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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI1401EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1401EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 21900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1401EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1402DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1402DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-BE3VishayMOSFETs SC70 P CHAN 2.5V
auf Bestellung 29645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+0.81 EUR
100+0.55 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.31 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC-70
auf Bestellung 32996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 3626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
24+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 3471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
24+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC-70
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.33 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si1403CDL-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403CDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403CDL-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363
Case: SC70-6; SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.6W
Gate-source voltage: ±12V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403CDL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403CDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403CDL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1403CDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.116 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403DLVISHAY
auf Bestellung 17700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403DL-T1SI02+ SOT-323-6
auf Bestellung 45999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403DL-T1(OAY)
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403DL-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403DL-T1-GE3
auf Bestellung 7930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403DL-TISI02+ SOT-323-6
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1404BDH-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 1.9A 2.25W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1404BDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1404BDH-T1-E3
auf Bestellung 2666 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1404BDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1404DH-T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1405BDH
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1405BDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1405BDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1405BDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1405DL-T1VISHAYSOT363
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1405DL-T1(OBD)
auf Bestellung 16612 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1405DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1405DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1405DL-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1405DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1405DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1406DHVISHAY
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1406DH-T1VISHAY2004
auf Bestellung 38350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1406DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1406DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1406DH-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 114200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1406DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1406DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1406DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1406DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1406DH-T1/ABU
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1407DLSI02+ SOT-323-6
auf Bestellung 126999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1407DL-T1VISHAY
auf Bestellung 30200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1407DL-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 12018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1407DL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 1.8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1407DL-T1/OCL
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1407L-T1-E3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI140ACT64SILICON0004+ QFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1410EDHSI02+ SOT-323-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1410EDH-T1VISHAY
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1410EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1410EDH-T1-E3VISHAY05+
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SI1410EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1410EDH-TI
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI14114G-BMR2003 BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.42A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 150V .52A P-CH MOSFET
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2+1.99 EUR
10+1.52 EUR
100+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.74 EUR
3000+0.67 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.42A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI1411DH-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 208 Stücke:
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SI1411DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.42A 6-Pin SC-70 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.42A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.34 EUR
154+1.11 EUR
167+0.98 EUR
211+0.75 EUR
256+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
auf Bestellung 8502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SI1411DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SC70-6
auf Bestellung 12187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.38A; 0.81W
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.38A
Gate charge: 4.2nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.81W
On-state resistance: 2.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC70-6; SOT363
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
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SI1411DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413DHVishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413DHVISHAY
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413DH-T1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 2.9A 1.0W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413DH-T1VISHAY2003
auf Bestellung 45900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413DH-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 2.9A 1.0W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413DH-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413DH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413DH-T1/BCZ
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413EDHSI
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413EDH-T1VISHAY
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413EDH-T1 SOT363-BALVISHAY
auf Bestellung 8847 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1413EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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