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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK172PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.22 EUR
5+20.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK172PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.22 EUR
5+20.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK173PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK173PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK173PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK173PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK173PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65UToshibaMOSFETs Super Junction Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(Q,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(S5PHI,Q,MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U,S5Q(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U,S5SOYX(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.19 EUR
10+4.19 EUR
100+3.8 EUR
500+3.12 EUR
1000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.09 EUR
46+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5X(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.8 EUR
42+4.15 EUR
50+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5,S5XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.76 EUR
35+4.88 EUR
39+4.16 EUR
50+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.19 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.65 EUR
34+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5,S5X(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.76 EUR
35+4.99 EUR
39+4.32 EUR
50+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5S5X(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65WS5X(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65WS5X(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A80W,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.84 EUR
10+11.14 EUR
100+9.01 EUR
500+8.02 EUR
1000+7.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A80W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.94 EUR
50+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.95 EUR
34+6.94 EUR
100+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A80W,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7 EUR
50+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A80WS4X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E65WToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E65W,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E65WS1X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80WToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80W,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80W,S1X(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.79 EUR
29+8.12 EUR
100+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80W,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80WS1X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17J65U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17J65U(F)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 17A 650V 190W 1450pF 0.26
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17LV040
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17N65W,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.71 EUR
10+8.33 EUR
120+6.14 EUR
510+5.46 EUR
1020+4.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.88 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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TK17N65WS1F(SToshibaArray
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TK17V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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TK17V65W,LQToshibaMOSFETs DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
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TK17V65W,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 5-Pin DFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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TK18.432MH204+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK1805800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 18P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 18
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2030 Stücke
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TK1805800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
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 Mindestbestellmenge: 2030 Stücke
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TK1840VISHAY04+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK18813M (TC)Description: ART TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Part Status: Obsolete
Tape Included: 3903, 4008, 4408, 6900, 850, CM592, SJ5012, SJ6512
Tape Type: Household
Quantity: Rolls (4), Strips (49)
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TK18A30D,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 300V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK18A30D,S5XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+2.39 EUR
100+2.07 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A30D,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.65 EUR
10+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TK18A30DS5X(MToshibaMOSFETs
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TK18A50D
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK18A50DToshibaMOSFET
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TK18A50D(Q)TOSHIBA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK18A50D(QM)ToshibaMOSFET
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TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.18 EUR
43+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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TK18A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 18A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Technology: MOSFET
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.65 EUR
10+4.44 EUR
100+3.94 EUR
500+3.31 EUR
1000+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4,X,M)Toshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4,X,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK18A50D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4XM)ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18C60VS1VQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18E10K3,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18E10K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 18A 100V 71W 0.042 Ohm
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18E10K3,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18E10K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18E60VS1VX(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18G60VRQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1905800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1905800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 19P SIDE ENTRY 5MM PCB
Voltage: 250 V
Number of Levels: 1
Current: 15 A
Part Status: Active
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Positions Per Level: 19
Mating Orientation: Horizontal with Board
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Wire Gauge: 12-22 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Gray
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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