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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXSH35N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 70A TO-247AD
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH35N140AIXYSIGBT Transistors 70 Amps 1400V 4 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH35N140A
Produktcode: 62775
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH35N140AIXYSDescription: IGBT 1400V 70A 300W TO247
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N120L2KHVIXYSDescription: 1200V 80M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.18 EUR
10+12.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.83 EUR
10+11.98 EUR
120+8.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N60IXYSIGBT Transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N60AIXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/400ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N60AIXYSIGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 600V, 40A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N60BIXYSMODULE
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 280 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N60BIXYSIGBT Transistors 75 Amps 600V 2.2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N60B2D1IXYSIGBT Transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO247
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N65L2KHVIXYSDescription: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.26 EUR
10+11.08 EUR
450+6.99 EUR
900+6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N65L2KHVIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.31 EUR
10+11.13 EUR
100+7.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH45N100IXYSDescription: IGBT 1000V 75A TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 45A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 165 nC
Test Condition: 800V, 45A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 15mJ (off)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH45N100IXYSIGBT Transistors IGBT SCSOA 1000V 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH45N120IXYSDescription: IGBT 1200V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 960V, 45A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 21mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 45A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH45N120IXYSIGBT Transistors 45 Amps 1200V 3 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH45N120(Transistor)
Produktcode: 82135
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH45N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 75A TO-247AD
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 960V, 45A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 13mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/360ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 45A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH45N120BIXYSIGBT Transistors 75 Amps 1200V 3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH50N60BIXYSDescription: IGBT 600V 75A 250W TO247
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 167 nC
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/150ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH60N65L2KHVIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.6 EUR
10+13.51 EUR
100+9.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH60N65L2KHVIXYSDescription: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.98 EUR
10+13.76 EUR
450+8.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH65N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.13 EUR
10+15.77 EUR
100+11.69 EUR
450+11.46 EUR
900+11.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH80N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.79 EUR
10+18.79 EUR
120+14.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH80N120L2KHVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 58A; Idm: 198A; 395W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...23V
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 58mΩ
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 198A
Power dissipation: 395W
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ25N120R1IXYSDescription: 1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 75.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.3mA
Supplier Device Package: ISO247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1435 pF @ 800 V
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.71 EUR
30+18.22 EUR
120+15.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ25N120R1IXYSSiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.16 EUR
10+17.89 EUR
120+16.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ43N120R1IXYSSiC MOSFETs 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.41 EUR
10+30.94 EUR
120+26.73 EUR
510+25.3 EUR
1020+23.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ43N120R1IXYSDescription: 1200V 36M (43A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: ISO247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +12V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 800 V
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.61 EUR
30+20.31 EUR
120+17.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ43N120R1KIXYSDescription: 1200V 36M (43A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 143.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: ISO247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ43N120R1KIXYSSiC MOSFETs 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ50N60B4D1IXYSNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 34 Amps 600V 2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ80N120R1IXYSSiC MOSFETs 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.53 EUR
10+52.67 EUR
120+46.52 EUR
510+43.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK30N60BD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK30N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK30N60CD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK30N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK30N60CD1
Produktcode: 37957
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK30N60CD1IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK35N120AU1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO264
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Bulk
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 960V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 10mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK35N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO264
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK40N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 280W TO264
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 190 nC
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK40N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 280W TO264
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 190 nC
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/70ns
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK50N60AU1IXYS09+ QFN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK50N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/200ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK50N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/150ns
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK50N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/150ns
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSK80N60BIXYSDescription: IGBT 600V 160A 500W TO264
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 500 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 240 nC
Test Condition: 480V, 80A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 4.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/140ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN35N100U1IXYSDescription: IGBT MOD 1000V 38A 205W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 205 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN35N100U1IXYSMODULE
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN35N100U1IXYSIGBT Transistors 35 Amps 1000V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN35N120AU1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 70A 300W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.9 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN35N120AU1IXYSIGBT Transistors 35 Amps 1200V 4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN35N120U1IXYS05+ WL
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN40N60AU1IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN50N60BD2IXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 250W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.85 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN50N60BD3IXYSIGBTs 75 Amps 600V 2.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN50N60BD3IXYSDescription: IGBT 75A 600V SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN50N60U1IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN52N60AU1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 80A 250W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN52N60AU1IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN52N60AU1Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN55N120AIXYSDescription: IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN55N120AU1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN55N12AU1IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN62N60U1IXYSMODULE
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN62N60U1IXYSDescription: IGBT 90A 600V SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN62N60U1 IGBTIXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN80N60AU1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN80N60BD1
Produktcode: 168773
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSN80N60BD1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 420W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 420 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSP10N60B2D1
Produktcode: 105391
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSP10N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 20A TO-220-3
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 480V, 10A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/180ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSP15N120BIXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-220-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSP20N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 35A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 190 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSP24N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 48A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSQ20N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 35A TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Gate Charge: 33 nC
Switching Energy: 380µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 190 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSR35N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 250W ISOPLUS247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSR40N60BD1IXYSDescription: IGBT PT 600V 70A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 170 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSR40N60CD1IXYSDescription: IGBT PT 600V 62A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/70ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 210 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSR50N60BIXYSDescription: IGBT 600V ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSR50N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST15N120BIXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST15N120BD1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST24N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-268AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST30N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 55A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST30N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 48A 250W TO268
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Gate Charge: 50 nC
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 550µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST30N60BD1IXYSIGBTs 55 Amps 600V 2 Rds
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST30N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO268
Gate Charge: 100 nC
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST30N60CIXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST30N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST35N120BIXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO268
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST40N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO268AA
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 190 nC
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST40N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXST45N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 75A TO-268AA
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 960V, 45A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 13mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/360ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 45A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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