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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSS05-12VARCO
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS10PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100InfineonТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100INFINEON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS101INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS11PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS110onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS110onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
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BSS110INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS119infineon03/04+ SOT23
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS119 E6327INFINEONsSh/23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS119 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E6433Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7796Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7796Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7978Infineon Technologies
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7978Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS119 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs
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BSS119 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 86725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3551+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3551 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L7796Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L7978Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119L6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
auf Bestellung 86725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2358+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2358 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NInfineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 29882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H6327Infineon
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H7796Infineon TechnologiesBSS119NH7796
auf Bestellung 8803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7110+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 7110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H7796Infineon TechnologiesBSS119NH7796
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7110+0.092 EUR
10000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 7110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6918+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6918 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,6 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 190 мA, 10 В, Ugs(th) = 2,3 В @ 13 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 250 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 50 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1InfineonN-Channel 100V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.064 EUR
24000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.088 EUR
6000+0.075 EUR
9000+0.061 EUR
24000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2445+0.071 EUR
2519+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 2445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1
Produktcode: 118883
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,6, Rds = 6 Ом, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 70723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+0.086 EUR
9000+0.07 EUR
24000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 16495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.74 EUR
672+0.35 EUR
918+0.24 EUR
1511+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+0.48 EUR
605+0.27 EUR
967+0.17 EUR
1273+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
605+0.29 EUR
967+0.18 EUR
1273+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 16495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.74 EUR
672+0.35 EUR
918+0.24 EUR
1511+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
auf Bestellung 4272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.24 EUR
481+0.18 EUR
693+0.12 EUR
812+0.1 EUR
1166+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 6433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+0.083 EUR
9000+0.068 EUR
24000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 18803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4724+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4724 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesBSS119NH7978XTSA1
auf Bestellung 14450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2667+0.25 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 98450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1771+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1771 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesBSS119NH7978XTSA1
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2667+0.25 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS12PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123
Produktcode: 220789
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JCETTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 0,17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 29/1,4
Montage: SMD
auf Bestellung: 2000 St.
  • 2000 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.12 EUR
10+0.086 EUR
100+0.063 EUR
1000+0.046 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1494000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4785+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 4785 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123InfineonN-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 450270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.8 EUR
752+0.31 EUR
863+0.25 EUR
1017+0.21 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 24797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.25 EUR
481+0.18 EUR
658+0.13 EUR
756+0.11 EUR
1047+0.081 EUR
1166+0.073 EUR
1500+0.068 EUR
3000+0.058 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123YFWTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.098 EUR
9000+0.094 EUR
12000+0.09 EUR
27000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 450270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.8 EUR
752+0.31 EUR
863+0.25 EUR
1017+0.21 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ROHM SemiconductorMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NextGen ComponentsDescription: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 50 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123MDD(Microdiode Electronics)Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
auf Bestellung 2113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
219+0.096 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123FairchildN-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 294 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1494000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123GOODWORKDescription: 100V 170mA 6@10V SOT-23
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BSS123Yangzhou Yangjie ElectronicN-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори
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BSS123YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 450 Stücke:
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450+0.19 EUR
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BSS123SHIKUESTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
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1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS123Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 4687 Stücke:
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77+0.27 EUR
129+0.17 EUR
209+0.1 EUR
500+0.073 EUR
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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BSS123HT SEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 11990 Stücke:
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3000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7693+0.023 EUR
60000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 7693 Stücke
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BSS123ONS/FAIN-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори
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BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 33000 Stücke:
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3000+0.18 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123onsemiMOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 298841 Stücke:
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5+0.83 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS123UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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