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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN004-55W,127NXP SemiconductorsMOSFET RAIL PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-55W,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.48 EUR
100+2.25 EUR
800+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.51 EUR
2400+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaMOSFETs PSMN004-60B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 5955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+3.44 EUR
100+3.12 EUR
800+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.61 EUR
1600+2.43 EUR
2400+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.7 EUR
28+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.37 EUR
100+2.13 EUR
500+1.92 EUR
800+1.77 EUR
2400+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.48 EUR
100+2.2 EUR
800+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.92 EUR
47+3.65 EUR
48+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.81 EUR
65+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60P
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60P,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-25DNXP SemiconductorsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-25D
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-25D /T3NXP SemiconductorsMOSFET TRENCH<=30
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-25D,118NXP SemiconductorsMOSFET TRENCH<=30
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-25D,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-30K
auf Bestellung 4223 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-30KNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-30K /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-30K,518NexperiaMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-30K,518NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
577+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 577 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-30K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
373+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-30K,518NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN005-30K,518 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-30K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-55BPHILIPS
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-55B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-55P
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-55P,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-75B
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
psmn005-75b
Produktcode: 61523
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-75B,118NexperiaMOSFETs PSMN005-75B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 4138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+4.38 EUR
100+3.19 EUR
500+2.57 EUR
800+2.56 EUR
2400+2.53 EUR
4800+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+4.11 EUR
100+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN005-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN005-75PNexperiaMOSFET RAIL PWR-MOS
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PSMN005-75PNXP0719+ TO-220
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN005-75P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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PSMN005-75P,127NexperiaMOSFET PSMN005-75P/SOT78/SIL3P
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PSMN00530K518NexperiaPSMN00530K518
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PSMN006-20KNXP SemiconductorsMOSFET
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PSMN006-20KNexperiaMOSFET
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PSMN006-20K /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
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PSMN006-20K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 32A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 2.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PSMN006-20K,518NexperiaNexperia TAPE13 PWR-MOS
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PSMN008-75B
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN008-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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PSMN008-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
10+3.37 EUR
100+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PSMN008-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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PSMN008-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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PSMN008-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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PSMN008-75B,118NexperiaMOSFETs PSMN008-75B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+3.03 EUR
100+2.18 EUR
800+1.68 EUR
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PSMN008-75PNXP SemiconductorsMOSFET RAIL PWR-MOS
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PSMN008-75P
auf Bestellung 1794 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN008-75P,127NXP SemiconductorsMOSFET PSMN008-75P/SIL3P/RAILH//
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PSMN008-75P,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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PSMN009-100B
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN009-100B,118NXPТранзистори
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PSMN009-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+4.57 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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PSMN009-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+4.57 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100B,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PSMN009-100B - 75A, 100
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
auf Bestellung 3762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
241+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+4.57 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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PSMN009-100B,118NexperiaMOSFET PSMN009-100B/SOT404/D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+4.57 EUR
500+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+5.09 EUR
500+4.74 EUR
1000+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127NexperiaMOSFET PSMN009-100P/SOT78/SIL3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+5.09 EUR
500+4.74 EUR
1000+4.38 EUR
10000+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
192+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+5.09 EUR
500+4.74 EUR
1000+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100WPHILIPS
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN009-100W
Produktcode: 18400
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 100 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Montage: THT
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PSMN009-100WNXP SemiconductorsMOSFET RAIL PWR-MOS
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PSMN009-100W,127NXP SemiconductorsMOSFET RAIL PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100W,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMN009-100W,127NXPТранзистори
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PSMN009-100W,127 (TO-247)NXPТранзистори
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PSMN009-100W/BNXPN-channel TrenchMOS, SOT-429 (TO-247) Транзистори
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PSMN010-25YLC,115Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 4030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1924 Stücke
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PSMN010-55DPHILIPS03+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN010-55D,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PSMN010-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.87 EUR
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