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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFS7734TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7734TRL7PP - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 197 A, 3050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294mW
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.27 EUR
40+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 197A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineonTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.96 EUR
97+1.78 EUR
98+1.73 EUR
102+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.48 EUR
100+2.14 EUR
800+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7762PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7762PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7762TRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.21 EUR
146+1.15 EUR
147+1.11 EUR
150+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7762TRLPBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7762TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7787PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7787PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7787PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7787TRLPBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7787TRLPBFInfineon
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7787TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS820BFAIRCHILDIRFS820B
auf Bestellung 2384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1916+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1916 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS820BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 4853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS820BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS820B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1886+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1886 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS820BTonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel B-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS830FAIRCHILD2002 TO-220F
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS830Bonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS830BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 19132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
757+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS830BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS830B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1336+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS840FAIRCHILD2002 TO-220F
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS840B
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS840BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9630IR96 TO220
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60A
Produktcode: 77974
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 5,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/49
Montage: SMD
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
1+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS9N60APBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
76+2.21 EUR
100+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.45 EUR
56+4.2 EUR
100+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
50+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
76+2.26 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.2 EUR
73+2.36 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+3.62 EUR
100+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.09 EUR
49+3.57 EUR
58+2.92 EUR
60+2.77 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.8 EUR
49+3.53 EUR
67+2.52 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.78 EUR
52+3.34 EUR
91+1.84 EUR
100+1.78 EUR
250+1.74 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.15 EUR
50+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.4 EUR
68+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.2 EUR
73+2.31 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 170W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.88 EUR
50+2.26 EUR
100+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.65 EUR
100+3.56 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.69 EUR
107+1.61 EUR
108+1.56 EUR
111+1.49 EUR
250+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBF
Produktcode: 44716
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
10+5.45 EUR
100+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.84 EUR
103+1.63 EUR
107+1.52 EUR
108+1.44 EUR
111+1.36 EUR
250+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.51 EUR
10+5.57 EUR
100+4.05 EUR
500+3.27 EUR
800+3.14 EUR
2400+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+5.84 EUR
100+4.14 EUR
500+3.36 EUR
800+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
10+5.45 EUR
100+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBFIR2006
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL11N50AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFSL11N50APBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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IRFSL11N50APBFVishayTransistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262 Транзистори
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IRFSL11N50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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IRFSL11N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO262 500V 11A N-CH MOSFET
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IRFSL11N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
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IRFSL11N50APBF
Produktcode: 206444
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFSL17N20D
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IRFSL17N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
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IRFSL17N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
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IRFSL23N15D
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IRFSL23N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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IRFSL23N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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IRFSL23N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
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