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FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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FDD86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
auf Bestellung 3485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.05 EUR
80+2.93 EUR
100+2.4 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 155650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+1.86 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.49 EUR
10000+1.3 EUR
100000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
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FDD86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
auf Bestellung 9723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.66 EUR
10+3 EUR
50+2.27 EUR
100+2.05 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDD86102LZFairchildN-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.43 EUR
90+1.96 EUR
113+1.52 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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FDD86102LZonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 14201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3 EUR
100+2.03 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.44 EUR
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FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.24 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
105+2.05 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.43 EUR
90+1.92 EUR
113+1.46 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+1.86 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.49 EUR
10000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
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FDD86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.91 EUR
10+4.52 EUR
100+3.33 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.59 EUR
2500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+3.53 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
50+5.2 EUR
100+3.43 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.31 EUR
10+4.8 EUR
50+3.7 EUR
100+3.36 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+4.06 EUR
100+2.84 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.45 EUR
2500+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.99 EUR
100+3.59 EUR
250+3.49 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86110onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86113LZONS/FAIMOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.92 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
134+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86113LZonsemi / FairchildMOSFETs 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.86 EUR
100+1.36 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 3.1W; DPAK,TO252
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 4.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
91+2.57 EUR
134+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V
auf Bestellung 13220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
50+1.74 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 5557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 5557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
74+3.15 EUR
100+2.68 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 22850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+1.92 EUR
100+1.51 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
auf Bestellung 4485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.53 EUR
50+1.92 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
50+2.95 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.13 EUR
92+1.87 EUR
93+1.8 EUR
104+1.54 EUR
250+1.48 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.51 EUR
5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085onsemiMOSFETs NMOS DPAK 150V 22 MOHM
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+4.06 EUR
100+2.81 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.18 EUR
2500+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
auf Bestellung 6034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.51 EUR
5000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 160W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.13 EUR
92+1.9 EUR
93+1.87 EUR
104+1.63 EUR
250+1.59 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
auf Bestellung 6034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.34 EUR
53+4.4 EUR
100+2.81 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252onsemiMOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
auf Bestellung 23677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.03 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+1.59 EUR
1250+1.51 EUR
1875+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 82775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
83+2.81 EUR
100+2.2 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.17 EUR
163+1.06 EUR
165+1.01 EUR
167+0.95 EUR
250+0.9 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.09 EUR
165+1.07 EUR
167+1.04 EUR
250+1 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252
Produktcode: 154884
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252onsemi / FairchildMOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
auf Bestellung 35553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+1.29 EUR
100+1.15 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.12 EUR
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5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 82775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 ON SemiconductorON-SemiconductorN-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 TFDD86252
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86326onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 26507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+4.08 EUR
100+2.83 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.2 EUR
2500+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86326Fairchild SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.63 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86326onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
auf Bestellung 6620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.95 EUR
10+3.87 EUR
50+2.96 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86326onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 28280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+2.39 EUR
100+2.09 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.75 EUR
2500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86326ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86326onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86367 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367onsemiMOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+4.05 EUR
100+2.76 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.15 EUR
2500+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.94 EUR
250+2 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.83 EUR
2500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.89 EUR
10+3.82 EUR
50+2.93 EUR
100+2.64 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367-F085onsemiMOSFETs MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+2.89 EUR
100+2.62 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.07 EUR
2500+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.76 EUR
5000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 2827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH