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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
KSD1408YTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 12348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
358+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1408YTUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 6197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
50+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.04 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1408YTUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+1.75 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.05 EUR
5000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1412SLittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1412SLittelfuseTime Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1412SLittelfuse Inc.Description: RELAY TIME DELAY 2 SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 2 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD14130SLittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD14130SLittelfuseTime Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD14130SLittelfuse Inc.Description: RELAY TIME DELAY 30SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 30 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1413TUonsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 3A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1417onsemi / FairchildDarlington Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1417TUonsemiDescription: TRANS NPN DARL 60V 7A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 14mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1420Littelfuse Inc.Description: RELAY TIME DELAY 10SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1420LittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1420LittelfuseTime Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1588OTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1588RTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1588YTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1588YTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 9104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.55 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1588YTUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 7A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Power dissipation: 30W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 15A
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...200
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Collector-emitter voltage: 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1588YTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1588YTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 9151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
337+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1588YTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.55 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1588YTUONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1588YTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1588YTUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+1.83 EUR
100+1.64 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.19 EUR
5000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1589OTUonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1589RTUonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1589YTUonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD16130SLittelfuseTime Delay Relay 230VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD16130SLittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD16130SLittelfuse Inc.Description: RELAY TIME DELAY 30SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 30 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 230VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616-G-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 50V 1A TO-92
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616-GTA
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616-L-APMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 50V 1A TO92
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616-Y-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 50V 1A TO-92
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN/120V/1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616A-G-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON PURPOSE TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616A-G-APMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 120V 1A TO92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616A-G-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 120V 1A TO92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616A-Y
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616A-Y-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGBUONS/FAITO-92, NPN, Uce=60V, Ic=1.0A, hFE=135...600, -40...+150 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
569+0.31 EUR
752+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 569 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGBUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.75W
Case: TO92
Current gain: 200...400
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 160MHz
Pulsed collector current: 2A
auf Bestellung 6509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.63 EUR
173+0.49 EUR
202+0.42 EUR
350+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGBUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
auf Bestellung 20518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
525+0.33 EUR
2500+0.15 EUR
7500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGBUONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+1.13 EUR
350+0.67 EUR
553+0.39 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 34195 Stücke:
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3139+0.2 EUR
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KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
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213+0.82 EUR
335+0.5 EUR
569+0.29 EUR
752+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
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KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3139+0.2 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3139 Stücke
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KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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KSD1616AGBUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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4+0.98 EUR
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100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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KSD1616AGTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
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KSD1616AGTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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517+0.33 EUR
718+0.24 EUR
877+0.19 EUR
913+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 517 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.24 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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KSD1616AGTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
336+0.52 EUR
521+0.32 EUR
723+0.23 EUR
882+0.18 EUR
919+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
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KSD1616AGTAonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
auf Bestellung 3974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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KSD1616AGTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 1624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGTAONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.75W
Case: TO92 Formed
Current gain: 200...400
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 160MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.27 EUR
4000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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KSD1616AGTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
668+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 668 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AGTAONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616AGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: -
Verlustleistung: 750
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALBUON SemiconductorKSD1616ALBU
auf Bestellung 470000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
100000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALBUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALBUONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616ALBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 490000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4579+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALBUON SemiconductorKSD1616ALBU
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
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KSD1616ALBU
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
auf Bestellung 6203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
auf Bestellung 52699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3883+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3883 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALTAONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616ALTA - KSD1616ALTA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 10324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5848+0.11 EUR
10000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 5848 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALTA
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
auf Bestellung 17884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3883+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3883 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616ALTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 17884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5848+0.11 EUR
10000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 5848 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AYBUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AYTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AYTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AYTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.23 EUR
4000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
8000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AYTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.26 EUR
4000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AYTAonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
auf Bestellung 3806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.25 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616AYTAONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616AYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 135hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+1.15 EUR
343+0.68 EUR
532+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616GBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 9880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616GBUonsemiDescription: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616GBUONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616GBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 19321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8013+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8013 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616GBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 9441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616GBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
auf Bestellung 28659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616GTA
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616GTAonsemiDescription: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSD1616LBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2597 Stücke
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KSD1616LBUON SemiconductorKSD1616LBU
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
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KSD1616LBUONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616LBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4579+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4579 Stücke
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KSD1616LPWDonsemiDescription: TRANS NPN 50V 1A TO92-3
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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KSD1616LPWDonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products
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KSD1616YBUonsemiDescription: TRANS NPN 50V 1A TO92-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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KSD1616YTAonsemiDescription: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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KSD1621(SYS)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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