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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STH11K33F38-26.000MSuntsu Electronics, IncDescription: XTAL OSC TCXO 26.0000MHZ SNWV
Packaging: Bulk
Base Resonator: Crystal
Frequency: 26 MHz
Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm)
Current - Supply (Max): 2mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±500ppb
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Type: TCXO
Output: Clipped Sine Wave
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.063" L x 0.047" W (1.60mm x 1.20mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.31 EUR
10+6.14 EUR
50+5.84 EUR
100+5.09 EUR
500+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH11K33F38-38.400MSuntsu Electronics, IncDescription: XTAL OSC TCXO 38.4000MHZ SNWV
Base Resonator: Crystal
Frequency: 38.4 MHz
Height - Seated (Max): 0.024" (0.60mm)
Current - Supply (Max): 2mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±500ppb
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Type: TCXO
Output: Clipped Sine Wave
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.063" L x 0.047" W (1.60mm x 1.20mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.31 EUR
10+6.14 EUR
50+5.84 EUR
100+5.09 EUR
500+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH11NA50
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH11NA50FI
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N120K5-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH12N120K5-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+40.53 EUR
9+26.53 EUR
10+21.55 EUR
50+17.95 EUR
100+16.58 EUR
250+15.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N120K5-2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.25 EUR
10+14.91 EUR
100+12.78 EUR
1000+11.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N120K5-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N120K5-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+10.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N120K5-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.47 EUR
10+14.92 EUR
100+12.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N120K5-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 1200
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.62 EUR
10+15.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N120K5-2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.31 EUR
10+17.53 EUR
100+14.6 EUR
500+13.01 EUR
1000+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 1200
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N60
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N60FI
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12NA60
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12NA60FI
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH13009STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2.4A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH13009
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH130N10F3-2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH130N10F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3305 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH130N8F7-2STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH130N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH13N120K5-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH13N120K5-2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH13N120K5-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.34 EUR
12+19.61 EUR
14+15.32 EUR
50+14.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH13N120K5-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH13N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.41 EUR
10+14.83 EUR
100+11.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH13N120K5-2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.49 EUR
10+14.89 EUR
100+11.71 EUR
1000+10.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH13N120K5-2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH13N120K5-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.34 EUR
12+19.61 EUR
14+15.32 EUR
50+14.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH13N120K5-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH13NB60
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH13NB60FISTTO-218
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH140N6F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH140N6F7-2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH140N6F7-2
Produktcode: 132498
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH140N6F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: H2PAK-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH140N6F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH140N6F7-6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH140N8F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH140N8F7-2STMicroelectronicsMOSFETs N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+4.06 EUR
100+3.01 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.31 EUR
2000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH140N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
10+5.43 EUR
100+3.83 EUR
500+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STH140N8F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH140N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH145N8F7-2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH145N8F7-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.16 EUR
10+4.7 EUR
100+3.31 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH145N8F7-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH145N8F7-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH145N8F7-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STH14N50
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH14N50FI
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH150N10F7-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3400 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.59 EUR
34+6.94 EUR
100+5.12 EUR
500+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH150N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH150N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.19 EUR
10+4.72 EUR
100+3.32 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STH150N10F7-2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.33 EUR
10+4.82 EUR
100+3.61 EUR
500+3.22 EUR
1000+2.73 EUR
2000+2.64 EUR
5000+2.59 EUR
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STH150N10F7-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3400 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.12 EUR
500+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH150N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH150N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH15NA50
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH15NA50FI
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH15NB50FISTMicroelectronicsMOSFETs MOS 500V 0.36OHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH15NB50FISTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT-218-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOWATT-218
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH15NB50FIST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH15NB50FI ISOWATT218
Produktcode: 116399
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH15NB50FP
auf Bestellung 2332 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH160N4LF6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH160N4LF6-2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 40 V, 2.7 mOhm typ., 160 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH170N8F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH170N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
10+3.64 EUR
25+3.33 EUR
100+2.99 EUR
250+2.83 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH170N8F7-2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
10+5.76 EUR
25+5.26 EUR
100+4.57 EUR
250+4.32 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH170N8F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH175N4F6-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH175N4F6-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH175N4F6-2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ 120 A STripFET F6 Power MOSFET in
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH175N4F6-6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH175N4F6-6AGSTMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH180N10F3-2STMicroelectronicsSTH180N10F3-2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH180N10F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH180N10F3-2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+6.37 EUR
100+4.57 EUR
500+4.49 EUR
1000+4.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH180N10F3-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 954 Stücke:
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22+11.65 EUR
33+7.19 EUR
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500+4.97 EUR
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STH180N10F3-2STMicroelectronicsSTH180N10F3-2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com
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STH180N10F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.26 EUR
10+6.83 EUR
100+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STH180N10F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STH180N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STH180N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STH185N10F3-2STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
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STH185N10F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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STH185N10F3-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH185N10F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH185N10F3-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH185N10F3-6STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 package
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STH18NA50FI
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH18NB40FI
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH2PanduitHand Tools Cable Tie Tool Low Volume
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH2Panduit CorpDescription: TOOL CABLE TIE LOVOLT LT-HVY
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STH20-2X08ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP NC20 2X NC08 REDUCER
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STH2007TBR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STH200N10WF7-2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 340W; H2PAK-2
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 340W
Kind of channel: enhancement
Case: H2PAK-2
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STH200N10WF7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STH200N10WF7-2STMicroelectronicsDescription: MOSTFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH200N10WF7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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