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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFTS9342TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 595 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 5,8 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFIRFTS9342TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
166+0.43 EUR
225+0.32 EUR
253+0.28 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBF
Produktcode: 87001
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.97 EUR
30+0.61 EUR
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInternational RectifierMOSF P CH 30V 5.8A TSOP6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU-9310International Rectifier/InfineonР-канальний ПТ, Udss, В = -400, Id = -1,8, Ptot, Вт = 50, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ -25, Qg, нКл = 13, Rds = 7 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -3 В,... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU010Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU010FAIRCHILDTO-251
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014
Produktcode: 77976
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60
Idd,A: 07.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.20
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.300
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU014PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014AOU454AO
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
296+0.5 EUR
312+0.46 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp
auf Bestellung 3214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.7 EUR
281+0.5 EUR
296+0.46 EUR
312+0.42 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+0.75 EUR
221+0.65 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.24 EUR
75+1.45 EUR
150+1.31 EUR
525+1.09 EUR
1050+1 EUR
2025+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.4 A, 0.2 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+0.84 EUR
197+0.72 EUR
223+0.61 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU020
Produktcode: 110891
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU020Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU020
auf Bestellung 9980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU020Vishay / SiliconixMOSFET N-Chan 50V 15 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU020PBFVishay Siliconix14 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU020PBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 50V 15 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.25 EUR
1051+1.92 EUR
2721+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFU024N; IRFU024NAKLA1; IRFU024N TIRFU024n
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFInternational RectifierPOWER MOSFET,55V,17A, 0,10Ом,TO-251AA ,-55..+155C, Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBF
Produktcode: 112197
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: THT
auf Bestellung 5 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFAKLA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A Tube
auf Bestellung 3132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024NPBFAKLA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+1.74 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 N-CH 60V 14A
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.84 EUR
10+1.87 EUR
100+1.59 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBF
Produktcode: 49505
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 01.10.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
Bem.: MOSFET
JHGF: THT
auf Bestellung 15 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.45 EUR
10+0.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 14 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.83 EUR
65+1.1 EUR
68+1.05 EUR
71+1.01 EUR
74+0.97 EUR
77+0.94 EUR
150+0.89 EUR
1050+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBFVishay SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 14A IPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 4118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.98 EUR
75+1.83 EUR
150+1.65 EUR
525+1.39 EUR
1050+1.28 EUR
2025+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU024PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 14A, IPAK
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.2 EUR
128+1.13 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1010ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1010ZPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 4825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
383+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 383 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1010ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1010ZPBFIR06+
auf Bestellung 20400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1018EPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1018EPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
373+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110Harris CorporationDescription: 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
626+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110VishayN-MOSFET 4,3A 100V 2,5W IRFU110 TIRFU110
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1109110IR
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110ATU
auf Bestellung 3580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 100V 4.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+0.8 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.67 EUR
6000+0.65 EUR
24000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 6225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.63 EUR
125+1.13 EUR
150+0.97 EUR
525+0.78 EUR
1050+0.69 EUR
2025+0.61 EUR
5025+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.94 EUR
75+1.32 EUR
150+1.18 EUR
525+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 6214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+0.63 EUR
258+0.56 EUR
264+0.53 EUR
525+0.52 EUR
1050+0.47 EUR
2025+0.45 EUR
5025+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120Infineon / IR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120-VBVBsemiN-MOSFET 7.7A 100V 2.5W IRFU120 TIRFU120
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1205IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1205Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1205PBFInternational RectifierIPAK=TO-251AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1205PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.06 EUR
10+1.85 EUR
100+1.44 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1205PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120ATUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU120ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 361 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
245+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120ATUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.16 EUR
500+1.91 EUR
1000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120ATUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.18 EUR
1571+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 35212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
453+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 453 Stücke
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IRFU120NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
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