Produkte > ZXT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| ZXTP19100CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP19100CGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223-3 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 142MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 80605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP19100CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP19100CGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 142MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP19100CGTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 2A | auf Bestellung 3167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP19100CGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223-3 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 142MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP19100CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP19100CGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 142MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP19100CZQTA | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 142MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 107000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP19100CZQTA | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 142MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 107000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 142MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP19100CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 142MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 142MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP19100CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 142MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 2A | auf Bestellung 1171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2006E6 | ZETEX | 06+; | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2006E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 3.5A SOT23-6 Power - Max: 1.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Supplier Device Package: SOT-23-6 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 350mA, 3.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2006E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V PNP Low Sat | auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2006E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 3.5A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | auf Bestellung 17900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2008G | ZETEX | 06+; | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT223 | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2008GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT223 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2008GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat | auf Bestellung 1385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2008Z | ZETEX | 06+; | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2008ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 2356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2008ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2008ZQTA | Diodes Zetex | 30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2008ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat | auf Bestellung 2854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2008ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 148000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2008ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W | auf Bestellung 40756 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2008ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2008ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2009Z | ZETEX | 06+; | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2009Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 152MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 38190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 152MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZTA Produktcode: 142698
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
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| ZXTP2009ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Power - Max: 2.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 152MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 152MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V PNP Low Sat | auf Bestellung 5276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 152MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Power - Max: 2.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 152MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2009ZTA | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ZXTP2010Z | ZETEX | SOT-89 10+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: E-Line-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 20913 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2012A | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2012A | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2012ASTOA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2012ASTOA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2012ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2012ASTZ | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 3928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2012ASTZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN | auf Bestellung 4112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2012ASTZ | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2012G | ZETEX | 07+ SOT223 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 74 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 5.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Pulsed collector current: 15A Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz Manufacturer standard package: 1000pcs. | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2012GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2012GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat | auf Bestellung 2178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2012GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 263000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2012GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2012GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | auf Bestellung 898508 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2012GTA | DIODES/ZETEX | PNP 5.5A 60V 3W 120MHz ZXTN2012G TZXTP2012g Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| ZXTP2012GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2012GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | auf Bestellung 898000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP2012Z | ZETZX | SOT89 10+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012Z | Diodes Inc./Zetex | TRANS PNP LO SAT 60V 4.3A SOT89 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012Z-13R | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP2012ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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