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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFPC40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40Harris CorporationDescription: 6.8A 600V 1.200 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
210+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.47 EUR
25+6.06 EUR
100+5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.72 EUR
54+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.37 EUR
76+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
381+2 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 6.8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.92 EUR
10+5.37 EUR
100+4.27 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC42International RectifierDescription: 3.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC (TO-3P)
auf Bestellung 5701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
214+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC48Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 8.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC48Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC48Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50
Produktcode: 83094
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2700/140
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.93 EUR
10+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600mOhm; 11A; 180W; -55°C ~ 150°C; IRFPC50 TIRFPC50
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50AIRTO-247
auf Bestellung 95725 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50APBFТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPC50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.82 EUR
30+7.87 EUR
100+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.51 EUR
10+9.38 EUR
100+7.54 EUR
500+6.68 EUR
1000+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50APBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFPC50APBF. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50LCVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPC50LCPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50LCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 190W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 190W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 600V N-CH HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.31 EUR
30+5.76 EUR
50+5.31 EUR
100+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 180W
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.18 EUR
17+5.31 EUR
25+4.66 EUR
50+4.19 EUR
100+3.75 EUR
250+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.57 EUR
43+3.76 EUR
50+3.58 EUR
100+2.96 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.95 EUR
47+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
10+6.51 EUR
100+5.19 EUR
500+5.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBFТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.58 EUR
43+3.92 EUR
50+3.8 EUR
100+3.21 EUR
500+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPC50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.62 EUR
42+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRFPC60IRTO-247
auf Bestellung 37799 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60(N-CH U=600B, I=16A,TO-247AC) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRFPC60LCIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
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IRFPC60LCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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IRFPC60LCPBF(N-CH U=600B, I=16A,TO-247AC) Транзистори
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IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.45 EUR
22+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.67 EUR
22+7.87 EUR
100+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.2 EUR
17+10.34 EUR
25+9.16 EUR
50+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.02 EUR
10+8.52 EUR
100+7.35 EUR
500+7.33 EUR
1000+7.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.53 EUR
22+7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.6 EUR
25+11.22 EUR
100+9.46 EUR
500+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.33 EUR
14+6.44 EUR
25+5.82 EUR
50+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFPC60LCPBF
Produktcode: 34257
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.72 EUR
22+8.07 EUR
100+6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.09 EUR
18+9.92 EUR
100+7.91 EUR
500+6.5 EUR
1000+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.18 EUR
25+10.97 EUR
100+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.66 EUR
11+8.07 EUR
25+7.08 EUR
50+6.33 EUR
100+5.63 EUR
125+5.43 EUR
250+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBF
Produktcode: 113650
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.73 EUR
14+12.96 EUR
25+11.13 EUR
50+9.73 EUR
100+8.52 EUR
125+8.08 EUR
250+7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPC60PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.09 EUR
23+10.4 EUR
100+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 5817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.42 EUR
17+10.14 EUR
100+8.08 EUR
500+7.22 EUR
1000+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 5818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.39 EUR
17+9.89 EUR
100+7.76 EUR
500+6.82 EUR
1000+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.37 EUR
10+10.72 EUR
100+8.84 EUR
500+7.91 EUR
1000+7.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30
Produktcode: 23708
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.93 EUR
10+2.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 800V 4.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.13 EUR
10+7.63 EUR
100+5.9 EUR
500+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.62 EUR
42+4.01 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.95 EUR
27+6.47 EUR
100+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.4 EUR
10+8.32 EUR
100+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.62 EUR
42+4.09 EUR
100+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
150+1.12 EUR
152+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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IRFPE40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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IRFPE40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPE40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.4 A, 2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14 Stücke:
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IRFPE40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 800V
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IRFPE40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 155 Stücke:
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32+5.34 EUR
34+4.86 EUR
100+4.02 EUR
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IRFPE40PBF
Produktcode: 47298
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 5,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Montage: THT
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1+2.69 EUR
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IRFPE40PBFTO-247 Транзистори
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IRFPE40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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IRFPE40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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