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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STL6N2VH5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
195+1.19 EUR
295+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N2VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N2VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N2VH5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
195+1.19 EUR
295+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N2VH5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.24 EUR
100+0.8 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG
auf Bestellung 8872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+1.26 EUR
100+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.3 EUR
6000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
17+1.29 EUR
100+0.87 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.3 EUR
6000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6NK55ZST2004
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6NM60N
auf Bestellung 64947 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
124+1.89 EUR
147+1.46 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.82 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6P3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
auf Bestellung 39595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.76 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.79 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 5887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
110+2.12 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 8012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL6P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.79 EUR
6000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7003
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7029
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7031A
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7065C
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7066
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL70BC
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL70N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL70N10F3STMicroelectronics
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL70N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL70N4LLF5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL70N4LLF5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 70A POWERFLAT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL70N4LLF5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.62 EUR
100+2.05 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.42 EUR
3000+1.33 EUR
6000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL70N4LLF5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL70N4LLF5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 70A POWERFLAT
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
10+2.23 EUR
100+1.42 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL71STMTO-92 07+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL72STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A TO-92
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL72STMTO-92 04+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL73STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR
auf Bestellung 4701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+2 EUR
25+1.89 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL73STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 600mA, 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL73-AP
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL73DSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 600mA, 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL73D
Produktcode: 75379
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL73DSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN
auf Bestellung 4132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+1.05 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL73D-APSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.49 EUR
360+0.46 EUR
363+0.44 EUR
367+0.43 EUR
371+0.4 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL73D-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL73D-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High voltage Fast Switch NPN Pwr Trans
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL73D-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL73H-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7545STPLCC
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7550
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL755O
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL75N3LLZH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL75N3LLZH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL75N3LLZH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 0.0055 Ohm 19A STripFET V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL75N8LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL75N8LF6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80V 18A 0.0062 Ohm STripFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL75NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL75NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 71W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 71W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.51 EUR
72+2.39 EUR
101+1.67 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.24 EUR
3000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 71W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
10+2.43 EUR
100+1.76 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL76DN4LF7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL76DN4LF7AG - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 71W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.47 EUR
71+3.27 EUR
105+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL76DN4LF7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade dual N-channel 40 V, 5 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 15549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.84 EUR
100+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
3000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL78L05
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL78L05ACD03+
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7DN6LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.39 EUR
6000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7DN6LF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
64+3.64 EUR
100+2.55 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7DN6LF3STMicroelectronicsMOSFETs Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III
auf Bestellung 5789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.53 EUR
100+1.82 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7DN6LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7DN6LF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN65K5AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
10+4.3 EUR
100+3.12 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN65K5AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
auf Bestellung 5763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7 EUR
10+4.57 EUR
100+3.2 EUR
500+2.64 EUR
3000+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN65K5AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.75 EUR
3000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN80K5STMSTL7LN80K5 MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.84 EUR
103+2.27 EUR
154+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ 7 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.61 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.73 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
103+2.27 EUR
154+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
auf Bestellung 6551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
14+1.61 EUR
100+1.25 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 67W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 67W
Case: PowerFLAT 5x5
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 8.8nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV
auf Bestellung 3091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
194+1.2 EUR
271+0.8 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 0.019 Ohm typ 7 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 17013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.17 EUR
100+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
194+1.2 EUR
271+0.8 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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