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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7232DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
121+1.92 EUR
180+1.19 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.27 EUR
138+1.25 EUR
199+0.84 EUR
250+0.82 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 23W
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 38997 Stücke:
Lieferzeit 580-584 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.39 EUR
100+1.04 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.81 EUR
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3Vishay BCMOSFET 2N-CH 20V 25A PowerPAK 1212-8 Dual Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
121+1.92 EUR
180+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
112+1.55 EUR
160+1.05 EUR
200+0.98 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7233DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7234DP
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7234DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7234DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 21979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8 EUR
10+5.25 EUR
50+4.07 EUR
100+3.69 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7234DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 9804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.1 EUR
10+4.66 EUR
100+3.28 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.78 EUR
3000+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7234DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7234DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7234DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 2800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.9 EUR
500+3.27 EUR
1500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7234DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7234DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.82 EUR
55+3.08 EUR
100+2.5 EUR
250+2.44 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7234DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.82 EUR
55+2.98 EUR
100+2.37 EUR
250+2.26 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7234DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7234DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 2800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.29 EUR
50+5.64 EUR
100+3.9 EUR
500+3.27 EUR
1500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7235E
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7236DP
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7236DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7236DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR800DP-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7236DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7236DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR800DP-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7236DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 3014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7236DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 3014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7250CKSICDIP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PWRPK 100V 28.7A
auf Bestellung 33681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.42 EUR
135+1.25 EUR
136+1.19 EUR
137+1.14 EUR
146+1.02 EUR
250+0.98 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.49 EUR
9000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
91+2.55 EUR
123+1.75 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252ADP-T1-GE3Vishay BCMosfet Array 100V 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 9055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
50+2.5 EUR
100+2.25 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
122+1.76 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.46 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252DP-T1-GE3
Produktcode: 122330
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 25241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0997
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.57 EUR
52+4.55 EUR
61+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 44326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7270DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8A 17.8W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7270DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7272DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7272DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
80+2.9 EUR
120+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7272DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.69 EUR
117+1.38 EUR
118+1.32 EUR
140+1.07 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7272DP-T1-GE3Vishay Siliconix2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15, Qg, нКл = 26, Rds = 9,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 22, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERPACK SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7272DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
120+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7272DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 37864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.64 EUR
50+2 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7272DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.46 EUR
118+1.43 EUR
140+1.18 EUR
250+1.15 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7272DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 26447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.24 EUR
6000+1.21 EUR
9000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7272DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.44 EUR
9000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.13 EUR
9000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
109+1.98 EUR
500+1.62 EUR
1500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 40250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.39 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3
Produktcode: 160306
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
73+3.18 EUR
109+1.98 EUR
500+1.62 EUR
1500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.96 EUR
6000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 43023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.59 EUR
50+1.95 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 15.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI72C-08200Утримувач nanoSim карти типу PUSH-PUSH з контактом наявності картки HOLDER
auf Bestellung 5 Stücke:
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SI72F63BK4M1
auf Bestellung 393 Stücke:
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SI72XX-EVAL-KITSilicon LabsMagnetic Sensor Development Tools Si72xx Hall Effect Magnetic Sensor Kit
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+88.93 EUR
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SI72XX-EVAL-KITSilicon LabsDescription: SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si72xx
Sensor Type: Hall Effect
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+100.09 EUR
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SI72XX-EVAL-KITSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI72XX-EVAL-KIT - EVALUATIONSKIT, MAGNETSENSOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: Si7201, Si7202, Si7210, Si7211, Si7212, Si7213
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Silicon Laboratories
Lieferumfang des Kits: 6 Tochterplatinen im Briefmarkenformat, USB-Toolstick mit flexiblem Kabelsteckverbinder, 2 Magnete, 152.4mm langes, flexibles Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 2 Stücke:
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SI72XX-WD-KITSilicon LabsDescription: DEMO AND DEVELOPMENT KIT FOR SI7
Produkt ist nicht verfügbar
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SI72XX-WD-KITSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI72XX-WD-KIT - Development Kit, Si72xx, Hall-Effekt-Sensoren, präzise Positionserfassung
Prozessorkern: Si7201, Si7202, Si7210, Si7211, Si7212, Si7213
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: Silicon Laboratories
Lieferumfang des Kits: Starter-Kit EFM32, Board Si72XX-EXP, Boards Si7201/02/10/11/12/13, Flachbandkabel & USB-Kabel, Knopfzelle
Unterart Anwendung: Sensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI72XX-WD-KITSilicon LabsMagnetic Sensor Development Tools Demo and Development Kit for Si72xx Magnetic Sensors. Includes a degree accurate wheel measurement demo, and boards to evaluate the Si72xx Magnetic sensor family
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+755.97 EUR
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SI7300
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SI7300A
auf Bestellung 200 Stücke:
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SI7301E
auf Bestellung 100 Stücke:
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SI7302DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 54 Stücke:
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SI7302DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7302DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7303DNVISHAY05+
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7304DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7308DN
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7308DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
103+2.26 EUR
150+1.43 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 19931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.55 EUR
100+1.26 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.89 EUR
6000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
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SI7308DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
auf Bestellung 3897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7308DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.12 EUR
103+2.26 EUR
150+1.43 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7308DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7308DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.01 EUR
184+0.92 EUR
186+0.87 EUR
188+0.83 EUR
201+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
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