Produkte > irf

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 176 198 220 225  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFP17N50LIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFP17N50LPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.16 EUR
10+11.04 EUR
25+9.72 EUR
100+8.15 EUR
500+8.13 EUR
2500+8.08 EUR
5000+8.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LPBFVishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 64A; 220W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 0.32Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 220W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LPBFIR09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LSVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60L
Produktcode: 24841
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60L
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Gate charge: 150nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60LPBFIR
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60LPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP21N60LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.32 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.22 EUR
23+10.53 EUR
100+8.76 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60PBFIRTO-247
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50
Produktcode: 184410
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50AN-кан. MOSFET 500V, 22A, 0.23Ом, 277Вт, TO-247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50A
Produktcode: 33419
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50AVishayN-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50ASiliconixN-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+10.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.36 EUR
25+9.76 EUR
50+8.91 EUR
100+8.2 EUR
500+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 22A N-CH MOSFET
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.04 EUR
10+8.23 EUR
100+6.95 EUR
500+6.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.84 EUR
25+9.52 EUR
100+7.33 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFN-кан. MOSFET 500V, 22A, 0.23Ом, 277Вт, TO-247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF
Produktcode: 45108
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFIRFP22N50APBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 1029 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR >= 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60C3IRTO-247
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60C3PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60C3PBFVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60K
Produktcode: 149454
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
Drain-Strom Idd, A: 22 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3570/150
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+6.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KIRTO-247
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KPBF
Produktcode: 35348
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 22 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3570/150
Montage: THT
auf Bestellung: 11 St.
  • 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+10.97 EUR
10+10.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 88A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 22 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3570 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 13 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.55 EUR
10+12.19 EUR
100+10.08 EUR
500+8.95 EUR
1000+8.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KPBF
Produktcode: 190283
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
Drain-Strom Idd, A: 22 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3570/150
Montage: THT
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+9.79 EUR
10+9.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP22N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.65 EUR
22+10.77 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KPBF : SiHFP22N60K-E3Vishay SiliconixIRFP22N60KPBF : SiHFP22N60K-E3 IRFP22N60KPBF N-кан. MOSFET 600V, 22A, 0.28Ом, 370Вт, TO-247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LIRTO-247
auf Bestellung 28650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50L?94-3257?IRTO-247
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBF
Produktcode: 25263
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/26
Montage: THT
auf Bestellung: 12 St.
  • 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.19 EUR
10+5.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP23N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.235 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
47+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 23A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBFIRFP23N50LPBF IRFP23N50L MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBF
Produktcode: 171515
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 23 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/26
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+4 EUR
10+3.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240OSEN200V 18A 130m?@10V,7.5A 130W 4V@250uA 1 N-Channel TO-247 MOSFETs IRFP240; IRFP240-JSM; IRFP240 TIRFP240 c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C; IRFP240 TIRFP240
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 120mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP240; IRFP240 JSMICRO TIRFP240 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 120mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP240; IRFP240 JSMICRO TIRFP240 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240N_R4942onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBF
Produktcode: 108397
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 20 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.25 EUR
10+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP240PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.38 EUR
33+7.18 EUR
100+5.49 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBF
Produktcode: 24070
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.84 EUR
10+3.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 200V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6610 Stücke:
Lieferzeit 426-430 Tag (e)
1+11.9 EUR
10+6.94 EUR
100+5.76 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBF
Produktcode: 188578
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 20 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
auf Bestellung: 23 St.
  • 23 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, P=150W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBF (TO-247AC, Vishay)
Produktcode: 148842
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 20 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
auf Bestellung: 32 St.
  • 32 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP243Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
123+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP243HARRISIRFP243
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244SiliconixN-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.03 EUR
35+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.15 EUR
25+3.47 EUR
27+3.17 EUR
50+2.96 EUR
100+2.76 EUR
125+2.7 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.08 EUR
35+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.96 EUR
25+6.97 EUR
100+5.78 EUR
500+4.83 EUR
1000+4.52 EUR
2000+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 250V 15A N-CH MOSFET
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.95 EUR
10+5.32 EUR
100+4.4 EUR
1000+4.32 EUR
5000+4.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.38 EUR
41+5.78 EUR
100+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 176 198 220 225  [ Nächste Seite >> ]