellung 19124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.77 EUR
100+1.23 EUR
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MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
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185+0.95 EUR
500+0.86 EUR
1800+0.8 EUR
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MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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230+0.76 EUR
233+0.75 EUR
249+0.68 EUR
250+0.67 EUR
500+0.64 EUR
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MJD45H11RLGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4750 Stücke:
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1000+0.88 EUR
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MJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 32400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.79 EUR
3600+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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217+0.81 EUR
230+0.74 EUR
233+0.7 EUR
249+0.63 EUR
250+0.61 EUR
500+0.57 EUR
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MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
677+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
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MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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1800+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
677+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
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MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
677+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
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MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
677+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
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MJD45H11RLGON Semiconductor
auf Bestellung 2122 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 32571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
12+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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MJD45H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD45H11T4STMPNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD44H11) Транзистори
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MJD45H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 8915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MJD45H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD45H11T4
Produktcode: 89434
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+0.71 EUR
250+0.69 EUR
254+0.67 EUR
258+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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MJD45H11T4STMicroelectronicsТранзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
137+1.7 EUR
206+1.05 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.15 EUR
130+1.31 EUR
198+0.83 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
87+0.99 EUR
131+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G
Produktcode: 118487
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2.8 EUR
145+1.61 EUR
216+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
311+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
auf Bestellung 23357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4GON-SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 101414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.5 EUR
88+0.98 EUR
103+0.83 EUR
126+0.68 EUR
145+0.58 EUR
200+0.52 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
7500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4GOn SemiconductorPNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD44H11) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.8 EUR
145+1.61 EUR
216+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
7500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD45H11TF - TRANSISTOR, PNP, -80V, -8A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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MJD45H11TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD45H11TFonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD45H11TF-ONonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD45H11TMON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD45H11TMONS/FAIPNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (SMD) Транзистори
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MJD45H11TMonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD45H11TMFairchild/ON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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MJD45H11TM
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MJD45H11TM(Transistor)
Produktcode: 60488
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MJD45HK11
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MJD47FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
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MJD47onsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
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MJD47onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
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MJD47GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
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750+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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MJD47GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 8521 Stücke:
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8+2.7 EUR
75+1.19 EUR
150+1.06 EUR
525+0.88 EUR
1050+0.8 EUR
2025+0.74 EUR
5025+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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