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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIRA50ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.3 EUR
9000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA50ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA50ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 219 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 219A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA50DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA50DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA50DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 8637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.59 EUR
51+4.59 EUR
100+3.21 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA50DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 10325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.72 EUR
100+2.57 EUR
500+2.09 EUR
1000+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA50DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 62.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA50DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA50DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA50DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 13030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
112+1.92 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA52ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 131
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
10+2.69 EUR
100+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
10+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.49 EUR
100+1.94 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52DP-T1-RE3VishayN-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA54ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA54ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 5478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.4 EUR
75+3.13 EUR
106+2.03 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.51 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA54ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 36.2A
auf Bestellung 12788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.14 EUR
100+1.93 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA54ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA54ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 5478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.13 EUR
106+2.03 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.51 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA54DP-T1-GE3VishaySIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.83 EUR
304+0.55 EUR
309+0.52 EUR
314+0.5 EUR
319+0.46 EUR
324+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA54DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.57 EUR
100+1.18 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA54DP-T1-GE3VishaySIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA54DP-T1-GE3VishaySIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
309+0.56 EUR
314+0.55 EUR
319+0.52 EUR
324+0.51 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA58ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
auf Bestellung 10340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
11+1.92 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA58ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA58ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA58ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.94 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA58ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 32.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA58ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 10584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.95 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA58DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 109A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA58DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA58DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+1.21 EUR
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA58DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DDP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DDP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.19 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DDP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DDP-T1-UE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 193A; Idm: 500A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 39.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 193A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.14 EUR
6000+1.08 EUR
9000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 780 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 780µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
125+1.73 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
auf Bestellung 10078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
10+2.26 EUR
100+1.76 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 12881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.96 EUR
100+1.65 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
89+2.62 EUR
104+2.07 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.2 EUR
100+1.82 EUR
250+1.7 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.81 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
3000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 0.94 m 10V 1.35 m 4.5V
auf Bestellung 5867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+2.56 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DDP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4344 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 191A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DDP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.31 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
3000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DDP-T1-UE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 153A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 153A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 71W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DDP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4344 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 191A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.4A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+2.7 EUR
100+2 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
3000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 80A; Idm: 300A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 1.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 51.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
122+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.07 EUR
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 51.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.4A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
10+3.14 EUR
100+2.14 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 51.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
95+2.46 EUR
122+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.07 EUR
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 51.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA64DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SIRA64DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SIRA64DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SIRA64DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.74 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA64DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA64DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
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SIRA64DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 13320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.54 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIRA64DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
auf Bestellung 6673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
13+1.74 EUR
100+1.36 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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SIRA64DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA64DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA66DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA66DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
3000+1.32 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIRA66DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA72DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.82 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA72DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA72DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA74DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA74DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 81.2 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
125+1.87 EUR
174+1.24 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA74DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
14+1.52 EUR
100+1.19 EUR
500+1 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA74DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA74DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 24A
auf Bestellung 8198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.69 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA74DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.77 EUR
6000+0.74 EUR
9000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA74DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA74DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 81.2 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
125+1.87 EUR
174+1.24 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA74DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA80DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
104+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA80DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 335A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA80DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 535-539 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.47 EUR
100+2.51 EUR
500+2.12 EUR
1000+2 EUR
3000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA80DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
73+3.18 EUR
104+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA80DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA80DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 268A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 930µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA80DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA84BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
203+1.15 EUR
236+0.9 EUR
500+0.67 EUR
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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