Produkte > DMP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| DMP3004SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7693 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3004SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-CH MOSFET | auf Bestellung 1943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3004SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7693 pF @ 15 V | auf Bestellung 2143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3006LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3006LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3006LPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506 | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 18.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V | auf Bestellung 4695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3007LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.5 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 18.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3007LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.5 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 7142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 3007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007SCG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SCG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin VDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SCG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V | auf Bestellung 72598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SCG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007SCG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SCG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007SCG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin VDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 24629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SCG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active | auf Bestellung 1461 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SCGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 2397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SCGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SCGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SCGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 923 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SCGQ-7 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SCGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SCGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 5200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SFG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333 Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2847 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 5739 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333 Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SFG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007SFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007SFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 2055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2007 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007SPS | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 5350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 80W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V | auf Bestellung 2409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 90A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3007SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 25V~30V POWERDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 110000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3007SPSQ-13 | Diodes Zetex | Green P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 110000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3008SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3008SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3008SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K | auf Bestellung 10019 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3008SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V | auf Bestellung 258000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3008SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V | auf Bestellung 259439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm | auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm | auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A | auf Bestellung 8753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A | auf Bestellung 1383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 50514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.1A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.1A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 0.9W Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Case: PowerDI®3333-8 Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 3220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3008SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3010LK3 | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3010LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V TO252 T&R 2.5K | auf Bestellung 9544 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3010LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V | auf Bestellung 42615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3010LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3010LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V | auf Bestellung 42500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3010LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3010LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3010LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgs | auf Bestellung 3528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3010LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3010LK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3010LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | auf Bestellung 3755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3010LK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3010LK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3010LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 100372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3010LK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3010LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | auf Bestellung 3755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3010LPS | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3010LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 72500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3010LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 74750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2897500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3010LPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.26W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | auf Bestellung 1338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3010LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2897500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3010LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324 | auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3010LPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.26W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | auf Bestellung 1338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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