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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK15A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(STA4,X,S)ToshibaTK15A50D(STA4,X,S)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60DToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 15A 600V 50W 2600pF 0.37
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+3.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.12 EUR
2500+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60U
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60U(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60U(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60U(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 34950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.84 EUR
10000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15D60U (Q)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15E60UTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK15E60U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15E60UToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 15A 600V 170W 950pF 0.3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15H50C
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15H50C(Q)ToshibaTK15H50C(Q)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50DToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(F)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(F)ToshibaMOSFETs TO3P 500V 15A N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK15J50D(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.33 ohm, SC-65, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 210
Bauform - Transistor: SC-65
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(S1V,E,S)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U(F)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U(S1TET,F)ToshibaAptiv TERM DC HARN-SIDE WELD (PROTO)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U(SANKEN,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15S04N1L,LQToshibaMOSFETs 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.24 EUR
4000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.52 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.58 EUR
144+1.19 EUR
162+1.04 EUR
180+0.92 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15S04N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=46W F=1MHZ AEC-Q101
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.74 EUR
4000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15S04N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15S04N1LLQ(OToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15X60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15X60U(TE24L,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15X60U(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TFP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16031AM-XKOREA05+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16031AM1TL(TK16031AMITL)
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16031AMTL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1605800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1605800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 16P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 16
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1ToshibaMOSFET 60V N-ch single Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1,LTJXToshibaTK160F10N1,LTJX
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 4332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.38 EUR
10+6.2 EUR
100+4.41 EUR
500+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.39 EUR
2000+3.19 EUR
3000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L
Produktcode: 191278
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1LToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
10+4.2 EUR
100+3.06 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
auf Bestellung 19054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+3.92 EUR
100+2.87 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.57 EUR
51+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.57 EUR
51+3.38 EUR
100+3.19 EUR
250+3.03 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.78 EUR
2500+2.67 EUR
5000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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TK160F10N1L,LXGQToshibaMOSFETs PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
auf Bestellung 26372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.96 EUR
10+5.95 EUR
100+4.21 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+5.19 EUR
100+3.82 EUR
500+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK160F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LXGQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.31 EUR
50+4.08 EUR
100+3.86 EUR
250+3.65 EUR
500+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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TK160F10N1LLQ(OToshibaMOSFETs
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TK160F10N1LQ(OToshibaMOSFETs
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TK160F10N1LQ(O-XToshibaMOSFET
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TK16102MTLTOKO
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK16110MTOKO
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK16111MTL
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK16112MTCTOKO00+
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK16140MTLTOKO
auf Bestellung 8300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK16140MTL-G
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK16213M (TC)Description: BOATING TAPE KIT
Tape Included: 17002, 2120, 220, 310, 3431, 4950, 838, EMB-45R, SJ3000, SJ3550, SJ3560
Tape Type: Marine
Quantity: Hooks (2), Rolls (2), Strips (44)
Packaging: Bulk
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TK165A65Z5,S4XToshibaMOSFETs 650 V 0.165 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS
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TK165E65Z5,S1XToshibaMOSFETs 650 V 0.165 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS
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TK165U65Z5,RQToshiba POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK165V65Z5,LQToshiba POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=150W F=1MHZ
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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TK16893M (TC)Description: PLANT SAFETY TAPE KIT
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TK16A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 16A TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 16A 450V 50W 2300pF 0.27
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TK16A55DToshibaToshiba
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TK16A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS
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TK16A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 16A 550V 50W 2600pF 0.33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK16A60WToshiba
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TK16A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK16A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.54 EUR
10+3.86 EUR
100+3.28 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.48 EUR
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TK16A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VX
Produktcode: 215227
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.02 EUR
21+4.07 EUR
25+3.4 EUR
35+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.03 EUR
60+2.88 EUR
100+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
53+3.26 EUR
100+2.82 EUR
800+2.42 EUR
1600+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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