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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI1414DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1414DH-T1-GE3
Produktcode: 144318
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SI1414DH-T1-GE3Vishay SiliconixTrans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin SC-70 T/R Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1414DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1414DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1414DH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30 Volts 4 Amps 2.8 Watts
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1414DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1416EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 4482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
29+0.73 EUR
100+0.36 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1416EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 N-CH 30V 3.9A
auf Bestellung 29198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.51 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1416EDH-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1416EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.54 EUR
262+0.88 EUR
319+0.68 EUR
409+0.52 EUR
466+0.46 EUR
541+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1416EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1416EDH-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1416EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1416EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
auf Bestellung 7582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.51 EUR
269+0.87 EUR
419+0.51 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1416EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
auf Bestellung 80472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.77 EUR
50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1416EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1416EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
auf Bestellung 7582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.51 EUR
269+0.87 EUR
419+0.51 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1416EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1416EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-6
auf Bestellung 515455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.56 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
3000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1417DHVISHAY
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1417DH-T1-E3VISHAY04+NOP
auf Bestellung 44846 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1417EDHVISHAY
auf Bestellung 24200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1417EDH-T1VISHAY05+NOP
auf Bestellung 5779 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1417EDH-T1(BBW)
auf Bestellung 637365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1417EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1417EDH-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 12200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1417EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1417EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1417EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1419DH
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1419DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1419DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1419DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1419DH-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1422DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1422DH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1422DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1424EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1424EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 N CHAN 20V
auf Bestellung 49319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1424EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1424EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.027 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+1.09 EUR
301+0.77 EUR
603+0.36 EUR
667+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1424EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
auf Bestellung 4024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1424EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC70-6
auf Bestellung 24454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.55 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1424EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
302+0.77 EUR
472+0.45 EUR
521+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1424EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1424EDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6
auf Bestellung 5485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1425DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1426DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1426DH-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 6208 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1426DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1426DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1426DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1426DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1426DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1427EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
auf Bestellung 2769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1427EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1427EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 67375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si1427EDH-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1427EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
auf Bestellung 20923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1427EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1427EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1427EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.98 EUR
437+0.54 EUR
607+0.36 EUR
650+0.33 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1427EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
auf Bestellung 5726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1427EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1427EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.064 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+1.38 EUR
294+0.79 EUR
459+0.46 EUR
556+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si1428EDH-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1428EDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 30-V (D-S)
auf Bestellung 8573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1431DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1431DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1433DH-T1
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1433DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1433DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1433DH-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1433DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1433DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI14410DY-T1SI99 SMD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1441EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 P-CH 20V 4A
auf Bestellung 22670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si1441EDH-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1441EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1939 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1441EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 10V Vgs SC70-6
auf Bestellung 13205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.04 EUR
10+0.69 EUR
100+0.49 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1441EDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 10V Vgs SC70-6
auf Bestellung 12564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1441EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 N-CH 12V 4A
auf Bestellung 97538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.46 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
38+0.56 EUR
100+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.8W
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SOT363
On-state resistance: 30mΩ
auf Bestellung 2154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.56 EUR
177+0.49 EUR
201+0.43 EUR
278+0.31 EUR
317+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
30000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.02 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 3445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
277+0.84 EUR
433+0.5 EUR
579+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs SC70-6
auf Bestellung 141412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.46 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 59892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
32+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.02 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 3445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
277+0.84 EUR
433+0.5 EUR
579+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 P-CH 30V 4A
auf Bestellung 94761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
auf Bestellung 6190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
27+0.8 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
auf Bestellung 29360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.58 EUR
256+0.9 EUR
397+0.54 EUR
519+0.42 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 35520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
314+0.74 EUR
565+0.38 EUR
592+0.36 EUR
1500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
auf Bestellung 64550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.89 EUR
50+0.65 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC70-6
auf Bestellung 9816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1450DH
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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