Produkte > CSD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| CSD18535KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18535KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18535KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18535KTT | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18535KTTT | auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18535KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18535KTTT | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18535KTT | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18535KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18535KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 279 Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18535KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18535KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18535KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 279 Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18535KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 0.0013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 200 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: NexFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 375W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18536KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KCS Produktcode: 196562
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD18536KCS | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18536KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V | auf Bestellung 1801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18536KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KTT Produktcode: 115067
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD18536KTT | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTTT | auf Bestellung 1871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18536KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18536KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KTT | Texas Instruments | OSFET 60V, N ch NexFET MOSFETG , single D2PAK, 1.6mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KTTT | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTT | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18536KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A | auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18536KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 349 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 349 Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18536KTTT | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11430 @ 30, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 1,6 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Id2 = 279 А,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | verfügbar 30 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 349 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 375 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013 Qualifikation: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18536KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18536KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18537NKCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18537NKCS Produktcode: 154964
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD18537NKCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18537NKCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18537NKCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18537NKCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18537NKCS | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 1031 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18537NKCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 94W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18537NKCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18537NQ5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5A | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18537NQ5AT | auf Bestellung 2143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18537NQ5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 43 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18537NQ5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V | auf Bestellung 25535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18537NQ5A-P | Texas Instruments | Description: PROTOTYPE Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 54A; 75W; -55°C ~ 150°C; CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5A TCSD18537nq5a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V | auf Bestellung 3863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | MOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18537NQ5A | auf Bestellung 3114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V | auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V | auf Bestellung 29686 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18540Q5B | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 60 60, Id = 100 А, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: VSON-CLIP EP Очікується: 550 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | verfügbar 5 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18540Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 82ns; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: N Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 82ns Version: ESD | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18540Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18540Q5BT | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18540Q5B Produktcode: 133320
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V | auf Bestellung 29724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3.3mOhm; 100A; 188W; -55°C ~ 175°C; CSD18540Q5BT CSD18540Q5B TCSD18540q5b Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 3071 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18540Q5B | Texas Instruments | MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET Транзистори | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18540Q5BG4 | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.8mΩ Dimensions: 5x6mm Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18540Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0018 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.9 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 60V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1854 A 595-CSD18540Q5B | auf Bestellung 4686 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V | auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18540Q5BT . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18540Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0018 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18541F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V | auf Bestellung 6834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18541F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18541F5 | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5T | auf Bestellung 3278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18541F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18541F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18541F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18541F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18541F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead | auf Bestellung 21639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18541F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18541F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18541F5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 21A; 500mW Technology: NexFET™ Kind of package: reel; tape Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 0.5W Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |