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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MRF5812QorvoRF Bipolar Transistors RF Bipolar Trans
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MRF5812
Produktcode: 116227
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MRF5812Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MRF5812MICROSEMISOIC 8/ MRF5812
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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MRF5812Microchip TechnologyRF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
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MRF5812GMicrosemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MRF5812GR1Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MRF5812GR1MicrosemiТранзистори
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MRF5812GR1Advanced Semiconductor, Inc.RF Bipolar Transistors RF Transistor
auf Bestellung 2980 Stücke:
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MRF5812GR1MICROSEMISOIC 8/BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR MRF5812
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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MRF5812GR1Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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MRF5812GR2Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
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MRF5812GR2Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MRF5812LFAdvanced Semiconductor, Inc.RF Bipolar Transistors RF Transistor
auf Bestellung 996 Stücke:
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MRF5812LF-CPAdvanced Semiconductor, Inc.RF Bipolar Transistors RF Transistor
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MRF5812LFR2
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF5812MMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 15V 200MA
Packaging: Bulk
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MRF5812MR1Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 15V 200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MRF5812MR1MICROSEMI2004
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF5812MR2Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 15V 200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MRF5812R1Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MRF5812R1/R2
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF5812R2MICROSEMI
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF581AMicrosemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO-X
Packaging: Bulk
Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C)
Part Status: Obsolete
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MRF581AAdvanced Semiconductor, Inc.RF Bipolar Transistors RF Transistor
auf Bestellung 2804 Stücke:
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1+15.18 EUR
10+13.03 EUR
25+11.79 EUR
100+10.85 EUR
250+10.2 EUR
500+9.57 EUR
1000+8.59 EUR
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MRF581AGMicrosemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X
Packaging: Bulk
Package / Case: Macro-X
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: Macro-X
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF581GMicrosemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
Packaging: Bulk
Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MRF586Microchip TechnologyRF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
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MRF586MICROSEMITO-39/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS MRF586
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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MRF586Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 13.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 3GHz
Supplier Device Package: TO-39
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF586GMicrosemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MRF587MACOM Technology SolutionsDescription: TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01
Packaging: Tray
Package / Case: 244A-01
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 13dB
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 0.5GHz
Supplier Device Package: 244A-01, STYLE 1
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+207.08 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF587MACOMRF Bipolar Transistors Transistor,0.17W,500MHz,15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF587Advanced Semiconductor, Inc.RF Bipolar Transistors RF Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5943MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5943Advanced Semiconductor, Inc.RF Bipolar Transistors RF Transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5943CMOTOROLA
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5943R1
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5943R2
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5A
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5AMMOBel FuseFuses with Leads - Through Hole 5A 250V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P19100SMOTOROLATO-55
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P20180MOTOROLA
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF5P20180b
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF5P20180HFSL
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF5P20180HR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P20180HR6Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P20180R6
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF5P21045NR1Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-270AB
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 10W
Gain: 14.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 500 mA
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+71.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P21180freescaleTO-55
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P21180b
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P21180HMOTOROLA
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P21180HR5Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230
Frequency: 2.16GHz
Power - Output: 38W
Gain: 14dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.6 A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+266.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MRF5P21180HR5NXP (VIA ROCHESTER)Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5P21180HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 530 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-1230
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz
Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: 530W
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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MRF5P21180HR6Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P21180R5MOT07+;
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P21240MOTOROLATO-55
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P21240HFREESCALE
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P21240HR5NXP USA Inc.Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P21240HR6Freescale SemiconductorDescription: RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz
Power - Output: 52W
Gain: 13dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 2.2 A
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+340.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5P21240R6MOTOROLATO-55
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5S18060NBR1Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 1.88GHZ TO-272-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5S18060NR1Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 1.88GHZ TO-270-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5S190130HS
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF5S19060MBR1Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-272BB
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 12W
Gain: 14dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-272 WB-4
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 750 mA
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+104.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5S19060MBR1NXPDescription: NXP - MRF5S19060MBR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+169.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MRF5S19060MR1Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-270AB
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 12W
Gain: 14dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 750 mA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+103.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MRF5S19060N
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF5S19060NBFREESCALETO-55
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5S19060NBR1Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-272BB
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 12W
Gain: 14dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-272 WB-4
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 750 mA
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+104.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5S19060NBR1NXPDescription: NXP - MRF5S19060NBR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+169.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRF5S19060NR1NXP USA Inc.Description: FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4
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MRF5S19060NR1NXPDescription: NXP - MRF5S19060NR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MRF5S19060NR1NXP USA Inc.Description: FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4
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MRF5S19060NR1Freescale SemiconductorDescription: RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270
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MRF5S19090(PRF)b
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MRF5S19090HR3Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
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MRF5S19090HR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
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MRF5S19090HSR3Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
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MRF5S19090HSR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
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MRF5S19090LSMOTOROLATO-55
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MRF5S19100
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MRF5S19100H
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MRF5S19100HRNXP (VIA ROCHESTER)Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HR - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: 269W
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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50+144.22 EUR
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MRF5S19100HR3NXP USA Inc.Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
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MRF5S19100HR5Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 22W
Gain: 13.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
auf Bestellung 65 Stücke:
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5+119.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MRF5S19100HR5NXP (VIA ROCHESTER)Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: 269W
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+144.22 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MRF5S19100HSMOTOROLA
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MRF5S19100HSR3Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
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MRF5S19100HSR3MOTOROLA2004
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MRF5S19100HSR5NXP (VIA ROCHESTER)Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780S
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: 269W
Bauform - Transistor: NI-780S
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+151.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MRF5S19100HSR5Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 22W
Gain: 13.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
auf Bestellung 50 Stücke:
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5+125.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MRF5S19130MOTOROLATO-55
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF5S19130HMOTOROLA
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MRF5S19130HR3Freescale SemiconductorDescription: RF L BAND, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-957A
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2GHz
Power - Output: 26W
Gain: 13dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.2 A
auf Bestellung 3330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+246.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MRF5S19130HR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MRF5S19130HSFREESCALE
auf Bestellung 825 Stücke:
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MRF5S19130HSR3Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
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MRF5S19130HSR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
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MRF5S19150MOTOROLATO-55
auf Bestellung 13 Stücke:
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