Produkte > IQE

Wählen Sie Seite: [ << Vorherige Seite ] 1 2 3 4 5 [ Nächste Seite >> ]

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Privatkunde

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.74 EUR
10+	2.32 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.63 EUR
2500+	1.58 EUR
5000+	1.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 205A; 107W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 107W
Drain current: 205A
Case: TSON8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 7826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.31 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.94 EUR
5000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active

auf Bestellung 5836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.64 EUR
10+	4.33 EUR
50+	3.33 EUR
100+	3.01 EUR
500+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.71 EUR
10+	2.76 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.89 EUR
2500+	1.87 EUR
5000+	1.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 7826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	7.75 EUR
50+	4.64 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.01 EUR
5000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 13286 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.99 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.07 EUR
2500+	1.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.38 EUR
10+	4.81 EUR
50+	3.71 EUR
100+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6000+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6368 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	7.38 EUR
52+	4.55 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 32818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.57 EUR
10+	3.67 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2.12 EUR
6000+	1.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

auf Bestellung 29322 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.06 EUR
10+	4.62 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6368 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	7.38 EUR
52+	4.55 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6SCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 2949 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	8.52 EUR
46+	5.15 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 4165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.9 EUR
10+	3.83 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	2.12 EUR
2500+	2.09 EUR
6000+	2.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6SCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 2949 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	8.52 EUR
46+	5.15 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

auf Bestellung 10525 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.06 EUR
10+	3.93 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.72 EUR
10+	4.38 EUR
50+	3.37 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE018N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.11 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 25A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE018N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	7.68 EUR
50+	4.64 EUR
100+	3.11 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 25A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE018N06NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.11 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 25A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 4930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.72 EUR
10+	4.38 EUR
50+	3.37 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE018N06NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	7.68 EUR
50+	4.64 EUR
100+	3.11 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 25A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

auf Bestellung 1439 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.62 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	2.03 EUR
2500+	1.93 EUR
6000+	1.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 25A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 5410 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.71 EUR
10+	3.71 EUR
50+	2.83 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 25A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6SCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 25A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

auf Bestellung 4768 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.7 EUR
10+	3.37 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.49 EUR
2500+	2.39 EUR
6000+	2.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V

auf Bestellung 3690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.81 EUR
10+	4.44 EUR
50+	3.43 EUR
100+	3.09 EUR
500+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6SCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 25A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE020N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

auf Bestellung 3936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.82 EUR
10+	2.37 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.67 EUR
2500+	1.61 EUR
5000+	1.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE020N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE020N04LM6CGATMA1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE020N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE020N04LM6CGATMA1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.88 EUR
10+	3.14 EUR
50+	2.39 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE020N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE020N04LM6CGSCATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE020N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

auf Bestellung 4712 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.26 EUR
10+	2.62 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.77 EUR
2500+	1.71 EUR
6000+	1.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE020N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE020N04LM6CGSCATMA1

auf Bestellung 4415 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.34 EUR
10+	3.45 EUR
50+	2.64 EUR
100+	2.38 EUR
500+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.02 EUR
500+	2.74 EUR
1000+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5ATMA1

INFINEON

auf Bestellung 4900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.54 EUR
53+	4.45 EUR
100+	3.02 EUR
500+	2.74 EUR
1000+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CG

Infineon Technologies

IFX FET 60V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R

auf Bestellung 4400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	2.12 EUR
88+	1.89 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.78 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.68 EUR
3000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 82 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

auf Bestellung 3153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.24 EUR
10+	3.38 EUR
50+	2.58 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm

auf Bestellung 4618 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.25 EUR
56+	4.15 EUR
100+	3 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 4456 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.76 EUR
10+	4.41 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.39 EUR
2500+	2.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	5.05 EUR
52+	3.19 EUR
53+	3.09 EUR
100+	2.36 EUR
250+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm

auf Bestellung 4618 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R

auf Bestellung 4400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	2.12 EUR
88+	1.82 EUR
100+	1.73 EUR
250+	1.64 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.48 EUR
3000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 82 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.25 EUR
10+	5.4 EUR
100+	3.94 EUR
500+	3.31 EUR
1000+	3.19 EUR
2500+	3.06 EUR
6000+	2.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

auf Bestellung 3304 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.23 EUR
10+	5.41 EUR
100+	3.81 EUR
500+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm

auf Bestellung 5940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	9.84 EUR
39+	5.99 EUR
100+	4.02 EUR
500+	3.21 EUR
1000+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm

auf Bestellung 5940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.02 EUR
500+	3.21 EUR
1000+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5SCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE022N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 5994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.32 EUR
47+	4.99 EUR
100+	3.38 EUR
500+	3.06 EUR
1000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

auf Bestellung 5006 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.75 EUR
10+	4.4 EUR
100+	3.07 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5SCATMA1

INFINEON

auf Bestellung 5994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.38 EUR
500+	3.06 EUR
1000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE022N06LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 5492 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.58 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.01 EUR
500+	2.57 EUR
1000+	2.51 EUR
6000+	2.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE030N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 287 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE030N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 287 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	8.9 EUR
45+	5.27 EUR
100+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.94 EUR
10+	3.19 EUR
50+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.27 EUR
47+	4.96 EUR
100+	3.27 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5CGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.27 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE030N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 4063 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.86 EUR
10+	2.39 EUR
100+	2.14 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.67 EUR
2500+	1.57 EUR
5000+	1.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Wählen Sie Seite: [ << Vorherige Seite ] 1 2 3 4 5 [ Nächste Seite >> ]