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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS8670Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 25418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.61 EUR
10000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8670FAI11+ SC70-5
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8670-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8670NLFAIRCHILD
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8670SFAIRCHILD09+
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8670_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.53 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
511+0.35 EUR
514+0.33 EUR
517+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 511 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 8965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 14746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
auf Bestellung 361213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
307+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 517 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
10+3.12 EUR
100+2.48 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.53 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.61 EUR
111+1.54 EUR
113+1.45 EUR
115+1.37 EUR
117+1.3 EUR
250+1.23 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8672S-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8690onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8690ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 14A 7.6 OHM NCH POWER
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8690onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
10+2.78 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8690-NLFDS
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8690_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8812NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8812NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8812NZFAIRCHILD09+ TSOP
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8812NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+1.67 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
auf Bestellung 37762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.15 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.18 EUR
151+1.12 EUR
154+1.07 EUR
156+1.01 EUR
159+0.95 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+1.67 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 57401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
10000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 40892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.59 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.17 EUR
154+1.13 EUR
156+1.09 EUR
159+1.05 EUR
250+1.01 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8813NZonsemi / FairchildMOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.82 EUR
100+1.56 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.18 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8817NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8817NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8817NZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8817NZFairchild
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8817NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8817NZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8817NZ-GonsemiDescription: 30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1021+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1021 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8817NZ-NLFAIRCHILSOP8
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8840NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8840NZonsemiMOSFETs PT4 Nch with Zener
auf Bestellung 20012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+2.31 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8840NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8840NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8840NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.83 EUR
100+2.03 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8840NZonsemi / FairchildMOSFETs PT4 Nch with Zener
auf Bestellung 22694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+2.06 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.3 EUR
2500+1.23 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8840NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8840NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8842NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.12 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8842NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
7500+0.6 EUR
12500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8842NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8842NZonsemi / FairchildMOSFETs 40V NCh PowerTrench w/MOSFET
auf Bestellung 4835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.4 EUR
100+1.07 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8842NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8842NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.02 EUR
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8842NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8842NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.52 EUR
137+1.25 EUR
165+1 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8842NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8842NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8843ASOP-8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.23 EUR
172+0.95 EUR
212+0.74 EUR
257+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZONS/FAIMOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
706+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 706 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZFairchildTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.01 EUR
212+0.8 EUR
257+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
706+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 706 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6/-7.3A
Gate-source voltage: ±25/±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.94 EUR
56+1.54 EUR
66+1.31 EUR
97+0.88 EUR
113+0.75 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
706+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 706 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
5000+0.61 EUR
7500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 7,3 А, Qg, нКл = 24, Rds = 17 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ton = 20 нс, toff = 20 нс,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 149 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
5000+0.63 EUR
7500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.8 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZonsemiMOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 18557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+1.62 EUR
100+1.14 EUR
500+0.93 EUR
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FDS8858CZNLFAIRCHILD
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FDS8858CZ_NLFAIRCHILD
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FDS8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0042 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8870Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4615 @ 15, Qg, нКл = 112 @ 10 В, Rds = 4,2 мОм @ 18 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FDS8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
10+2.69 EUR
100+1.99 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDS8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1794 Stücke:
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311+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
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FDS8870onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.83 EUR
100+1.58 EUR
250+1.57 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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311+2.12 EUR
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FDS8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2937 Stücke:
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311+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
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FDS8870-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FDS8870N3FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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