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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
50+0.9 EUR
100+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 48300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
952+0.69 EUR
1032+0.62 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 952 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 32A
auf Bestellung 8087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
126+1.7 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
100+2.34 EUR
126+1.7 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.51 EUR
69+1.24 EUR
82+1.04 EUR
100+0.94 EUR
250+0.87 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
1500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
auf Bestellung 5858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60HLXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.09 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
1500+1.15 EUR
3000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.9 EUR
55+4.3 EUR
100+3 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60HLXNexperiaPSMN013-60HLX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+3.05 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.56 EUR
50+2.7 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+3.05 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.87 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.21 EUR
1500+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.65 EUR
40+5.81 EUR
100+3.32 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
150+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
auf Bestellung 6765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 53A
auf Bestellung 35083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.74 EUR
50+1.29 EUR
100+1.14 EUR
1500+0.76 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.51 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.69 EUR
3000+0.63 EUR
4500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
100+2.34 EUR
150+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.49 EUR
119+1.45 EUR
153+1.09 EUR
257+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.88 EUR
3000+0.81 EUR
4500+0.77 EUR
7500+0.74 EUR
10500+0.71 EUR
15000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 40 V
auf Bestellung 16943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+1.94 EUR
100+1.3 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-80YS,115NexperiaMOSFETs PSMN013-80YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.12 EUR
100+1.38 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
1500+0.87 EUR
3000+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40HLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40HLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
1500+0.79 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40HLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
121+1.77 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40HLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+1.96 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40HLDXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 7094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40HLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
auf Bestellung 2844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.5 EUR
50+1.88 EUR
100+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40HLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40HLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
81+2.88 EUR
121+1.77 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaMOSFETs PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 41866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.56 EUR
3000+0.51 EUR
4500+0.49 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.48 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 1144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.57 EUR
124+1.88 EUR
149+1.44 EUR
200+1.14 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V
auf Bestellung 9983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
10+2.48 EUR
50+1.86 EUR
100+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.86 EUR
105+2.05 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-60HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 30A
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
61+3.86 EUR
105+2.05 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-60HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin LFPAK-D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-60LS,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YL115Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+1.75 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 4336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.07 EUR
101+2.32 EUR
114+1.88 EUR
200+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+1.75 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.81 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 62A
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+1.76 EUR
100+1.57 EUR
1000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
101+2.32 EUR
114+1.88 EUR
200+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-80YLXNXPMOSFET N-CH 80V LFPAK56 Транзистори
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100B
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
65+3.62 EUR
75+2.87 EUR
100+2.38 EUR
250+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.89 EUR
108+1.56 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100B,118NexperiaMOSFETs PSMN015-100B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 5183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+3 EUR
100+2.14 EUR
800+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
250+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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