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TK16V60W5,LVQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ
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TK16V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 5-Pin DFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.29 EUR
34+6.99 EUR
100+4.61 EUR
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1000+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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TK16V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.61 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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TK16V60W5LVQ(SToshibaMOSFET
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TK16V60WLVQ(SToshibaMOSFETs
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TK17020TLTOKOSOP8
auf Bestellung 282 Stücke:
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TK17021LTL
auf Bestellung 1081 Stücke:
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TK17024MTLTOKO2004
auf Bestellung 2190 Stücke:
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TK17024MTL-G2006
auf Bestellung 125000 Stücke:
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TK17030MTL
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK17030MTL-G
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK17030MTL/030
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK17040MTLTOKO
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK17040MTL/040
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK1705800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
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 Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1705800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 17P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 17
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK170V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
auf Bestellung 4933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.92 EUR
10+5.9 EUR
50+4.61 EUR
100+4.19 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK170V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQToshibaMOSFETs MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
auf Bestellung 4670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.96 EUR
10+4.63 EUR
100+4.21 EUR
500+3.67 EUR
2500+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.33 EUR
27+6.45 EUR
29+5.82 EUR
50+5.18 EUR
100+4.49 EUR
250+3.67 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.99 EUR
500+4.63 EUR
1000+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.33 EUR
27+6.59 EUR
29+6.03 EUR
50+5.46 EUR
100+4.87 EUR
250+4.08 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.97 EUR
32+7.47 EUR
100+4.99 EUR
500+4.63 EUR
1000+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Gate charge: 29nC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.15 EUR
50+6.49 EUR
100+5.66 EUR
250+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65ZLQ(SToshibaArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17119FTOKO04+ SOT-23-8
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK172PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK172PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK172PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK172PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK172PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK173PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK173PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK173PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK173PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK173PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 3m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 3m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65UToshibaMOSFETs Super Junction Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(Q,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(S5PHI,Q,MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U,S5Q(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65U,S5SOYX(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.33 EUR
10+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.19 EUR
10+4.19 EUR
100+3.8 EUR
500+3.12 EUR
2500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.77 EUR
39+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.9 EUR
42+4.25 EUR
50+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W,S5X(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5,S5XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
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TK17A65W5,S5X(MToshiba
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TK17A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.19 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.65 EUR
34+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A65W5,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.89 EUR
35+5 EUR
39+4.26 EUR
50+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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TK17A65W5,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.89 EUR
35+5.11 EUR
39+4.43 EUR
50+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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TK17A65W5S5X(MToshibaMOSFETs
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TK17A65WS5X(MToshibaMOSFETs
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TK17A65WS5X(M-XToshibaMOSFET
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TK17A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A80W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.94 EUR
50+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK17A80W,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.84 EUR
10+11.14 EUR
100+9.01 EUR
500+8.02 EUR
1000+7.1 EUR
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TK17A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK17A80W,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.15 EUR
50+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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TK17A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.95 EUR
34+6.94 EUR
100+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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TK17A80WS4X(SToshibaMOSFETs
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TK17E65WToshibaArray
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TK17E65W,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
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TK17E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK17E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK17E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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TK17E65WS1X(SToshibaMOSFETs
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TK17E80WToshibaArray
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TK17E80W,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
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TK17E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK17E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK17E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.79 EUR
29+8.12 EUR
100+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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TK17E80W,S1X(SToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80W,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17E80WS1X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17J65U(F)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 17A 650V 190W 1450pF 0.26
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17J65U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17LV040
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17N65W,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.38 EUR
10+6.14 EUR
120+4.57 EUR
510+3.83 EUR
1020+3.56 EUR
2520+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK17N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.3 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.88 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17N65WS1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17V65W,LQToshibaMOSFETs DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17V65W,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH