Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFSL4127PBF/SAMPLE | Infineon Technologies | SAMPLE INVENTORY REQUEST | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL41N15D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL41N15D | auf Bestellung 17650 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL4227PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 62 Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4227PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4228PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4229PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4310PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4310ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4310ZPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC | auf Bestellung 1208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4310ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 0.0048 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 127 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4321 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4321PBF | IR | 09+ SOP8 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4321PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4321PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410 | IR | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFSL4410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410TRPBF | IR | 0638+ TO262 | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4410ZPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL4410ZPBF - IRFSL4410Z - TRENCH 100V tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC | auf Bestellung 1389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4510 | International Rectifier | TO-262 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Power dissipation: 140W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4510PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4510PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 61A TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4610 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4610PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4620PBF | Rochester Electronics, LLC | Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL4710 | International Rectifier | TO-262 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4710PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL52N15D | IR | TO-262 0611+ | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL5615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL5615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL5615PBF | Infineon Technologies | MOSFETs Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL5620PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL59N10D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7430PBF | Infineon Technologies | MOSFETs HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 33133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7430PBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | auf Bestellung 4360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7430PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7430PBF - IRFSL7430 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7434PBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7434PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7434PBF - IRFSL7434 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 7925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7434PBF | Infineon / IR | MOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7437 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1800 µohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | Infineon | auf Bestellung 460000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 | auf Bestellung 1468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF Infineon Technologies Produktcode: 212143
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFSL7437TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET Trench Mosfet - TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7437TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262 | auf Bestellung 7039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A TO-262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 5995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 4246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7530PBF | Infineon / IR | MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7530PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7530PBF - IRFSL7530 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7530PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 2258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 23830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7534PBF | Infineon / IR | MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7534PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7534PBF - IRFSL7534 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 23830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7534PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7537PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 173A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7537PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power | auf Bestellung 826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7537PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL7537PBF - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 173 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 230 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 Verlustleistung: 230 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00275 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275 SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7540PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7540PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7540PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7540PBF - IRFSL7540 STRONGIRFET, 60V POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7540PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7730PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7730PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7730PBF | International Rectifier | Description: IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) | auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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