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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STW75N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.68 EUR
10+15.16 EUR
100+14.93 EUR
600+9.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.94 EUR
10+15.2 EUR
100+11.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW75N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.76 EUR
9+27.13 EUR
11+21.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.54 EUR
10+20.59 EUR
120+16.28 EUR
510+15.37 EUR
1020+14.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 480W
Gate charge: 118nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 47A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.96 EUR
46+3.74 EUR
100+3.05 EUR
600+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF20
Produktcode: 47368
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Case: TO247
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.75 EUR
18+4.83 EUR
19+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.07 EUR
24+9.87 EUR
100+6.66 EUR
500+5.72 EUR
1000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.39 EUR
30+5.83 EUR
120+4.83 EUR
510+4.09 EUR
1020+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.89 EUR
10+5.74 EUR
100+4.74 EUR
600+3.92 EUR
1200+3.56 EUR
3000+3.45 EUR
5400+3.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.95 EUR
46+3.82 EUR
100+3.17 EUR
600+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.96 EUR
1200+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF30STMicroelectronicsMOSFET N-channel 300 V, 60A II Power MOSFET
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF30AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
Case: TO247
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.87 EUR
13+7.08 EUR
14+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF30AGSTMicroelectronicsN-channel Power MOSFET
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF30AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF30AGSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF30AGSTMicroelectronicsN-channel Power MOSFET
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N60M5
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N60M5
Produktcode: 47500
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
440+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 440 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 34.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 100 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.92 EUR
30+19.69 EUR
120+17.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.33 EUR
10+19.33 EUR
100+16.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
420+15.73 EUR
Mindestbestellmenge: 420 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N65M5STMMOSFET N-Ch 650V 69A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+18.17 EUR
30+16.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N65M5 (Transistor)
Produktcode: 52935
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 69A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+39.58 EUR
6+31.43 EUR
10+28.85 EUR
50+20.94 EUR
100+20.16 EUR
200+19.21 EUR
600+17.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW78N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+26.94 EUR
10+23.45 EUR
50+22.06 EUR
100+20.65 EUR
250+19.25 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMMOSFET N-CH 650V 69A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+18.36 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+18.2 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SBSeoul Semiconductor Inc.Description: LED
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT (N523EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / 156-162m@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT (N523EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / 156-162m@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M48-N50:3H:Z56-Z58)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / 146-150m@150mA@5,8-6,4V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M48-N50:3H:Z56-Z58)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / 146-150m@150mA@5,8-6,4V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M483HZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M483HZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N503HZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N503HZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N523EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N523EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N524EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N524EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N543AZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 6500K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N543AZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 6500K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N543EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N543EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N544EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N544EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.16 EUR
30+3.93 EUR
120+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STW7N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.77 EUR
52+3.39 EUR
59+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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STW7N105K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3A; Idm: 16A; 110W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 3A
Power dissipation: 110W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.05kV
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.78 EUR
28+3.13 EUR
32+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STW7N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+4.94 EUR
25+3.72 EUR
100+3.39 EUR
250+3.17 EUR
600+2.93 EUR
1200+2.78 EUR
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STW7N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW7N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.68 EUR
37+4.61 EUR
48+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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STW7N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+4.71 EUR
100+3.42 EUR
600+2.87 EUR
1200+2.67 EUR
3000+2.51 EUR
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STW7N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW7N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
30+3.95 EUR
120+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STW7N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; Idm: 28A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.88 EUR
33+5.15 EUR
100+4.32 EUR
250+4.12 EUR
500+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 100 V
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.34 EUR
30+9.78 EUR
120+8.39 EUR
510+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7N95K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 7.2 Amp
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+7.52 EUR
100+5.49 EUR
600+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NA80STMicroelectronicsMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NA80
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NB80STMicroelectronicsMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NB80STTO-3P
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NC80ZSTTO-247
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NC90Z
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.45 EUR
30+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.58 EUR
49+3.58 EUR
120+3.44 EUR
510+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO247
Technology: SuperMesh™
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.65A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.66 EUR
22+3.95 EUR
24+3.57 EUR
30+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.61 EUR
49+3.52 EUR
120+3.33 EUR
510+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NK90ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW7NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.93 EUR
47+4.96 EUR
100+3.7 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7NK90ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STW7NK90Z TSTW7NK90Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW8009B27R/LFST-Ericsson IncDescription: IC ENCODER VID DGTL-ANLG 49TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4860 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW8009B27T/LFST-Ericsson IncDescription: IC ENCODER VID DGTL-ANLG 49TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW8009BS3/TST-Ericsson IncDescription: IC ENCODER VID DGTL-ANLG 49VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW8019B27R/LFST-Ericsson IncDescription: IC ENCODER VID DGTL-ANLG 49TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4860 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW8019B27T/LFST-Ericsson IncDescription: IC ENCODER VID DGTL-ANLG 49TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW8019BS3/TST-Ericsson IncDescription: IC ENCODER VID DGTL-ANLG 49VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
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STW80300CSMC Diode SolutionsDescription: 300V, 80A, TO-247AD, ULTRA LOW V
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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STW80300CTBSMC DIODE SOLUTIONSCategory: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Produkt ist nicht verfügbar
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STW80H150CSMC Diode SolutionsDiode Array 1 Pair Common Cathode 150 V 40A Through Hole TO-247-3 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
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STW80H150CSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 40Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.76V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 40A x2
Max. load current: 80A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 280A
Max. forward voltage: 0.76V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW80H150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SCHOT 150V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 150 V
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