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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| HP8KE5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8KE5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8.5 A, 0.193 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KE5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8KE6TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KE6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8KE6TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8KE6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KE6TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | auf Bestellung 4870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8KE6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8KE6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KE7TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8KE7TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KE7TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KE7TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | auf Bestellung 4740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8KE7TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8KE7TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KE7TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KF7HTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 150V DUAL 18.5A | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8KF7HTB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KF7HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 18.5 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KF7HTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 6A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8KF7HTB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KF7HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 18.5 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8M31TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7W euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8M31TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active | auf Bestellung 2473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8M31TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8M31TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7W euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8M31TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET | auf Bestellung 4053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8M31TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8M31TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8M51TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V Nch+Pch Power MOSFET | auf Bestellung 2283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8M51TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 3W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 667 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8M51TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8M51TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 3W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8MA2TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8MA2TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8MA2TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | auf Bestellung 1674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8MA2TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8MA2TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET | auf Bestellung 1388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8MB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8MB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8MB5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8MB5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | auf Bestellung 4945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8MB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8MB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8MB5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | auf Bestellung 4666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8MC5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8MC5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8MC5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 87 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8MC5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8ME5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.273ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8ME5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3642 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8ME5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8ME5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | auf Bestellung 10423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8ME5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8ME5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.273ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8ME5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8ME5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 2314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8P | auf Bestellung 6230 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| HP8Q | auf Bestellung 4115 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| HP8S36 | ROHM Semiconductor | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8S36TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8S36TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 29W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Not For New Designs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8S36TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8S36TB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8S36TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 29W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HP8S36TB Produktcode: 174887
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