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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ZXMP4A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 3864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
99+2.37 EUR
132+1.63 EUR
200+1.45 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16K - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9.9 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
156+1.5 EUR
173+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KDiodes Inc./ZetexСилові MOSFET-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16K - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9.9 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
145+1.61 EUR
186+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KZETEX07+ DPAK
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 20 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.09 EUR
5000+1.02 EUR
7500+0.99 EUR
12500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KTCZETEXMOSFET P-CHAN 40V 9.9A DPAK
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KTCDiodes IncorporatedMOSFETs 40V 9.9A P-CHANNEL
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.11 EUR
5000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 20 V
auf Bestellung 20559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.46 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KTCDiodes Inc./ZetexСилові MOSFET-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6
auf Bestellung 123800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SOT26 T&R 3K
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.54 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
6000+0.51 EUR
9000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6TADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40 SOT26,3K
auf Bestellung 11961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.9 EUR
100+0.62 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.4 EUR
24000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
356+0.65 EUR
455+0.48 EUR
527+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
auf Bestellung 67653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6TA
Produktcode: 113909
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
9000+0.38 EUR
15000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6TADIODES/ZETEXP-MOSFET 40V 2.9A 1.1W ZXMP4A57E6TA TZXMP4a57e6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
356+0.65 EUR
455+0.48 EUR
527+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP61P02
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP61P03
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP62M832TA
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A12GTADIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 595mOhm; 2,3A; 3,9W; -55°C ~ 150°C; ZXMP6A13GTA TZXMP6a13g
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FQTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF
auf Bestellung 62705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.46 EUR
100+0.4 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
528+0.32 EUR
560+0.3 EUR
588+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 528 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
auf Bestellung 976753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
45+0.48 EUR
100+0.42 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+0.36 EUR
523+0.32 EUR
528+0.3 EUR
560+0.27 EUR
566+0.26 EUR
588+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 975000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+0.62 EUR
477+0.49 EUR
541+0.39 EUR
585+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
9000+0.3 EUR
15000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
197+1.18 EUR
281+0.76 EUR
500+0.62 EUR
1500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADiodes Inc./ZetexP-Channel 60V 900mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
auf Bestellung 16095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Chnl UMOS
auf Bestellung 36583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.55 EUR
100+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13FTA-50Diodes Zetex60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.48 EUR
2000+0.45 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
456+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 456 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.77 EUR
150+1.56 EUR
179+1.2 EUR
223+0.96 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
auf Bestellung 15125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
21+1.01 EUR
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.48 EUR
2000+0.46 EUR
3000+0.45 EUR
5000+0.32 EUR
7000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.37 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Chnl UMOS
auf Bestellung 8796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.95 EUR
100+0.46 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.43 EUR
2000+0.42 EUR
3000+0.4 EUR
5000+0.31 EUR
7000+0.3 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.48 EUR
2000+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
5000+0.3 EUR
7000+0.29 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
150+1.56 EUR
179+1.2 EUR
223+0.96 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.48 EUR
2000+0.46 EUR
3000+0.45 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
393+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.27 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 393 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
456+0.38 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A13GTA-52Diodes Zetex60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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ZXMP6A16DN/A
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ZXMP6A16DN8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
1500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8QTADiodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch 60V Enh 2.15W -1Vgs 1021pF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.33 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
115+2.02 EUR
165+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2 EUR
100+1.33 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
115+2.02 EUR
165+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8TCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP6A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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