Produkte > IDW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO247-3; 112W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO247-3 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 87A Leakage current: 4.1µA Power dissipation: 112W Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 6720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW20S120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW20S120FKSA1 - IDW20S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW24G65C5B | Infineon | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW24G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 650V 12A PGTO2473 Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW24G65C5BXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30C65D1 | Infineon technologies | auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW30C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE 650V 30A RAPID1 TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30C65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30C65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 71 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 71ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30C65D2 | Infineon technologies | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW30C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30C65D2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30C65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 32 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.2V Sperrverzögerungszeit: 32ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid2 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR GP 650V 15A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30E60 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io): 60A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io): 60A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io): 60A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30E65D1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 60A TO247-3-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E65D1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS Rapid Switching | auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 63915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 96960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 60A TO247-3-1 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Current - Average Rectified (Io): 60A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30E65D1FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30E65D1FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 1.35 V, 66 ns, 240 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 66ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW30 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G120C5B | Infineon | IDW30G120C5BFKSA1 DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G120C5B Produktcode: 187569
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| Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW30G120C5B | Infineon technologies | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW30G120C5B | Infineon Technologies | Infineon SIC DISCRETE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 44A PGTO2473 Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 44A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW30G65C5FKSA1 - IDW30G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 12368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 30A PGTO24731 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V | auf Bestellung 12368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 30A PGTO24731 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 8486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V | auf Bestellung 1201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW30G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 42nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW32G65C5BXKSA1 - IDW32G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW32G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40E65D1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS Rapid Switching | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40E65D1 | Infineon technologies | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D1FKSA1 | Infineon | Diode Switching 650V 80A TO-247 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Current - Average Rectified (Io): 80A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 129 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40E65D1FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40E65D1FKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.35 V, 77 ns, 320 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 77ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: IDW40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW40E65D2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40E65D2 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS Rapid Switching | auf Bestellung 2236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40E65D2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40E65D2FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.6 V, 36 ns, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 36ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW40E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 80A PGTO24731 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | auf Bestellung 1657 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40E65D2FKSA1 | Infineon | Diodes - General Purpose, Power, Switching INDUSTRY 14 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5B | Infineon | IDW40G120C5BFKSA1 Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5B | Infineon Technologies | Infineon SIC DISCRETE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 325-329 Tag (e) |
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| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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