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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STW70N65DM6-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.58 EUR
10+24.41 EUR
13+17.14 EUR
50+15.77 EUR
100+13.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Gate charge: 125nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 43A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.99 EUR
10+25.13 EUR
100+20.94 EUR
600+18.66 EUR
1200+15.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 446W
Gate charge: 117nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 31.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 66A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.42 EUR
30+9.59 EUR
60+8.77 EUR
120+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.48 EUR
10+8.82 EUR
100+8.15 EUR
1200+7.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW72N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.06 EUR
17+14.24 EUR
18+12.53 EUR
50+11.91 EUR
100+11.29 EUR
250+10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4444 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 56 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW74NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW74NF30STMicroelectronicsMOSFET N-channel 300 V, 35 mOhm, 60 A STripFET II Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW74NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N20
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N20STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N20STMN-channel 200V - 0.028. - 75A, TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.3 EUR
10+12.54 EUR
100+10.34 EUR
600+10.08 EUR
1200+9.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.58 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.58 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+8.39 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ M6
Drain current: 45A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.68 EUR
10+15.16 EUR
100+14.93 EUR
600+9.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.49 EUR
10+14.88 EUR
50+12.05 EUR
100+11.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.77 EUR
10+19.1 EUR
120+16.71 EUR
510+15.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 280A
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM6
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 47A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW75N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.76 EUR
9+27.13 EUR
11+21.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N65DM6-4STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.22 EUR
24+9.96 EUR
100+6.72 EUR
500+5.78 EUR
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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STW75NF20
Produktcode: 47368
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STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.27 EUR
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STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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STW75NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
auf Bestellung 3262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.16 EUR
30+5.71 EUR
60+5.18 EUR
120+4.74 EUR
510+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW75NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.89 EUR
10+5.21 EUR
100+4.74 EUR
600+3.77 EUR
1200+3.61 EUR
3000+3.5 EUR
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STW75NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW75NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STW75NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW75NF30STMicroelectronicsMOSFET N-channel 300 V, 60A II Power MOSFET
auf Bestellung 1 Stücke:
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STW75NF30AGSTMicroelectronicsN-channel Power MOSFET
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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STW75NF30AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
Case: TO247
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Application: automotive industry
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.87 EUR
12+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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STW75NF30AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
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STW75NF30AGSTMicroelectronicsN-channel Power MOSFET
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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STW75NF30AGSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
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STW77N60M5
auf Bestellung 38000 Stücke:
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STW77N60M5
Produktcode: 47500
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STW77N65M5STMMOSFET N-Ch 650V 69A TO-247 Транзистори
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STW77N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
440+15.28 EUR
Mindestbestellmenge: 440 Stücke
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STW77N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 400W
Technology: MDmesh™ V
Kind of package: tube
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+20.22 EUR
10+17.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 34.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 100 V
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.19 EUR
30+19.24 EUR
60+17.81 EUR
120+16.62 EUR
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STW77N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.33 EUR
10+17.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW77N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
420+15.37 EUR
Mindestbestellmenge: 420 Stücke
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STW77N65M5 (Transistor)
Produktcode: 52935
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+38.69 EUR
6+30.71 EUR
10+28.18 EUR
50+20.47 EUR
100+19.69 EUR
200+18.77 EUR
600+16.66 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STW78N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+17.95 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMMOSFET N-CH 650V 69A TO247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW78N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+26.94 EUR
10+23.45 EUR
50+22.06 EUR
100+20.65 EUR
250+19.25 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+17.78 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW78N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 69A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SBSeoul Semiconductor Inc.Description: LED
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT (N523EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / 156-162m@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT (N523EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / 156-162m@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M48-N50:3H:Z56-Z58)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / 146-150m@150mA@5,8-6,4V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M48-N50:3H:Z56-Z58)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / 146-150m@150mA@5,8-6,4V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M483HZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (M483HZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N503HZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N503HZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 2700K(=NW) / xxxm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N523EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N523EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N524EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N524EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N543AZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 6500K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N543AZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 6500K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N543EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N543EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N544EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7C2SB-NT-E1H1C100 (N544EZ56)Seoul Semiconductor CO., LTD.3030 6V / 4000K(=NW) / xxxlm@150mA@5,6-5,8V (при Tj=25C) / Max=250mA@1,5W / 120deg. / CRI=70 Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
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STW7N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.72 EUR
30+4.25 EUR
60+3.83 EUR
120+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STW7N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.69 EUR
52+3.32 EUR
59+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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STW7N105K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3A; Idm: 16A; 110W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 3A
Power dissipation: 110W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.05kV
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.78 EUR
28+3.13 EUR
32+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STW7N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW7N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+4.94 EUR
25+3.72 EUR
100+3.39 EUR
250+3.17 EUR
600+2.93 EUR
1200+2.78 EUR
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STW7N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.56 EUR
37+4.5 EUR
48+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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STW7N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.1 EUR
10+3.5 EUR
100+3.17 EUR
600+2.56 EUR
1200+2.51 EUR
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