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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK155U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK155U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK155U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK155U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.122 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.9 EUR
47+4.96 EUR
100+3.86 EUR
500+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK155U65Z,RQ(SToshibaTK155U65Z,RQ(S
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK155U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK155U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.122 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.86 EUR
500+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK155U65Z,RQ(SToshibaTK155U65Z,RQ(S
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.92 EUR
50+3.71 EUR
100+3.51 EUR
250+3.33 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK155U65Z,RQ(SToshibaTK155U65Z,RQ(S
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK155U65ZRQ(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1560/CLilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 15.60" CAP 1920 X 1080
Packaging: Retail Package
Interface: AV, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 15.60" (396.24mm)
Touchscreen: Capacitive
Part Status: Active
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+742.77 EUR
5+680.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1560/T
Produktcode: 211897
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Optoelektronik > Indikatoren
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1560/TLilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 15.60" CAP 1920 X 1080
Packaging: Retail Package
Interface: AV, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 15.60" (396.24mm)
Touchscreen: Capacitive
Part Status: Active
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+853.1 EUR
5+798.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK156SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 6m
Version: mono
Cable length: 6m
Type of connection cable: Jack - Jack
Enclosure material: metal
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Insulation colour: black
Kind of core: OFC
Core section: 0.55mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK159SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 9m
Version: mono
Cable length: 9m
Type of connection cable: Jack - Jack
Enclosure material: metal
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Insulation colour: black
Kind of core: OFC
Core section: 0.55mm2
Number of cores: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A20D,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A20D,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 15A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15A
Power dissipation: 35W
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
auf Bestellung 106900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A20D,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK15A20D,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
108+2.15 EUR
146+1.46 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A20D,S4X(S)ToshibaN-channel MOSFET Transistor, 15 A, 200 V, 3-Pin SC-67 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A20DS4X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50DToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-CH 500V, 15A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(STA4,Q,M)
Produktcode: 191692
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 15A 500V 50W 2300pF 0.3
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
10+4.16 EUR
100+4.11 EUR
500+3.08 EUR
1000+3.01 EUR
2500+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.29 EUR
10+5.45 EUR
50+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(STA4,X,S)ToshibaTK15A50D(STA4,X,S)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A50D(STA4,X,S)ToshibaTK15A50D(STA4,X,S)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60DToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.69 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 15A 600V 50W 2600pF 0.37
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+3.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.12 EUR
2500+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60U
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60U(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60U(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.36 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15A60U(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 34950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.36 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.89 EUR
10000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15D60U (Q)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15E60UTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK15E60U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15E60UToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 15A 600V 170W 950pF 0.3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15H50C
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15H50C(Q)ToshibaTK15H50C(Q)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50DToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(F)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(F)ToshibaMOSFETs TO3P 500V 15A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK15J50D(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.33 ohm, SC-65, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 210
Bauform - Transistor: SC-65
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(S1V,E,S)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U(F)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U(S1TET,F)ToshibaAptiv TERM DC HARN-SIDE WELD (PROTO)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J60U(SANKEN,F)ToshibaToshiba
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TK15S04N1L,LQToshibaMOSFETs 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 1682 Stücke:
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1+4.19 EUR
10+2.03 EUR
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500+1.45 EUR
1000+1.37 EUR
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TK15S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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TK15S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK15S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 897 Stücke:
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5+4.3 EUR
10+2.74 EUR
50+2.07 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
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TK15S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1244 Stücke:
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117+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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TK15S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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TK15S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.68 EUR
50+1.25 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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TK15S04N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=46W F=1MHZ AEC-Q101
auf Bestellung 2860 Stücke:
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2+2.62 EUR
10+1.23 EUR
100+1.09 EUR
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2000+0.74 EUR
4000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK15S04N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK15S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK15S04N1LLQ(OToshibaMOSFETs
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TK15X60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
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TK15X60U(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TFP
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TK15X60U(TE24L,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 15A
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TK16031AM-XKOREA05+
auf Bestellung 1000 Stücke:
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TK16031AM1TL(TK16031AMITL)
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK16031AMTL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK1605800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK1605800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 16P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 16
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK160F10N1ToshibaMOSFET 60V N-ch single Power MOSFET
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TK160F10N1,LTJXToshibaTK160F10N1,LTJX
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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TK160F10N1,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8510 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.39 EUR
3000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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TK160F10N1,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8510 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.37 EUR
10+6.19 EUR
50+4.83 EUR
100+4.4 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK160F10N1LToshibaToshiba
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TK160F10N1L
Produktcode: 191278
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK160F10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.5 EUR
10+4.91 EUR
50+3.8 EUR
100+3.44 EUR
500+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
auf Bestellung 6616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+3.75 EUR
100+3.39 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.78 EUR
2000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.64 EUR
51+3.46 EUR
100+3.27 EUR
250+3.09 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.86 EUR
2500+2.73 EUR
5000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.64 EUR
51+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.15 EUR
10+6.06 EUR
50+4.72 EUR
100+4.3 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LXGQToshibaMOSFETs PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
auf Bestellung 26191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.96 EUR
10+4.65 EUR
100+4.21 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.31 EUR
3000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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TK160F10N1L,LXGQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.4 EUR
50+4.18 EUR
100+3.95 EUR
250+3.75 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1LLQ(OToshibaMOSFETs
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TK160F10N1LQ(OToshibaMOSFETs
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